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镁光 3d nand 英特尔和镁光分道扬镳：不再合作开发下一代3D NAND内存

发布时间 : 2024-10-13

作者 : 小编

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英特尔和镁光分道扬镳：不再合作开发下一代3D NAND内存

【TechWeb报道】1月10日消息，据商业科技新闻网站ZDNet报道，英特尔和镁光宣布，停止合作开发下一代3D NAND内存。

在英特尔首席执行官布莱恩路科再奇（Brian Krzanich）在拉斯维加斯举行的消费电子产品展（CES）上发表主题演讲前，这条消息被宣布。

英特尔和镁光已经在NAND内存开发方面合作了12年，英特尔资助了部分开发成本，而镁光则从NAND的销售中获益。

英特尔利用这一合作伙伴关系，在芯片市场之外拓展了新的多元化产品，并将英特尔芯片与竞争对手区分开来。

然而，两家公司将继续合作完成第三代3D NAND技术的开发，该开发工作将会在今年年底结束。它们还会继续在犹他州的合资生产厂中联合开发和生产3D XPoint存储芯片。

镁光技术开发执行副总裁斯科特路德波尔（Scott DeBoer）表示：“镁光与英特尔的合作由来已久。在未来的NAND内存开发工作中，我们都有自己的发展道路，我们期待着继续与英特尔在其他项目上合作。我们对于3D NAND技术的开发路线很明确，我们打算以领先于行业的3D NAND技术为基础，将极具竞争力的产品推向市场。”

英特尔非易失性内存解决方案部门的总经理和高级副总裁罗布路克鲁克（Rob Crooke）表示：“英特尔和镁光的长期合作使双方受益匪浅。我们现在到了合作开发NAND的一个关键点，即两家公司现在是时候分道扬镳，去追寻各自的市场了。”

对于行业观察者来说，这两家公司分道扬镳并不让人感到惊讶，因为最近几年英特尔和镁光都建立了各自的生产厂。对于镁光的16纳米平面架构NAND工艺，英特尔不感兴趣，并已决定不投资这项技术。

英特尔和镁光一直专注于NAND市场的不同领域。虽然英特尔专注于提供自家的固态硬盘（SSD），但镁光提供固态硬盘和NAND芯片。（小狐狸）

本文源自TechWeb.com.cn

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雷克沙NM760 512GB评测：入门级PCIe40典范

作为一个时髦的游戏玩家，装机你是否还会选择“固态系统盘+机械游戏盘”的组合？回顾固态硬盘逐渐普及的这十几年，不仅容量越来越高，价格也逐步向机械硬盘靠拢，速度却是机械硬盘的几倍甚至十几倍，最直接的体验就游戏加载快到飞起，不仅成为现代PC的标配，甚至还应用在次时代游戏机微软XBOX Series X和索尼PS5中。

现在M.2 NVMe PCIe3.0固态硬盘已取代SATA3产品成为主流，高端产品拥有高达3000MB/s-3700MB/s的读写速率，制约性能提升的瓶颈竟是PCIe3.0的接口带宽。而升级到PCIe4.0新一代的固态硬盘让性能得到进一步释放，价格也趋于合理，例如雷克沙入门级PCIe4.0产品NM760 512GB固态硬盘目前售价仅400元出头。

作为老牌存储产品生产商，雷克沙的存储卡类产品无论是质量、性能还是使用寿命，都给用户留下深刻的印象，旗下的固态硬盘也有着很高的性价比。NM760是雷克沙推出的第二款PCIe4.0固态硬盘，主要面向主流游戏用户群体。

01 细节赏析

雷克沙NM760 512GB固态硬盘包装采用黑色的主色调，上部是白色的Lexar Logo以及NM760产品型号，中部的产品渲染效果图让用户先睹为快，左下角是醒目的5300MB/s的读取速度，整体风格简洁而又透露着沉稳。

雷克沙NM760 512GB采用标准2280规格和M.2接口，可向下兼容PCIe3.0，黑色的PCB基板颇有高级感，正面贴纸设计白色横条上部的数字760标注该固态硬盘所属的系列，下半部分则是品牌和产品型号。

背面贴纸标注了雷克沙NM760的规格信息，包括容量、接口规格和支持的PCIe版本，以及产品S/N码等内容。

雷克沙NM760 512GB采用单面PCB设计，PCB背面没有任何的元件，也没有预留的扩展NAND的焊盘。揭开正面的贴纸即可看到元器件的布局，包括主控芯片、NAND和周边元件，单缺口金手指显示其支持NVMe协议。

主控芯片为SMI慧荣SM2269XTF，内置ARM Cortex-R8双核心处理器，运行频率为650MHz，支持NVMe 1.4和PCIe Gen 4x4接口协议，支持DRAMless技术，采用12nm制造工艺，在提高性能的同时进一步降低了能耗。

存储芯片采用镁光176层 3D NAND TLC，单颗容量256GB，两颗组成512GB规格容量。芯片上的logo显示为江波龙封装。

02 连续性能测试与标称相近随机4k写入是亮点

在CrystalDiskInfo中，可以看到雷克沙NM760 512GB传输模式为PCIe4.0 x4，支持NVMe 1.4标准，闲时状态温度仅为35℃，可见采用12nm制造工艺的主控芯片在温度控制方面确实非常优秀。

下面我们使用CrystalDiskMark和TxBENCH来对雷克沙NM760 512GB进行连续性能测试，通过负载、队列深度和线程进展开对比评判，这也是了解该固态硬盘性能的最直接方式。

经两款软件对比，雷克沙NM760 512GB固态硬盘的连续读取速度达5100~5200MB/s，连续写入速度达到3900~4000MB/s，比采用DRAMless方案的PCIe3.0固态硬盘高出三分之二以上，与官方标称值相近，可见即使是入门级PCIe4.0产品，性能相较于PCIe3.0也有着巨大的提升。

4K随机性能参照CrystalDiskMark的成绩，在QD512的队列深度下，雷克沙Lexar NM760 512GB固态硬盘最大4K随机读取速度达到了1743MB/s，而最大4K随机写入速度高达3208MB/s，换算成数据吞吐量分别是446K IOPS和821K IOPS，写入性能比读取高出近乎一倍。

03 SLC缓存和综合性能测试符合入门级PCIe4.0定位

为提高TLC颗粒的性能，消费级存储行业通常采用SLC缓存模式来实现性能与成本的均衡，对于固态硬盘的普及功不可没。我们搬出老牌硬盘测试软件HD Tune Pro来测试雷克沙NM760 512GB固态硬盘的SLC缓存性能。

由上图可知，雷克沙NM760 512GB固态硬盘在写入的前4/5阶段性能非常平稳的，一直维持在3500MB/s的水平，写入量到达75GB后速度开始减慢，可推断雷克沙NM760 512GB固态硬盘的SLC缓存空间大约在75GB左右。

接下来我们用PCMARK10模拟正常系统运行场景来测试雷克沙NM760 512GB固态硬盘的表现，并以数值的方式直观展现。测试项目为完整系统盘测试，将会向固态硬盘中持续写入240GB数据，持续时间1小时左右。

测试结果，雷克沙Lexar NM760 512GB固态硬盘的成绩为2376，带宽为393.5MB/s，平均存储时间73μs，高于主流的PCIe3.0产品。

最后我们使用3DMARK来测试雷克沙NM760 512GB固态硬盘的游戏性能。3DMARK在去年上线了存储测试DLC，专注于真实的游戏性能测试，通过对《战地风云5》、《使命召唤：黑色行动4》、《守望先锋》三款游戏的载入、保存、安装与录制来评估固态硬盘的游戏性能，官方还给出了四款常见固态硬盘成绩供用户参考。

最终雷克沙NM760 512GB固态硬盘的存储基准测试得分为2371分，平均带宽为412.96MB/s，平均存取时间为77us，介于三星PCIe4.0产品980PRO 500GB和西部数据PCIe3.0高端产品SN750 500GB之间，比较符合其入门级PCIe4.0固态硬盘的定位。

尽管PCIe4.0规范早在2017年就已经发布，但PCIe4.0固态硬盘的普及还是近两年的事。相对于PCIe3.0，PCIe4.0无论是接口带宽还是传输速率都实现了翻倍，即使雷克沙NM760 512GB这种定位入门级的PCIe4.0固态硬盘也达到5200MB/s以上的读取速度，价格仅比PCIe3.0同容量产品贵三分之一左右，成为主流平台升级以及PS5游戏主机扩容理想选择。

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