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nand flash 编程器 24-RT809F,H产品功能介绍

发布时间 : 2024-10-11

作者 : 小编

访问数量 : 23

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24-RT809F,H产品功能介绍

广州市海柯电子科技有限公司是一家集"科研、开发、服务"为一体的高科技设备研发企业，研发维修行业通用编程器，十二年如一日。海柯电子已开发出深受国内外行业人士欢迎的RT809F 和RT809H编程器，并拥有6项中国实用新型专利，配合多种转接座，支持常见封装类型，支持芯片型号众多，功能强大，质量稳定，性价比高，为电视、电脑、汽车、液晶屏等维修行业，提供了最佳的芯片编程方案。

　　我们以"专注、创新、诚信"为服务宗旨，以高可靠性、高品质、高效率和极具竞争力的价格及完善的技术支持和售后服务，赢得了广大顾客的信任和赞誉。

一、专利产品

我们目前有6个实用新型专利，还有一个发明专利已经授权，以后还会更多！

1、一种ISP编程器用VGA信号自动切换电路：能够更简单快速的完成液晶显示器和液晶电视主板，在线编程、升级软件以后的VGA图像测试，提高操作者的工作效率，创造更大效益；

2、一种ISP在线编程器免跳线线序切换电路：ISP在线编程器免跳线线序切换电路能够免跳线切换线序，可以更简单、更快速的对液晶显示器和液晶电视机主板，进行在线编程、升级软件，提高操作者的工作效率，创造更大的社会效益。

3、一种编程器高速IO与高压保护电路：使用本实用新型的电路结构，能够使得通用编程器产品速度快，成本低，发热量小，不需要外接电源适配器，可以为用户创造更多效益。

4、一种高精度宽范围的数调开关电源：本实用高精度宽范围的数调开关电源省去了发热严重的大功率线性稳压器，大幅度提升了电源效率，省去了外接的电源适配器，不仅为用户使用带来方便，而且降低了成本，提高了效益。

5、一种DAC构成的电压测量电路：本实用DAC构成的电压测量电路能够应用于没有AD转换器件的电路中，可以实用系统多余的DAC通道来完成电压测量或者其他模拟量检测，降低了总体成本，提高了效益。

6、一种编程器用宽范围自适应供电电路：本实用新型电路使用户能够自由使用交流或者直流5-24V的电源适配器给我们编程器供电，方便用户使用的同时，有效保护了编程器产品不被烧毁。

从以上专利可以看出，本公司的专注与创新，市面上出现侵权以上专利的，均为抄袭本公司产品。

二、RT809H编程器·产品亮点

1、支持在线和离线方式EMMC智能识别、BOOT1/BOOT2/USER/RPMB/EXT_CSD区域读写；

2、多数类型的芯片可以自动识别，随心摆放，最高读写速度可达25M/S；

3、内置VGA信号发生器，自动切换，方便维修；

4、不需要外接电源，超低功耗；

5、轻巧便携，高性能，多功能；

6、支持32/64位系统：WIN2003、WIN2008、WIN VISTA、WINXP、 WIN7 、WIN8、WIN8.1、WIN 10；

7、TSOP48/BGA封装 NAND Flash 参数自动识别和离线读取；

8、平板电视，液晶电视主流方案芯片ISP在线读写；

9、笔记本IT8/KB90/NPCE/MEC16系列EC芯片读写；

10、27/28/29/30/39/49/50 系列NOR Flash/ PROM 读写；

11、24/25/26/93/95系列串行SPI Flash. EEPROM 离线读写；

三、RT809H配套软件

1、EMMC在线/离线读写

支持在线和离线方式EMMC智能识别、BOOT1/BOOT2/USER/RPMB/EXT_CSD区域读写；USER区指定地址读写和擦除功能，更是为用户提供更大方便；

2、厂家引导EMMC直写功能；

厂家引导EMMC直写功能为本公司首创，解决Mstar厂家高安加密算法难题，在一文和文中有相关高安的介绍；解决MTK方案写引导时，某些不能识别ID的难题；为用户提供了更多维修手段。

RT809H更是全驱编程器，支持多种芯片读写时任意摆放，NAND芯片离线读写等等，功能太多，就不逐一列举。

四、RT809F·产品亮点

1、专为电脑，家电维修行业设计；

2、轻巧便携，高性能，多功能；

3、支持32位和64位：WIN2003、WIN2008、WINVISTA、WIN XP、WIN 7、WIN 8、WIN8.1、WIN 10；

4、兼容原厂工装和官方软件切换；

5、内置自动型VGA信号发生器；

6、支持串口TTL/I2C/SPI协议；

7、主流液晶芯片方案自动识别。

五、RT809F配套软件：

六、本产品相对行业其他编程器功能对比

iFix技术团队对维修行业有着深厚的情怀，iFix技术团队的目标是为整个维修行业提供最简单易行的维修方案，iFix团队会一如既往的为维修工程师传播更多的维修新知识，提供更简单易行的工具使用和修复技能，披荆斩棘、开拓创新，为改变维修行业低迷状态而努力奋斗！！

SDRAM是如何“提速”的？

各位同学大家好，欢迎继续做客电子工程学习圈，今天我们继续来讲这本书，硬件系统工程师宝典。

上篇我们了解了FLASH可分为NOR FLASH和NAND FLASH，NOR FLASH一般用于代码运行及擦除或编程较少的场合，NAND FLASH用于擦除、编程速度快，但是不用于直接运行代码的场合。今天我们来讲一讲SDRAM的相关知识。

SDRAM

SDRAM指同步动态随机存储器，同步指的是Memory工作需要同步时钟，内部命令发送和数据传输都以同步时钟为基准；动态指的是存储阵列要不断地刷新保证数据不丢失；随机指的是数据不是线性存储而是自由指定进行数据读/写。

SDRAM的内部存储结构如下图所示：

SDRAM内部的存储结构

我们在进行取址操作时，需要依次获取Bank数、行地址、列地址，从而找到要读取或写入的数据。在系统设计时，Memory的容量如下计算：

例如，某SDRAM的行地址信号为A0~A12，列地址信号线为A0~A9，A11，数据信号线为DQ0~DQ7，位宽为8，Bank数是4，则Memory的容量是213*211*4*8bit=512Mbit。

那么，我们在选型时，要确认Bank数、行地址数、列地址数是否和CPU匹配，Memory的位宽是否支持。

DDR SDRAM

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）是指双倍速率同步动态随机存储器。其中双倍指的是DDR内存除了像SDRAM一样在时钟上升期进行数据传输外，在时钟下降期也可以进行数据传输，因此DDR内存更快。

DDR SDRAM的Memory容量计算和SDRAM是一样的，DDR SDRAM在数据采样上不再依赖于时钟信号采样，而是采用DQS（数据选通信号，Data Strobe）进行采样。在写操作时，数据由CPU发往DDR，DDR数据接收端利用DQS的边沿对DQ进行采样；读操作时，数据由DDR发送给CPU，在接收端的存取器利用DQS的边沿对DQ采样。DDR SDRAM的数据采样依赖DQS信号，而地址、命令和控制信号等单端信号仍采用时钟信号采样。

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM简称DDR2，是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory）。DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，得益于DDR2内存拥有两倍于DDR内存的预读取能力，如下图所示：

DDR和DDR2预读取能力的对比

除了预读取能力的提升，DDR2 SDRAM既可以采用单端DQS信号，也可采用差分DQS信号，使用差分信号以减少信号串扰的影响。另外，DDR2 SDRAM采用SSTL-1.8电平，在相同存储容量和相同数据传输率的情况下，DDR2具有更低的功耗。

DDR3 SDRAM

DDR3是在DDR2基础上采用的新型设计，与DDR2 SDRAM相比具有功耗、发热量较小、工作频率更高等优势。

DDR3的内部是一个存储阵列，类似一张表格，将数据“填”进去，如下图所示：

DDR3存储阵列的等效表格

那么，我们芯片寻址就跟检索表格一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格（存储单元），这个表格对应的就是逻辑Bank（Logical Bank）。图中黑格的位置表示根据寻址命令B1、R2、C6确定的位置，寻址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然后指定列地址，最终确定寻址单元。

DDR3和DDR2的信号种类是一样的，其中DDR3不再支持单端DQS数据选通信号，全部采用差分数据选通信号，DDR3对DQS与Clock没有严格的时序要求，而DDR2对DQS与Clock有严格的时序要求。DDR3供电采用1.5V，接口电平逻辑满足SSTL_1.5V。

DDR4 SDRAM

内存颗粒的演变如下图所示：

内存颗粒的演变

可以看出，DDR4在2014年开始崛起，在2015年后开始迅速占领市场。DDR4内存的运行频率提升至2133~4266MHz，电压降低至1.2V、1.1V。另外，与DDR3相比，DDR4的接口引脚增加了，ACT_n命令激活输入信号，BG0-BG1用于选择哪个Bank被激活，PAR输入命令和地址信号的奇偶校验，ALERT_n报警的输入和输出信号，VPP用于DRAM激活的2.5V供电引脚等。

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SDRAM是如何“提速”的？

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