全球首款72层3D NAND速度太猛：读写提升20%！

SK海力士今天正式宣布推出世界首款72层256Gb 3D NAND闪存，基于TLC阵列。这也是在2016年11月首颗48层3D NAND芯片宣布仅仅5个月之后，SK海力士再次取得的重大突破。

据介绍，相比于之前推出的48层3D NAND芯片，72层芯片将单元数量提升了1.5倍，生产效率增加了30%。

同时，由于加入了高速电路设计，72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍，读写性能大幅增加20%。

SK海力士表示，72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产，满足高性能固态硬盘和智能手机设备的需求。

微信公众号搜索"驱动之家"加关注，每日最新的手机、电脑、汽车、智能硬件信息可以让你一手全掌握。推荐关注！

SK Hynix将量产全球堆栈层数最多的3D NAND闪存：72层

在中国厂商没发展起来之前，NAND闪存产业还有几年好日子可过，今年缺货、涨价也让厂商有资金和需求去提高产能，SK Hynix前几天才宣布投资2.2万亿韩元升级清州市工厂。除此之外，SK Hynix还将推出新一代3D NAND闪存，堆栈层数将从目前的36、48层提升到72层，一举超过三星、美光及东芝新一代64层堆栈3D闪存，预计在明年下半年正式量产。

3D闪存相比普通2D闪存具备很多优势，包括性能、可靠性之外，最重要的就是它可以提高闪存容量，进一步降低成本，理论上堆栈层数越多，3D闪存容量就越大，优势也越明显。之前在超能课堂(36)：3D NAND闪存是什么，引中国厂商竞折腰？一文中，我们也简单介绍了什么是3D闪存及四大豪门当前主要的3D闪存规格。

2016年上半年各NAND厂商代表性的3D闪存规格及堆栈层数

三星发展3D NAND闪存最早，目前已经推出了三代V-NAND闪存，最高堆栈层数是48层，下一代3D闪存是64层堆栈，今年底开始量产。东芝/西数则是BiCS类型的3D闪存，堆栈层数是48层，下一代也是64层堆栈，美光/Intel的3D闪存进度最晚，堆栈层数也是32层，下一代则会提升到64层堆栈，美光在新加波的10X晶圆厂年底将会量产64层堆栈闪存。

SK hynix的3D闪存发展了两代了，32层堆栈的算是实验性的，今年11月份正式量产48层堆栈的3D闪存。不过根据韩联社的消息，SK Hynix的下一代3D闪存也在路上了，2017年上半年完成芯片设计，2017年下半年正式量产，生产厂就是去年才建成的利川市M14晶圆厂。

从层数上来看，SK Hynix如果明年真的能顺利量产72层3D闪存，那么他们的堆栈能力就超过了其他三家，后者明年的3D闪存还是64层堆栈的，不过三星此前已经提到了96层堆栈的3D闪存，早已在研发中，只是尚未有确定的量产时间表。

关注微信号expkf01，第一时间获知精彩活动和原创科技资讯。

相关问答

NandFlash闪存颗粒中根据存储密度的差异可分为SLC、MLC、TLC和QLC四种,按照存储方式划分,NAND闪存已经发展了四代:第一代SLC(Single-LevelCell)每单元可.....

三星电子刚刚宣布,其已开始生产业界首批100层V-NAND闪存,并计划在企业级PCSSD上采用。这家韩国科技巨头称,基于256Gb3-bitV-NAND闪存的SSD,已开.....

NAND闪存一般指NAND。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳...

不建议使用nand启动。使用nand启动存在一些问题和限制。使用nand启动存在以下几个1.可靠性问题:nand启动方式在某些情况下可能会导致系统启动失败或出现错误...

除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash闪存芯片了。NANDFlash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:1...

这问题也能问的出来,不就是成本降低了嘛。这问题也能问的出来,不就是成本降低了嘛。

好像别的回答都是网上抄来的。在大的时间范畴上看我国64层NAND在技术层面看必然会成功。当然不是一定是紫光和长江存储。粗浅见解如下,紫光本是一个整合资源...

NAND芯片是一种闪存芯片,广泛应用于各种数字设备,如闪存卡、USB闪存驱动器、固态硬盘等。它是一种非易失性存储器,可以长期存储数据,而不需要任何电源支持。...

2019年全球半导体市场凛冬将至,从以往的牛市转向了熊市,主要原因就是存储芯片价格不断下跌,其中DRAM内存芯片去年Q4季度才开始由涨转跌,不过NAND闪存比DRAM内...

分别是单层存储单元(没个单元只存储1bit的数据),多层(其实也就是双层)存储单元,三层存储单元。slc存储速度最快,可擦写次数最多,成本最高,三者依次...