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带ddr的nand 美光宣布已量产全球首款232层NAND

发布时间 : 2024-11-26

作者 : 小编

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美光宣布已量产全球首款232层NAND

北京时间7月27日，Micron宣布已量产全球首款232层NAND。它采用了业界领先的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代NAND相比，该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。

美光出货全球首款232层NAND，进一步巩固技术领先地位

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光232层NAND率先在生产中将3D NAND堆叠层数扩展到超过200层，可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛的创新，包括创建高深宽比结构的先进工艺能力、新型材料的进步，以及基于美光市场领先的176层NAND技术所进行的进一步设计创新。”

领先技术铸就卓越性能

随着全球数据量的增加，客户必须扩大存储容量，提升性能，同时降低能耗，并满足对环境可持续发展更为严格的要求。美光232层NAND技术提供了必要的高性能存储，支持数据中心和汽车应用所需的先进解决方案和实时服务，同时还可在移动设备、消费电子产品和PC上实现快速响应和沉浸式体验。美光还在该技术节点上实现了业界最快的NAND输入/输出（I/O）速度[1]（每秒2.4GB），以满足低延迟和高吞吐量的需求，适用于人工智能和机器学习、非结构化数据库和实时分析，以及云计算等数据密集型工作负载。该I/O速度比美光在176层节点上所支持的最高速度还要快50%[2]。相比上一代产品，美光232层NAND的每颗裸片写入带宽提升至高100%，读取带宽提升至少75%[2]。这些优势提升了SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效。

此外，美光232层NAND还是全球首款六平面TLC量产NAND[3]。与其他TLC闪存相比，该产品在每颗裸片上拥有最多的平面数量[3]，且每个平面都具有独立的数据读取能力。高I/O速度和低读写延迟，以及美光的六平面架构，使其可在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突，推动系统级服务质量的提升。

前沿创新技术带来了具备最高性能和晶圆密度的TLC NAND，并全部采用业界最小封装

美光232层NAND是首款支持NV-LPDDR4的量产技术。NV-LPDDR4是一种低压接口，与此前的I/O接口相比，每比特传输能耗可降低至少30%。因此，232层NAND解决方案可实现高性能与低功耗平衡，是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外，该接口还可向后兼容，支持传统控制器和系统。

232层NAND紧凑的外形规格还便于客户进行灵活设计，同时实现超越历代产品的每平方毫米最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2)[3]。其面密度比当今市场上的TLC竞品高35%到100%[3]。它还采用全新的11.5mm x 13.5mm封装规格，较前几代产品的封装尺寸小28%[2]，使其成为目前市场上尺寸最小的高密度NAND[3]。该产品兼具小体积和高密度，因此占用更小的电路板空间，适用于各类部署。

下一代NAND助力整个市场实现创新

美光首席商务官Sumit Sadana表示：“美光持续率先上市更高堆叠层数的NAND，实现移动设备更长的电池续航和更紧凑的存储空间，提升云计算性能，加快AI模型的训练速度，从而能够保持长期的技术领先地位。美光232层NAND为端到端存储创新确立了新基准，助推多个行业的数字化转型。”

232层NAND的开发得益于美光领先业界的研发和制程技术进步。这些突破性技术将帮助客户在数据中心、轻薄笔记本电脑、新型移动设备和智能边缘等领域打造更多创新解决方案。

供货情况

美光232层NAND目前已在其新加坡晶圆厂实现量产，并首先以组件形式通过英睿达（Crucial）SSD消费类产品线向客户出货。其他产品信息及供货状况将在稍后公布。

美光位于新加坡的NAND卓越中心因其在智能制造领域的优秀运营能力而被世界经济论坛列入其全球灯塔工厂网络。先进的AI工具、智能控制系统和预测能力使美光能够加速产品开发，强化产品质量，更快提升良率，从而缩短产品上市时间。

[1]上市时NAND I/O速度为1.6GB/s

[2]与美光产品数据表比较

[3]与当前市场上出货的NAND产品比较

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三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星在其最新财报中提供了有关其数据中心产品组合的最新信息，确认下一代 HBM3E、DDR5 和 V-NAND 将于第二季度推出。这家韩国巨头报告说，它正在见证人工智能领域创纪录的增长，并将在这一领域推出多条新产品线。

首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。

据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。

在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。

最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。

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