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国内nand量产价格业内同等容量最小芯片尺寸，至讯创新512Mb工业级NAND量产

发布时间 : 2024-10-06

作者 : 小编

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业内同等容量最小芯片尺寸，至讯创新512Mb工业级NAND量产

IT之家 7 月 3 日消息，国内存储芯片企业至讯创新昨日宣布成功量产 512Mb 高可靠性工业级 2D NAND 闪存芯片。

512Mb 的容量使得这款 2D NAND 闪存芯片可同时容纳系统代码和用户数据，为此后的系统代码升级留有足够空间 。

至讯创新表示，这款全新的闪存芯片在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时，对芯片尺寸做了全面优化，实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸 ，“性价比优势凸显”。

▲ 至讯创新工业级 SLC NAND 闪存渲染图

该闪存芯片支持多比特片上 ECC 纠错，拥有至高 10 万次的擦写周期 ，可在-40~+85℃的温度下工作，满足严苛工业级测试，至讯创新也正在对该芯片对应的车规级版本进行验证。

IT之家整理至讯创新近年存储产品发布信息如下：

2022 年 12 月 13 日：国内首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 闪存开发成功；

2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 闪存全面量产。

IT之家 7 月 3 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”（metal wiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。

其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU 等），可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机，此外还计划明年再引进 20 台设备。

除三星电子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。和现有 NAND 工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenum precursor）是固态，必须在 600℃ 的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年 5 月报道，已经启动了首批第九代 V-NAND 闪存量产，位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。

第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。