性能全面升级 三星V-NAND 870 EVO固态硬盘评测

三星存储近期发布了全新的870 EVO固态硬盘，这款硬盘是上代860 EVO的迭代产品，在性能方面进行了全面升级，同时采用了最新的MKX主控和第六代V-NAND技术，不论是品质还是可靠性都非常出色，而对于消费者来讲，一款大容量兼顾高性能的固态硬盘对于我们日常工作效率有着质的提升。

设计外观：竖版结构 经典延续

外观方面，三星 870 EVO依旧延续了经典的设计风格，包装简洁大气，上面是整个产品的渲染图，同时关键性的信息也一目了然。

除了型号之外，这款SSD的性能可以达到惊人的560MB/S和530MB/S，这是目前SATA3接口理论带宽的最高值，性能领先目前市面上绝大部分的SATA3接口固态硬盘。

三星870 EVO正面是三星的品牌标识，并且还有经典的方块图案，同时黑色的外观也延续了EVO系列的一贯风格，代表着更高的性能和更加优秀的品质表现，辨识度极高，让用户一眼就能认出产品。

接口方面，三星870 EVO采用了标准的SATA接口设计，兼容多种设备，不论是老机升级还是为自己的笔记本电脑扩容，均非常的简单；在安装方面，标准的2.5英寸身材不论是台式机还是笔记本电脑，均能够轻松兼容，同时7mm的厚度，非常地轻薄。

MKX控制器+第六代1XX层 V-NAND+智能缓存

在控制器和NAND颗粒方面，全新的870 EVO采用了最新的MKX控制器，相对于上代控制器全面升级，搭配大容量的独立缓存，能够提供极佳的性能表现，长时间的高负荷运载过程中，三星870 EVO依旧能够表现出色。TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区，显著加快了写入速度，可在数据传输过程中长期保持高性能，在NAND方面，870 EVO使用了三星最新的第六代V-NAND技术，并且经过三星专业的电路设计，相对于第五代V-NAND颗粒，读写性能均有提升，达到560MB/S和530MB/S的连续读取性能表现，同时在持续的随机写入性能提升提升高达30%，综合性能全面升级，并且大幅领先市面上的其他竞品。

另外在可靠性方面，三星870 EVO从内到外，均为三星自主研发设计，为了确保每个元器件的正常运行，搭配1XX层V-NAND颗粒，总写入字节数最高可达2400TB，同时搭配5年有效质保，用户基本不用担心整块硬盘的寿命问题，可以安心使用。

现代待机模式+魔术师软件，优化用户体验便于应用

在Windows 10系统中，三星870 EVO固态硬盘采用了Modern Standby模式，大幅提升我们的使用体验。在电脑待机的时候，整块硬盘的功耗低于5mW，有效节省能源，并且在我们操作电脑的时候，硬盘能够从休眠的状态下，直接进入工作状态，拥有极速的响应，让我们的系统瞬间从休眠状态转换到活跃状态，这项功能非常适合笔记本电脑在电池供电的时候使用，易用性大幅领先同类产品，大幅优化用户的使用体验。

在易用性方面，三星还提供了专业的“三星固态硬盘魔术师”软件，可以实现一键数据迁移，在迁移完成之后，我们所有的文件都将自动备份，并且我们开机之后的桌面图标和文件都将完美复制，让我们零压力更换系统盘，这也是目前市面上唯一一家官方的数据迁移软件，并且这款软件完全免费，非常地贴心，也能够充分彰显三星对于客户痛点问题地精准把握和解决，体现了三星深厚的技术实力和对用户完全负责的态度。

性能测试：读写超560MB/S和530MB/S 性能表现傲视行业

接下来我们对这款硬盘进行性能测试，让大家更好的了解这款硬盘在实际应用时的表现，为大家的选购提供一个客观的数据支持。

本次我们拿到的三星870 EVO容量版本为2TB，通过CrystalDiskInfo软件中我们可以看到，这款硬盘的基本参数，三星870 EVO的实际容量为1.81TB，待机温度为31℃。

CrystalDiskMark是一款测试硬盘综合性能的常用软件，在这个项目的测试中，我们可以看到，三星870 EVO的顺序读取性能为561.7MB/S，顺序写入性能为531.7MB/S，性能表现超过官方宣称的560MB/S和530MB/S，性能表现出色，这样的成绩表现领先目前市面绝大部分的SATA3接口的固态硬盘，基本已经达到SATA 6GB/S带宽的极限，是目前市面上性能表现最出色的SATA接口固态硬盘之一。

在AS SSD Benchmark项目中，我们可以看到，这款硬盘的4K随机写入成绩为84698iops，顺序读取成绩为96567iops，这样的性能表现非常出色，对于我们日常应用来讲，能够获得更快的开机速度及应用打开速度，实际体验更加优秀。

ATTO Disk Benchmark项目中，三星870 EVO的顺序读取性能为562MB/S，顺序写入性能为533MB/S，成绩同样表现出色，也超过了官方宣称的性能，综合表现优秀。

在TxBENCH项目中我们同样可以看到，三星870 EVO的顺序读取性能为563MB/S，顺序写入性能为532MB/S，表现同样是非常出色，意味着其能够满足绝大部分用户的日常使用需求，同时硬盘在测试过程中，完全没有掉盘、掉速和卡顿的情况发生。

最后，我们使用PCMARK 8进行存储测试，这款软件可以模拟硬盘在运行魔兽争霸、战地、Adobe等软件时候的性能表现，最终给出一个综合的分数表现。最后，三星870 EVO的最终得分为5012，运行期间硬盘的平均速度为323.93MB/S，性能表现能够轻松应对目前市面上绝大部分的游戏和软件，成绩优异。

写在最后：三星870 EVO固态硬盘使用了全新的三星自研的MKX控制器和第六代V-NAND颗粒，性能表现相对于上代产品，顺序读写性能分别超560/530 MB/S， 在SATA3接口固态硬盘中处于绝地领先地位；同时这款硬盘提供5年有效质保，让用户完全不必担心售后的问题。综合来看，三星870 EVO是目前市面上可以买到的品质出众、性能领先、容量最大的SATA3接口固态硬盘，不论是笔记本扩容还是老PC升级存储，三星870 EVO都是不二的选择。

目前三星870 EVO固态硬盘已经在苏宁等电商平台开启售卖，2TB版本促销价2099元，并可选全保修3年及整机保4年的增值服务，优惠力度相当惊人，心动的你可千万不要错过哦。

得益于Kioxia的1000层NAND计划 SSD的大规模密度提升指日可待

日本内存制造商 Kioxia 有一些令人鼓舞的消息，可以提高固态硬盘的密度。在首尔举行的国际存储器技术研讨会上，该公司提出了一个雄心勃勃的路线图，即到 2027 年，3D NAND 闪存将达到惊人的 1000 层。但要达到这一目标并非易事。

日本媒体 PC Watch 对 Kioxia 的预测进行了报道，该预测从过去的趋势出发，对现有的 NAND 单元技术进行了改进。该公司预计，三年后 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit/mm²，存储单元层数将达到 1000 层。要实现这一目标，必须保持每年 1.33 倍的增长速度。

3D NAND 的层数在迅速增加，从 2014 年的 24 层增加到 2022 年的 238 层，在不到十年的时间里增加了十倍。去年，SK Hynix 甚至展示了 321 层 1 Tb TLC 4D NAND 芯片样品。

然而，要达到四位数的层数并非易事。据存储新闻网站Blocks & Files 报道，利用 3D NAND 实现更高密度并不仅仅是在芯片上增加层数。每一层都需要一个外露的边缘来实现存储单元之间的连接，从而形成一个类似楼梯的芯片外形。因此，随着层数的增加，阶梯结构所消耗的面积也会大幅增加，从而抵消了部分密度的提升。

为了弥补这一不足，存储器制造商需要在垂直和横向上缩小 NAND 单元，同时过渡到 QLC NAND，与目前的 TLC 技术相比，每个单元封装 4 位。随着层数的增加，通道电阻和信号噪声也会成为成长的烦恼。

虽然 Kioxia 对这些技术障碍提出了合理的解决方案，但在财务方面，这种积极推进的可行性仍然是一个迫在眉睫的问题。

据报道，Kioxia 的生产合作伙伴西部数据（Western Digital）对 NAND 晶圆厂成本膨胀超过收入增长表示担忧。两家公司已经发布了拥有 218 层的 BiCS 8 技术，并讨论了多达 400 多层的 BiCS 9 和 10 技术。不过，1000 层节点似乎是一个雄心勃勃的长期目标，可能会考验西部数据对大量晶圆厂投资的胃口。

Kioxia 将采取何种措施来实现其内存密度梦想，我们拭目以待。这家制造商目前正与三星公司展开激烈竞争，因此 1000 层的目标非常有利可图。与西部数据就未来 NAND 扩展节点的速度和时间进行的艰难谈判可能还在后面。

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