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nand的生产设备东京电子开发出可生产400层3D NAND闪存的设备

发布时间 : 2024-10-06

作者 : 小编

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东京电子开发出可生产400层3D NAND闪存的设备

IT之家 10 月 17 日消息，东京威力科创 / 东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备 ，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

生产 3D NAND 需要专门的设备，目前主要由美国公司泛林集团控制。IT之家今年 6 月曾报道，东京电子开发出全新蚀刻技术，首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

东京威力科创希望凭借着这项技术挑战泛林集团，与现有方法相比，新的蚀刻方法至少将生产率提高了 2.5 倍。

东京威力科创表示这种技术对环境的有害影响也非常小，公司预估客户安装调试完成之后，可以在未来 2-3 年内开始生产 400 层 3D NAND 存储器；预估到 2027 年该领域产能比今年翻两番，达到 20 亿美元。

东京电子上一财年销售的蚀刻设备价值不超过 39 亿美元，约占其总销售额的四分之一。在新技术的帮助下，该公司预计其核心销售额至少将增加一倍。

去年销售额达到 200 亿美元的半导体行业蚀刻系统市场中，东京电子以 25% 的份额屈居第二，而美国 Lam Research 公司继续领先，占据半壁江山。

过去五年来，东京电子的研发支出增加了 77%，预计今年的研发支出将达到创纪录的 13.4 亿美元（IT之家备注：当前约 97.95 亿元人民币）。

【太平洋科技资讯】 10月16日消息，韩国的三星电子和SK海力士等公司获得了美国政府的无限期豁免，这意味着他们在中国的工厂可以无需特别许可就可以进口美国的芯片设备。这对于三星来说无疑是一个重大利好，他们在获得豁免后已经开始采取相应的行动。

据外媒报道，三星电子的高层已经决定将其位于西安的NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并已经开始进行大规模的扩张。

由于全球IT市场需求低迷，半导体市场疲软严重影响了三星的NAND业务，导致库存水位一直增加，进而导致亏损不断扩大。尽管通过减产政策略降低产量后有所改善，但三星仍然需要尽快实现工艺升级。

消息人士透露，三星已经开始采购最新的半导体设备，预计这些新设备将在2023年底交付，并在2024年陆续引进到西安工厂，用于生产第8代NAND的设备。这一举措被业界视为是三星在全球NAND需求疲软，产能下降的情况下，采取的战略步骤。

通过升级最新的第8代NAND产品，三星不仅可以确保价格竞争力，而且考虑到第8代NAND相比第6代晶圆投入减少约30%，更能平衡市场供应和需求。

据了解，三星(中国)半导体有限公司于2012年在西安高新区设立，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。该工厂在2020年增设了第二期工厂项目，目前已经发展成为全球最大的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆，占据了三星NAND总产量的40%以上。

【知多D】

三星2022年彻底放弃LCD业务，据 TheElec 报道，显示22年 6 月三星将其在美国与 LCD 相关的专利转让给了 TCL 华星。消息人士称，三星显示上个月也将其在韩国的专利转让给了 TCL 华星，其在美国共有 577 项专利被授予。