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手机nand磨损平衡小米14魔改储存芯片：256GB变264GB，是创新还是冒险？

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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小米14魔改储存芯片：256GB变264GB，是创新还是冒险？

如何看待小米14魔改储存芯片? 256GB变264GB?储存芯片一般会预留OP空间，用来平衡NAND闪存磨损和纠错的冗余，减少OP会极大缩短闪存寿命，破坏容错机制造成不必要的数据损坏。那么，我们是相信小米的工程师变革了储存行业，还是相信三星海力士长江储存的工程师？小米这样做是否为了避免出现像米6这样的钉子户？

这个是利于用户的好事情，值得给工程师点赞，希望在未来的更多手机当中，以及友商手机当中也能看到应用，当然不仅仅是手机还有电脑、平板等等需要有储存需求的设备上，都能用上！这个是好事情！但是我看小米已经把技术规范申请了专利，那么这项技术后面会和其他的友商交叉授权吗？或者说这项技术会被大规模的运用到行业吗？还是会成为小米单独的卖点！

不过这个最开始肯定是和储存厂商去洽谈的，不过可能未来就不会标记256G，有可能是264G，可能512G也不会标注成512G，可能是528G。当然前提是不影响本身储存设备的正常运行，也不会出现问题，能够稳定运行就好！

目前在小米14和14Pro的一些机型上，已经实现，这个发布会上说了，只能是彩蛋。也许你买到了就是这个版本，也许不是，目前小米14和小米14Pro的256G版本和512G版本会有，其他的版本暂时没有着！

对于这件事，小米14系列手机的魔改储存芯片引起了广泛的关注和讨论。据报道，小米团队发现每颗存储芯片都额外预留了空间，比如额定存储256GB的芯片，其实真实容量在266GB以上，也就是预留了10GB+空间。因此，经过团队的调整，目前小米14 Pro的256GB已经“扩充容量”，大家查看就能发现是264GB（256GB+8GB）空间。

对于这一做法，公众的观点不一。一方面，有人认为这是一种创新的尝试，可以为用户提供更多的存储空间，提高了产品的性价比。另一方面，也有人担忧这种做法可能会影响存储芯片的寿命和稳定性。

从技术角度来看，储存芯片一般会预留OP空间，用来平衡NAND闪存磨损和纠错的冗余，减少OP会极大缩短闪存寿命，破坏容错机制造成不必要的数据损坏。因此，小米的这种做法虽然可以提供更多的存储空间，但是也可能带来一定的风险。

不过小米既然申请了专利，也让储存厂商得到了认可，而且储存厂商还会采纳，往后会大规模的去制作那说明还是有一定的保障性的，并不一定会有问题！专业技术问题很深，我们需要专业人士来进行讨论，但是从商业的角度，从科技的发展角度，这样的事情是好事情，不断的挖掘科技美好，不断的为科技行业创造意外的惊喜，这也是好事情。对此大家怎么看的，欢迎关注我创业者李孟和我一起交流！

1TB存储手机大降价，这些技术功不可没

这不双十一吗，浪歌也趁这个机会，想给家里人买个手机，寻思买个存储容量大一点的，这样也能多用几年。

不过去几个电商平台看了一下，发现这年头大存储手机也挺卷的，很多 1TB 存储手机的价格都降到 2000 元以内了 。

比如小米的中端性价比手机红米 Note 12 Turbo，16GB+1TB 的官方定价是 2499 元，现在已经降到 1800 元左右了：

浪歌看完这价格连呼好家伙，很多笔记本的固态也不过 512GB，你这手机不仅有 1TB 的大存储，还把价格打到不足 2000 元了，属实是卷王本王了。

不仅手机存储价格被打下来了，固态硬盘 SSD 价格也是一降再降。

前一阵子，长江存储的亲儿子致态发了个新品，2TB 的 M2 固态硬盘，首发价格也不过 699 而已：

再看看 10 年前，64GB 的固态还要六七百，只能说现在固态硬盘真的是白菜价了。

那么估计有小伙伴要问了，为啥现在手机存储和固态硬盘降价降的这么狠呢？

这里面其实有多种因素，一方面，最近几年国内厂商攻坚克难，技术上已经追平了海外大厂，甚至还有小幅领先；另一方面，就是层出不穷的各种新技术，也大大降低了手机存储和固态的生产成本，反映到销售终端上就是降价了。

而让存储降价的主要新技术，就是新颗粒 和新的堆叠技术 的应用。

目前，消费数码产品的闪存都是 NAND 闪存，这是一种非易失性闪存，可以在存储数据后，即使断电依然保证数据不丢失，同时相较于传统的机械硬盘，NAND 闪存的随机读写速度也更高。

这些优秀特性使得 NAND 成为外置设备、移动便携设备、消费电子产品内置存储的最佳选择，例如手机和数码相机的内置存储便可以直接采用 NAND 闪存，而固态硬盘、移动固态硬盘、存储卡、U 盘这些也都是基于 NAND 闪存技术诞生的。

NAND 闪存的存储原理就是利用了量子力学的隧道效应。在控制门上加较高的编程电压，源极和漏极接地，使电子穿越隧道氧化层到达浮栅，并聚集在浮栅上，存储信息。擦除时仍利用隧道效应，不过把电压反过来，从而消除浮栅上的电子，实现清除信息。

随着技术的发展，NAND 闪存颗粒也在不停的更新，常见类型有SLC、MLC、TLC 和 QLC 等。

不同类型的闪存，其结构特性、单元位数、耐久性等是不同的，其中耐久性是由闪存单元在开始磨损前可以完成的程序擦写（P/E）周期数量来决定的，擦除和写入一个单元的过程便是一个 P/E 周期，P/E 周期的标称数值越高，则表示该闪存颗粒可擦写的次数更高，也即是说寿命会更长。

而让闪存价格暴跌的技术之一，就是QLC 。

QLC NAND 为 4 级单元，每个单元存储 4 个位，比起每个单元仅存储 1-3 位的 SLC、TLC 等，性能和寿命明显更差，但是因为生产成本更低 ，单元空间内的存储容量更高 ，因此更受到厂商们的追捧。

而且性能和单元耐久性的不足也并非无解，可以通过增大容量来弥补，目前已经有取代 TLC 成为消费类产品的首选存储方案的趋势。

当年 TLC NAND 也曾经被很多数码极客们嫌弃，就是因为它寿命和性能都比老大哥 SLC 和 MLC 更差，但是 TLC 同样取代了前辈们，毕竟 TLC 真的把价格打下来了。

所以，虽然 QLC 参数指标很一般，不过只要能进一步把价格压下来，估计也是难逃“真香”的夸赞。

除了 QLC，还有一个技术不得不提，那就是3D NAND 堆叠技术 。

早些年，不管是手机存储还是固态硬盘，都是使用的 2D NAND，这是一种非易失性存储技术，存储单元全部在一个平面上布置。

不过 2D NAND 技术目前已经基本被淘汰了，主要原因有二：

一方面，随着存储容量的增加，每个存储单元的面积变小，导致存储单元之间的相互影响增加，容易产生电荷干扰和数据损失。

另一方面，2D NAND 的写入速度相对较慢。在编程和擦除操作中，需要消耗较长的时间来将电荷注入或移除存储单元中，这就导致写入操作的延迟。

因此，最近十多年，表现更好的 3D NAND 取而代之，成为了存储颗粒制造的主要技术。

与存储单元水平堆叠的 2D NAND 不同，3D NAND 使用多层垂直堆叠 ，可以实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的成本。

由于能够将大量垂直单元封装成较小的宽度和长度尺寸，因此 3D NAND 在相同的长度和宽度尺寸下具有比 2D NAND 更大的容量。

不过，由于 3D NAND 技术难度更大，目前全世界只有三星、美光、SK 海力士、长江存储、华力微电子等几家企业能够做。

这里就不得不提一下长江存储了，这家中国企业通过自主研发的第四代 3D NAND 芯片技术“XTacking3.0”，成功实现了232 层堆叠 ，成为当时世界堆叠层数最高的存储芯片工艺，让老牌存储企业三星和美光大为震惊。

而长江存储的 232 层堆叠不仅大幅提高了存储密度，还使数据传输速率达到了新的高度。依托于中国产业链优势，长江存储在最近两年大批量出货，成功把固态硬盘和手机存储的价格拉至新低。

这也是为啥最近半年各种大容量存储手机和超低价固态硬盘层出不穷的原因 —— 以长江存储、华力微电子为主的国产企业已经摘下了 3D NAND 这颗工业皇冠上的明珠，我们消费者也就能用更实惠的价格拿下更大的存储容量。

不过，随着原材料成本的上升，存储价格大跳水可能会告一段落 ，甚至还要涨一波价 。

主控制造商群联（Phison）最近几天就发出信号，预估生产 NAND 闪存芯片即将出现材料短缺，会导致 SSD 价格上涨，这就意味着低价的 NAND 闪存可能要没了。

近几个月来，用于生产容量为 64 GB 的 512 千兆位 TLC 闪存芯片的硅晶圆现货价格上涨。10 月份的价格为每颗芯片 2,304 美元，比 6 月份高出 63.3%，当时的报价只有 1,411 美元。

而在上周，TLC 现货芯片的价格又飙涨了 12.7%。1TB TLC 闪存的成本从大约 22 美元增加到 36 美元。

浪歌只能说，且买且珍惜吧 ！

本文源自IT之家

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