三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

长江存储已量产232层3D TLC NAND闪存，领先于三星、美光、SK海力士等厂商

长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。

据Tech Insights报道，长江存储的X3-9070已经量产了，除了用于致态TiPlus7100系列SSD，还被用在海康威视的CC7002TB SSD上，这是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案，领先于三星、美光、SK海力士等厂商。

据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。

作为存储大厂，今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+层的3D NAND闪存解决方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，称准备在2022年末开始生产，其采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。三星在上个月宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。

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