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手机的nand flash 电脑手机都用它：一文读懂DRAM，SRAM和Flash原理

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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电脑手机都用它：一文读懂DRAM、SRAM和Flash原理

DRAM、SRAM和Flash都属于存储器，DRAM通常被称为内存，也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱，但他却是CPU性能发挥的关键。DRAM、SRAM和Flash有何区别，它们是怎样工作的？

DRAM：动态随机存取存储器

DRAM的全称是Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器。"随机存取"意味着CPU可以存取其中的的任意位置，而不像硬盘那样每次存取要以扇区为单位进行。

而"动态"是因为DRAM的工作采用电容原理，为了防止漏电引发数据错误，需要定时重复刷新。当电源中断后DRAM中的数据就会全部丢失，所以它属于"易失型"存储器。

SRAM：静态随机存取存储器

SRAM的存在感比较弱，因为多数时候它并不是像DRAM那样以内存条的形式直接展现在大家面前。CPU中集成的高速缓存就属于SRAM（Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器）。在一些无DRAM缓存设计的固态硬盘（如东芝TR200）中，主控内会集成小容量的SRAM缓存。

SRAM存储单元是由6个晶体管制成的简单锁存器，无需刷新和回写就能保留数据，速度比DRAM更快。但由于集成度低，SRAM容量比DRAM小，成本比DRAM高，所以在大多数地方只能以较小的容量作为高速缓存使用。断电后SRAM中的数据也会丢失，同样属于"易失性"存储器。

Flash：闪存存储器

铠侠（原东芝存储）在上世纪80年代发明NAND型闪存。闪存可以在断电后持续保存数据，但是它无法随机存取，最小读写单元是Page页（早期为4KB，当前多为16KB），最小擦除单位是Block块（当前为16MB左右）。

闪存使用特殊的"浮栅层"（Floating Gate）来存储数据，氧化物层（Oxide Layer）的存在可防止浮栅层中电子流失，这是它能够在断电后继续保存数据的原因。

Flash闪存的1个存储单元存储多位数据，这是DRAM和SRAM都做不到的。根据浮栅层中电子的多少，每个存储单元可以表达1比特（SLC）、2比特（MLC）、3比特（TLC）或4比特（QLC）数据。

闪存的写入和擦除基于量子隧道效应，每个单元可以存储的数据越多，对跃迁到浮栅层的电子数量控制越严苛，写入速度也越慢，所以TLC的闪存性能优于QLC。

当前的3D闪存在结构上跟传统闪存又有所不同。3D闪存的单元排列从水平变更为立体的同时，闪存单元的结构也变为类似于圆柱形，Floating Gate浮栅也被Charge Trap电荷捕获结构代替。

新一代固态硬盘上已经用上96层堆叠技术的3D闪存，而下一代100+层堆叠的闪存也已完成研发并将很快进入量产阶段，在容量、性能和成本上取得新的进步。

总结：DRAM是内存（动态刷新，断电丢数据），SRAM是高速缓存（无需刷新，断电丢数据），Flash（无需刷新，断电不丢数据）通常作为硬盘。从容量上看SRAM<DRAM<Flash，从性能上看则正好反过来。DRAM和SRAM断电后数据会丢失，写入Flash闪存的数据则可以在断电后持续保留。

手机混用闪存到底是真是假？教你查手机闪存型号

来源：太平洋电脑网

最近，网上传言某手机混用闪存，将UFS 3.0和UFS 3.1的闪存混用在了同一型号的机器上，买不同容量的手机，闪存协议不一样。光从这个描述来看，这做法相当不厚道，消费者买手机等于抽奖。

但这到底是不是真的？很多朋友也只是有所耳闻，但却不知道如何验证。今天，就给大家分享一些方法。

方法一：拨号面板输入指令查询

这是适用于部分ROM的方法，例如某些版本的MIUI、EMUI等ROM就可以使用。在拨号界面中，输入“*#*#284#*#*”，系统就会开始生成Debug报告，等待Debug报告生成完毕，整个过程应该不到一分钟。

输入*#*#284#*#*

这个Debug报告包含很多文件，以MIUI为例，这些文件处于手机内部存储的“MIUI\debug_log”目录下。开启这个目录，找到“bugreport-日期时间”文件名格式的zip包，开启这个zip包。

MIUI中的Debug报告

在这个zip包当中，还包含着另一个zip包，它的文件名是“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”。

其中的bugreport压缩包

打开这个zip包，里面有一个和这个zip包同名的txt文件，开启即可。

开启这个txt文件

这个txt文件中，搜索“ffu”的字串，很容易就可以找到闪存型号的信息。例如笔者手中的这部手机，它的闪存型号是“KLUCG4J1ED-B0C1”，制造商是三星。

其中可以找到闪存具体型号

方法二：系统Bugreport查询

这个方法适用于大部分的安卓手机。首先，需要开启安卓机的开发者选项，在设置菜单的系统信息界面，不断点击“版本号”即可开启。

接着，设置界面就多了“开发者模式”的选项，这个选项通常位于“系统”下。进入开发者选项，可以看到“错误报告”的功能，点击后，选择生成报告。

开发者模式下生成bugreport

将bugreport保存到存储空间，或者发送到其他地方

等待一段时间后，系统通知栏就会弹出“已获取错误报告”的信息。点开它，看到了警告信息后，将它保存到系统目录当中。错误报告是一个文件名为“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”的zip包

接下来的操作就和方法一差不多了。在这个zip包里面，找到同名的txt文件，然后在其中搜索“ffu”，就能找到闪存型号。

但也要注意，现在某些厂商默认并不将闪存的相关信息写入Bugreport当中，或者是搜索的关键词不同（例如有的手机要搜“ufs_product_name”），这需要大家亲自尝试了。

方法三：终端命令行查询

安卓系统基于Linux内核，因此想要确认安卓机的一些信息，也可以通过Linux中常用的终端来进行。

首先下载安装一个终端App，这类App非常丰富，这里就不特别提供了，大家可以自行搜寻安装。

在终端中输入以下命令行：“cat /proc/scsi/scsi ”

之后，终端就会呈现出闪存的制造商、具体型号等信息了。

在终端，输入命令行也可以查看到闪存具体型号

不过，这个方法并非什么机器都可以用，某些厂家已经屏蔽了相关信息的调用，就算输入命令也不会返回任何信息，这就看不到闪存型号的信息了。

某手机真的混用UFS 3.0和UFS 3.1闪存了吗？

找到了闪存型号后，要确认对应规格就很容易了，直接通过搜索引擎，或者制造商的官网查找即可。

这次某些朋友是买到了某手机的256G容量的型号，因为闪存跑分略低，被怀疑是UFS 3.0，和宣传的UFS 3.1不符。据了解，对应的闪存型号为“SDINFDK4-256G”，我们就以它为例子，来鉴定一下到底这是什么闪存规格。

网络上受争议的某手机256G版闪存型号

从搜索引擎中，很容易就找到了该闪存的官方规格文件，这里把链接也提供给大家。

西数/闪迪闪存规格文件：https://documents.westerndigital.com/content/dam/doc-library/en_us/assets/public/western-digital/product/embedded-flash/brochure/brochure-western-digital-eis-mobile.pdf

从文件中，很容易就找到了“SDINFDK4-256G”的对应规格。可见这就是UFS 3.1的闪存，宣传并没有错谬。

其实是货真价实的UFS 3.1

至于和128G版本的性能差异，是由于闪存的性能不仅仅和协议有关，NAND也是重要的决定因素——正如同样是PCIe 4.0的SSD，不同型号性能也有高下之分。

总结

总的来说，作为手机中的重要部件，闪存的确很大程度上决定了手机的体验。如果你对闪存信号有疑惑，不妨试试上文的方法，相信可以帮到大家。

电脑手机都用它：一文读懂DRAM、SRAM和Flash原理

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