国产主控已达国际先进水准？这款芯片不容小觑

国内厂商在存储行业进步很快，但总体来说还是被国外公司把控。尤其是在NAND、主控等核心技术上，国内公司的竞争力还有待提升。

此前，国产SSD主控芯片的代表公司之一联芸科技在SATA接口SSD控制芯片及解决方案上取得技术突破，并通过快速成长在全球SSD控制芯片领域中占有一席之地。而近日，联芸科技展示了其最新的MAP100X系列PCIe、NVMe 1.3接口的SSD控制芯片核心技术及解决方案，全面覆盖高、中、低PCIe接口SSD市场，可全面参与全球同规格SSD主控芯片竞争。

据悉，联芸科技MAP100X系列PCIe SSD控制芯片包括三款型号：

高端型号：MAP1001带DDR缓存，支持8CH X 4CE；

主流型号：MAP1003带DDR缓存，支持4CH X 4CE；

高性价比型号：MAP1002不带DDR缓存，支持4CH X 4CE，支持 HMB方案。

NAND适配性：支持所有品牌3D MLC / 3D TLC / 3D QLC颗粒。

接口标准：PCIe 3.0 x 4接口。

制程工艺：均采用28nm工艺制造。

性能：以MAP1001为例（支持800 MT/s接口速度的的3D NAND颗粒）：

提供高达3.5GB/s的连续读取速度，高达3GB/s的连续写入速度，高达800K的随机读取IOPS，以及高达600K的随机写入IOPS。

该系列SSD控制芯片采用联芸科技自主研发的Agile ECC2纠错技术，支持RAID，支持端到端数据保护，支持NAND颗粒自适配技术。支持AES256/SHA256以及SM2/SM3/SM4国密算法，支持先进的电源管理等。

此外，在同等规格PCIe芯片中，联芸科技旗下产品的封装尺寸最小，可实现M.2 2280版型单面可支持4贴152 BGA封装NAND颗粒以及更小尺寸M.2 2242版型SSD产品。

编辑点评

从基本规格参数以及特性来看，联芸科技全新推出的主控芯片放在国际市场中也极具竞争力。在读写速度、封装尺寸以及技术特性支持上都达到了国际先进水准，如果能在实际产品应用中提供稳定、可靠的性能表现，并经过市场检验的话，相信会取得更加出色的成绩。

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东芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

东芝宣布其OEM客户端NVMe SSD的第四次迭代，作为包含SSD控制器和NAND闪存的单个BGA芯片封装提供。 东芝BG4是对BG3的重大升级：东芝的新型96层3D TLC取代了他们的64层NAND，可实现更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代，为更高的顺序I/O性能打开了大门。

BG4仍然是一款无DRAM的SSD，它依赖于NVMe主机内存缓冲区（HMB）功能来缓解无刷驱动器否则会遭受的性能损失。东芝增加了对HMB的使用，增加了SSD存储在主机DRAM中的数据的奇偶校验，即使主机系统不使用ECC内存，也能提供额外的数据保护层。

BG4的固件也经过调整，扩展了可以缓存在主机内存缓冲区中的用户数据映射信息范围，从而提高了复制大文件等用例的性能。这些变化意味着BG4会要求使用更大的主机内存来加速其操作，但所请求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重点是提高随机I / O性能并减少后台闪存管理对交互性能的影响。来自东芝的初步性能数据表明，随机写入性能几乎翻了一番，随机读取性能远远超过BG3的两倍。

东芝BG4容量128 GB，256 GB，512 GB，1TB，外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230单面，接口NVMe PCIe 3.0 x4，顺序读取性能2250 MB/s，顺序写入性能1700 MB/s，4KB随机读取380k IOPS，4KB随机写入190k IOPS。

更改为更宽的PCIe x4主机接口不需要BG4采用比其前辈更大的BGA封装尺寸，切换到96L 3D TLC具有更高的每个芯片容量，允许一些驱动器采用更薄的设计（对并且允许BG系列首次引入1TB容量。东芝是第一家推出采用96L NAND的SSD厂商，看起来BG4将成为第二款开始出货的96L SSD。

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