nand 3bit 3D NAND，可以怎么玩？

3D NAND，可以怎么玩？

相信我们都有所体会，当我们在购买苹果手机时，不同的内存大小价格也差距很大，这个内存指得就是闪存（Flash），苹果是第一家利用闪存来存储数据的公司。闪存又包括NOR Flash和NAND Flash二种，不过NOR Flash的容量较小一般为1Mb-2Gb，而NAND Flash能提供极高的单元密度，可达到高存储密度，适用于大量数据的存储，因此也是主流的闪存技术。从2018年开始，全球大多数的智能手机都已开始使用3D NAND存储芯片，不仅是智能手机，3D NAND芯片在数据中心、云、服务器、SSD、PC等领域也非常受欢迎。

在3D NAND技术推出之前，NAND闪存均为2D平面形式。2D NAND架构的原理就像是在一个有限的平面上盖平房，平房的数量越多，容量也就越大。过往存储芯片厂商将平面NAND中的单元尺寸从120nm扩展到1xnm 节点，实现了100倍的容量。不过随着单元尺寸达到14纳米的物理极限，2D结构在扩展存储容量方面有着很大的局限性（当工艺尺寸达到一定阶段之后，闪存就很容易因为电子流失而丢失其中保存的数据）。

随着2D NAND的微缩达到极限，2007年东芝（现在的铠侠）提出了3D NAND结构的技术理念，3D NAND是行业的一个创新性方向。与减少每个节点单元尺寸的平面NAND不同，3D NAND使用更宽松的工艺，大约介于30 纳米到 50 纳米之间，它通过增加垂直层数来获得更大的存储容量。因此，我们也可以看到，目前主流的存储芯片制造商均在竞相通过增加3D NAND垂直门数，以此来提高存储密度。他们已经规划了下一代3D NAND产品，包括232层/238层，甚至更大到4xx层甚至8xx层。虽说都在盖楼，但是各家盖楼所采用的架构却有所不同。

3D闪存的概念图（图源：铠侠）

架构一：V-NAND，代表厂商：三星

2013年，三星率先推出了V-NAND闪存，其中的V代表Vertical，垂直的意思，这是一种通过垂直堆叠3D空间中的穿孔连接其单元层的解决方案。三星是世界上第一家开发和商业化3D内存解决方案的公司，也为存储器行业创造了全新的范例。

2013年，三星所开发的第一个 V-NAND闪存仅有24层，目前三星的V-NAND已经发展到第八代，它共有200多层。2022年11月7日，三星宣布已开始量产具有200层以上的第八代1 TB的3D NAND (V-NAND)，并计划根据消费者需求将其推向市场。而且三星的目标是到2030年实现1000层。V-NAND闪存不断发展，每一代新的V-NAND都带来了显着的性能提升，以及更低的功耗。

三星86 Gbit 32层第二代V-NAND的横截面

在此，值得一提的是，在V-NAND 128层以前，三星的V-NAND采用的是单层蚀刻技术，它通过圆柱形通道连接电池，能够一次堆叠超过100层，并通过10亿多个孔互连。除了其创新的结构，V-NAND还采用了电荷陷阱闪存 (CTF) 技术来消除单元间干扰。通过在电池中引入非导电的氮化硅层，CTF技术使V-NAND技术免受电荷泄漏和数据损坏的影响。凭借着这一超高纵横比 (UHAR) 孔蚀刻支持的单层技术，三星一直主导着128层的3D NAND。

但是单次刻蚀最多也就到128层，因此，在 128 层设备之外，许多竞争对手采用的都是双层方法，例如美光将两个88层的结构相互堆叠，从而形成一个176层的器件；英特尔的144L 3D QLC设计已经转向了3层堆栈：48 + 48 + 48层，这种方法更容易实施。层数越少，执行HAR蚀刻步骤就越容易。

到了第七代512Gb 176层的TLC芯片，三星开始采用COP（Cell-on-Periphery）结构，后续1Tb 238L TLC产品将是第二代COP TCAT V8 V-NAND。COP结构的存储单元阵列区域位于外围设备上方，但COP结构还是有部分外围设备仍位于单元外部，这意味着必须减少单元阵列以及单元阵列下方和旁边的外围区域，来减小芯片尺寸。

各家存储厂商3D NAND不同架构的比较

（图源：techinsights）

架构二：CuA，代表厂商：美光/英特尔

美光从第一代32层3D NAND就开始采用这种在芯片的外围逻辑上构建其3D NAND阵列的方法，美光将之称为是CuA（CMOS-under-array）。该架构为容量增长、密度、性能和成本改进提供了一种扩展方法。将NAND的位单元阵列堆叠成更多层，每平方毫米硅片提供更多bit，从而实现更高的密度和更低的每bit成本。

2022年7月下旬，美光宣布了其232层3D NAND，据美光称，此232层的3D NAND实现每平方毫米最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2)。面密度比同类TLC产品高35%到100%。据美光的信息，该3D NAND设备分成六个平面（当今市场上的许多NAND设备只有两个平面，也有的前沿设计采用四个平面分区来通道命令和数据流），以实现更高的并行度，从而提高性能。在每个芯片的基础上，增加的并行性通过支持可以同时向 NAND 设备发出更多的读写命令，提高了顺序和随机访问的读写性能。就像高速公路一样，车道越多，拥堵越少，通过给定区域的交通流量就越大。目前美光的232 层 NAND已出货。

232层，2 stack CuA NAND

（图源：美光）

英特尔和美光此前研发了FG CuA 3D NAND，在此科普一下，NAND闪存的存储单元技术大致分为浮栅（FG）技术和电荷陷阱（CT）技术。FG技术存储单元有一个栅极（浮动栅极），它在单元晶体管的控制栅极和沟道之间电浮动，通过向浮动栅极注入电荷（改变单元晶体管的阈值）来写入数据。

此前的2D NAND闪存所使用主流技术正是FG技术，不过随着NAND闪存技术从2D走向3D，除了英特尔-美光联盟外，各大厂商都放弃了FG技术，转而采用CT技术，如上文中提到的三星。采用CT技术的主要原因是CT技术在制造通孔存储器时比FG技术简单。而FG 技术因其卓越的数据保留特性、高温特性和优于CT技术的可控性而受到高度评价。

英特尔-美光联盟开发的3D NAND闪存技术共有三代，第一代是结合了32层内存通孔和TLC（3bit/cell）型多级内存的硅die，内存容量为384Gbit。第二代全面引入了CuA技术,将层数增加一倍至64 层（2个32 层堆叠）的硅芯片，并与 TLC 和 QLC（4 bit/cell）多级存储器技术相结合实现了商业化。第三代达到96层（2个48 层堆叠），存储容量与二代持平，硅面积减少至76%左右。

Intel-Micron联盟的3D NAND闪存技术

（图源：pc.watch）

Intel 第四代的144层转向自研，该NAND string首次在source和bitline之间由三层（upper deck，middle deck，lower deck和48L）组成，并为TLC和QLC设备保留了FG CuA结构。每个deck都可以分配给 QLC 或 SLC 块的任意组合，以充分受益于英特尔在存储系统中的新的block-by-deck概念。

不过英特尔已经退出了3D NAND市场，以90亿美元的价格将该业务出售给了SK海力士。

架构三：BiCS，代表厂商：铠侠/WD/SK海力士

铠侠（Kioxia）和西部数据（WD）正在联合开发名为 BiCS Flash的3D NAND。铠侠的前身是东芝，如开头所述，东芝是世界上第一个发明闪存（1987年）并且提出3D NAND技术的公司。早在Kioxia还是东芝的时候，就与SanDisk建立了闪存合作伙伴关系，后来西部数据收购了SanDisk，东芝成为了Kioxia，两家便成立了合资企业Flash Ventures（FV），成为合作伙伴。FV由WD / Kioxia各拥有50/50的份额，晶圆产能也被分成50/50的份额。

KIOXIA于2007年在学术会议上提出了BiCS FLASH™“批处理技术”的概念。据铠侠对BiCS FLASH™“批处理技术”的解释是：在BiCS FLASH™中，有一个板状电极作为控制栅(下图中的绿色板)和绝缘体交替堆叠，然后垂直于表面同时打开(冲孔)大量的孔。接下来，在板状电极中打开的孔的内部部分填充(堵塞)电荷存储膜(粉红色部分)和柱状电极(灰色部分为柱状结构)。在此条件下，板状电极与柱状电极的交点为一个存储单元。在BiCS FLASH™存储单元中，电子在穿过柱中心的电极（灰色结构）和电荷存储膜（粉红色）之间交换。这样，存储单元不是一层一层地堆叠起来，而是先堆叠板状电极，然后在它们之间开一个孔，连接电极，这样就形成了所有层的存储单元一次性降低制造成本。

BiCs的基本流程

（图源：铠侠）

2015年铠侠&西部数据推出了48层BiCS 3D NAND ，2017年为64层，2018年为96层，2020年达到112层。2021年，铠侠和西部数据宣布了他们的第六代 BiCS 3D NAND 技术，该技术有162层，这也是采用CuA概念的第一款产品。西部数据透露的路线图中显示，下一代“BiCS+”将在2023 年底推出，层数应增加到200多个。

西部数据的NAND发展路线图

（图源：西部数据）

作为全球最主要的NAND闪存公司之一，SK海力士是最后一家开发3D NAND闪存技术的公司。据Tech insights的分析，从2015年到2019年，SK Hynix陆续开发了四种类型的存储单元阵列：2015年至2016年开发的首个存储单元阵列采用类似于Kioxia开发的称为“ SP-BiCS”的单元阵列“ P-BiCS”的结构，似乎是32层；2017年其又开发了存储单元阵列的改进版本—“ DP-BiCS Gen1”，估计为48层；2018年，SK海力士开发了一种名为“ DP-BiCS Gen2”的存储单元阵列，该阵列具有将存储堆栈分为两个“层”（也称为“甲板”）的结构，估计为72层。

SK海力士的3D NAND架构发展

（图源：Tech insights）

架构四：4D PUC，代表厂商：SK海力士

2018年11月，从第四代96层3D NAND开始，SK海力士推出了新的命名法——4D PUC（Periphery Under Cell），PUC是一种将外围电路重新定位到电池底部的技术，如下图所示。尽管有这个名字，该公司并没有在四维空间中创建产品，“4”这个数字所代表的其实是一种先进性（而不是指进入第四维度）。它是3D架构变体的商品名，首批所谓的4D NAND设备提升了CTF（电荷撷取闪存）NAND阵列下的外围电路，从而在芯片上节省更多空间，并进一步降低生产成本。按照SK海力士的说法，与3D相比，4D 产品单位单元面积更小，生产效率更高。

SK海力士对4D NAND的解释

（图源：SK海力士）

98层之后，SK海力士陆续开发出128层、176层3D NAND。2022年8月，SK海力士宣布已开发出世界最高238层4D NAND闪存，也是尺寸最小的NAND，预计2023年上半年开始量产。SK 海力士目前的4D NAND技术现已被公认为行业标准。

PUC架构使得4D NAND允许在固定区域内实现高密度，减小了芯片尺寸，但缺点是堆叠技术可能在未来达到极限。SK海力士计划以多站点电池（MSC）为核心来克服这一障碍，通过微制造将现有电池分成两个较小的电池来存储数据，减少电池堆叠的数量，同时水平扩展电池密度，这也是SK海力士 4D 2.0的技术概念的核心要素之一。

架构五：Xtacking，代表厂商：长江存储

3D闪存中除了存储阵列之外这些外围电路会占据相当大的芯片面积，可以看出，上述这些存储厂商所采用的架构大多是是将外围电路放到存储单元下方。而长江存储所采取的是与其他公司完全不同的方法——Xtacking。

Xtacking技术是把存储阵列和外围电路分开来做，分别在两个独立晶圆上加工，虽然NAND闪存不适合用更先进的制程来加工，但是外围的电路却可以。两部分选用合适的工艺节点完成后，完成的内存阵列晶圆通过数十亿个垂直互连通道(VIAs)连接到外围晶圆。如下图所示，将外围电路位于内存之上，然后通过铜混合键合技术堆叠并连接它们，可实现更高的位密度。但是这种粘合技术仍然很昂贵。

图源：长江存储

总结

迄今为止，主流的3D NAND架构大抵有以上这五种：V-NAND、BiCS、CuA（COP）、4D PUC和Xtacking。然而就像盖高楼大厦一样，简单的堆层数不是最终目的，高楼不仅要高，还要保证可以通过安全高效的电梯轻松抵达，即每个存储芯片内部的V-NAND能否以更快、更高效、更省电的方式继续上升？这就非常考验各家的本领。随着NAND技术的进步，局限性也将浮出水面。

超大动态SLC Cache空间——浦科特M9P Plus 1TB固态硬盘详测

之前买PCIE NVMe SSD用于做系统盘一直都是512GB容量的，最近发现已经不够用了，准备换一个1TB或者2TB的。2TB的目前还比较少，选了一圈之后入手了浦科特新出的M9P Plus 1TB。现在的主流主板上一般都只提供了1-2个支持PCIE NVMe的M.2接口，如果购买了小容量的M.2 SSD之后发现不够用，要再买新的大容量M.2 SSD就很可能要把旧的小容量的舍弃掉，挺浪费的。所以我现在一般都建议人家直接买大容量的，最少是512GB起步。

　　浦科特新出的M9P Plus 1TB的包装风格与之前的M9P几乎一样，正面注明了产品型号和容量，五年质保。包装盒背面注明了不同容量版本的读写速度指标。M9P Plus系列同样是包含了M.2和PCIE两种版本，都提供了256GB、512GB和1TB三种容量供用户选择。从官方公布的各项指标参数来看，M9P Plus与上一代M9P最大的不同就是把M9P上面的Marvell 88SS1093主控升级为更高端的Marvell 88SS1092主控，并且把东芝64层堆叠BiCS3闪存升级为东芝新的96层堆叠BiCS4闪存。256GB和512GB版本的缓存都是512MB，1TB容量的缓存则增加到1GB。不过从标称读写速度来看，1TB版本和512GB版本的性能基本相同，所以512GB版本的性价比也是很高的。

　　浦科特M9P Plus没有采用传统的绿色PCB，而是更换为看上去更为高档一些的黑色PCB。PCB正面是一个主控芯片+两个NAND颗粒+一个缓存芯片。PCB背面没有元件，而产品标签终于被贴到了PCB背面，这对需要安装散热片的用户来说简直是福音，以后不再需要担心失去质保而纠结要不要贴散热片了。说实话，现在很多主板上都提供了M.2 SSD的散热片，而且是作为主板固有配件的一部分，如果不安装的话反而显得主板有所欠缺。M9P Plus采用的把所有芯片集中到PCB单面的设计，更有利于安装散热片。而且只需两个NAND就可以达到1TB容量，估计设计出2242规格的1TB高性能M.2 SSD也不是难事了。

　　主控芯片采用的是Marvell 88SS1092主控。Marvell 88SS1092采用三核心设计，拥有三个主频为500MHz的ARM Cortex R5核心，支持8通道/8CE，支持PCIe Gen 3 x 4 通道、支持NVMe 1.1b、支持SRIS 低功耗特性。Marvell 88SS1092对比Marvell 88SS1093最大的区别在于Marvell 88SS1092主要是针对企业和数据中心而设计的更专业的主控，在固件中增加了掉电保护，而且支持的外置DRAM容量从Marvell 88SS1093的最大2GB提升到了8GB。

　　NAND采用的是东芝新推出的96层堆叠BiCS4闪存颗粒，采用BGA封装，单Die容量512Gb，8die封装，单个颗粒容量512GB，共两颗组成1TB容量，不设OP空间。缓存则是采用南亚的1GB LPDDR3颗粒。

★性能测试★

　　下面就来实测一下浦科特M9P PLUS 1TB的实际性能究竟如何，对比上一代的M9P究竟有什么不同。

一、理论性能测试

　　首先依旧是进行SSD的常规四项测试：AS SSD Benchmark、CrystalDisk Mark、Anvil’s Storage Utilities和TxBENCH。这四个软件都可以测试SSD的最大持续读写速度，AS SSD Benchmark可以测QD64下的随机4K读写速度，CrystalDisk Mark和TxBENCH可以测QD32下的随机4K读写速度，Anvil’s Storage Utilities则可以测QD4、QD16下的随机4K读写速度。这四个软件的优点是测试耗时短、测试数据有一定的参考价值，让用户可以对SSD的基本性能有一个大致的了解。但是这四个软件在默认设置下的测试数据量都是在1G以内，基本上都是在SSD的SLC Cache空间内所进行的测试。所以得出的测试结论与实际应用中的情况存在一定的差距，无法完整反映出一个SSD的实际综合性能，因此还需要结合后面的PCMARK8来综合衡量。

测试成绩汇总对比：

　　在AS SSD Benchmark测试中，浦科特M9P PLUS 1TB的得分为3215分，Anvil’s Storage Utilities的得分为13277分，这两项的得分在PCIE NVMe SSD中属于中上游水平。从测试成绩对比汇总中可以看到，AS SSD Benchmark与Anvil’s Storage Utilities这两项的前几名都被使用群联主控的SSD给包了，不可否认群联主控现在跑分确实很强劲，不过还得结合后面的PCMARK8才能看出一个SSD的综合实战实力。M9P PLUS的速度特点就是单队列深度的随机4K读写速度比较普通，而多队列深度的随机4K读写性能都比较强，因此在读写数据量较大的高负载应用下性能优势会比较明显。

二、模拟实际使用环境性能测试

　　PCMARK8是目前最接近实际使用环境的模拟测试软件，其中的Storage存储设备测试又细分为游戏、办公、图形处理等几个子项目，其测试数据量接近50G，测试的强度远远高于前面的几个小弟弟测试软件，所以PCMARK8的测试成绩比前面常规四项更加能够真实全面的反映出SSD在家用、游戏以及普通办公情况下的实际性能。只不过PCMARK8价格不低，而且Storage测试部分的时间需要一个多小时，所以普通家庭用户一般都不做这项测试，而是更喜欢前面AS SSD Benchmark这样的几款快餐式软件。

　　浦科特M9P PLUS 1TB的最终得分为5108，这个分数在我所测过的PCIE NVMe SSD中排名第一，超过了上一代的使用MLC NAND的M8PE，甚至已经接近使用24GB内存作为SSD缓存时的分数。可以说把TLC NAND SSD的性能又提升到了一个新的高度。在之前的很多对比测试中，TLC NAND SSD借助SLC Cache机制往往能够在AS SSD Benchmark与Anvil’s Storage Utilities等小负载测试软件中达到甚至超过MLC NAND SSD，但是一跑PCMARK8这样的高负载测试软件就被打回原形。而M9P PLUS在PCMARK8的Storage测试子项目中全部都超过了M8PE。因为上代M9PE的实际性能不如M8PE，所以M9P PLUS超过M9PE也就毫无悬念了。这个主要得益于东芝96层堆叠BiCS4闪存颗粒的高性能，以及M9P PLUS所采用的新的SLC Cache机制。在与采用群联PS5012-E12主控的几款高端SSD的对比中也可以看到，Marvell主控虽然在AS SSD Benchmark与Anvil’s Storage Utilities等小负载测试软件中跑分不如群联主控，但是在PCMARK8这种更接近实际使用环境的测试软件中就可以反超群联PS5012-E12主控，而且反超的幅度都还不小。

三、浦科特M9P PLUS 1TB的SLC Cache机制详测

　　对于采用TLC NAND的SSD，肯定是要测试一下SLC Cache机制的，尤其是浦科特M9P PLUS这种采用新的SLC Cache机制而且实战性能很强的盘。SLC Cache技术的原理其实很简单，就是把部分TLC存储空间模拟成SLC来操作，因为SLC为1bit，MLC为2bit，TLC为3bit，所以TLC NAND颗粒的延时更大，写入速度更慢。SLC Cache技术就是把TLC模拟成SLC来使用，写入时只利用TLC NAND 3bit中的1bit，牺牲空间来换取时间，减少延时，提高写入速度。理论上虚拟1GB的SLC就需要3GB的TLC。不同主控的SLC Cache算法不同，各个厂家具体产品的SLC Cache空间大小设置也可以不同。当持续写入的数据小于SLC Cache空间的大小时，在SLC Cache空间内的写入操作都是模拟SLC来进行的，所以速度飞快；而当持续写入的数据大于SLC Cache空间的大小时，就需要把数据写入到非SLC Cache的存储空间内，此时写入速度就会下降为真实的TLC NAND的写入速度，因此写入速度一般就会出现断层式的下降。根据不同主控在算法上和清理缓存能力上的不同，发生SLC Cache空间溢出之后，TLC SSD的写入性能也有很大的不同。

　　我们可以通过HD Tune Pro软件测试来大概的估算一下SLC Cache空间的大小。从测试结果中可以看到，在空盘状态（进行Secure Eraser之后）下使用HD Tune Pro对浦科特M9P PLUS 1TB的持续写入数据量达到大约280G之后，写入速度就出现了断层式的下降。写入速度从一开始的大约1000MB/s迅速下降到550MB/s左右。

　　由此可以看出，M9P PLUS 1TB的SLC Cache空间大小约为280GB，属于超大容量的SLC Cache空间。SLC Cache空间的写入速度大约为1000MB/s，而东芝96层堆叠BiCS4闪存颗粒的实际写入速度也达到了550MB/s左右，超大SLC Cache空间与闪存颗粒的实际高速写入性能这两点保证了M9P PLUS的高性能。

　　而在HD Tune Pro软件把M9P PLUS 1TB全盘持续写满之后，我不给SSD休息的时间马上再使用HD Tune Pro继续多次对M9P PLUS 1TB进行全盘写入，看看在“脏盘”状态下M9P PLUS的性能表现如何。在第二次HD Tune Pro全盘写入开始时，由于全盘都已经被数据填满，所以需要给主控一定的时间对SLC Cache空间进行清理，因此初始写入速度是从550MB/s开始的。随着主控清理出SLC Cache空间的逐渐增大，写入速度也开始提升，等到写入50GB数据时，写入速度恢复到接近空盘时的1000MB/s。随后的写入速度呈锯齿状，在750MB/s到1000MB/s之间波动。此时主控正在不断的努力清理出新的SLC Cache空间，清理出一部分之后就被用于写入，写完之后速度就出现下降。主控马上又清理出一定的空间，所以速度就出现短暂的提升，周而复始。一直到写入512GB数据之后，写入速度降到了550MB/s，可以得知此时的SLC Cache空间大小为512GB。

（第二次全盘写入）

　　第三次全盘写入开始时，写入速度依旧是550MB/s。而此时性能恢复的速度要比第二次时稍慢一些。一直等到写入数据达到750GB/s时，写入速度又重新降到了550MB/s，可以得知此时的SLC Cache空间大小为750GB。

（第三次全盘写入）

　　在第四和第五次全盘写入测试中，初始的写入速度也都是550MB/s，这两次速度恢复的时间要长于前面三次，随后的写入速度也都是呈锯齿状，写入速度在750MB/s到1000MB/s之间波动。不过随后直到几乎又是全盘写满时才出现写入速度的断层式下降到550MB/s。由此可见，浦科特M9P PLUS 1TB在原始状态下的SLC Cache空间大小约为250GB，随着NAND存储空间的不断被占用，主控开始发力，不断的清理出新的SLC Cache空间，因此SLC Cache空间的大小是动态变化的。在反复多次全盘写满之后，主控甚至可以把全盘都整理出来用于SLC Cache空间。

（第四次全盘写入）

（第五次全盘写入）

　　在反复全盘写满之后，我把M9P PLUS重新格式化后拷入大约886GB的数据，也就是说此时几乎是全盘93%的空间被占满，然后用AS SSD Benchmark测得的分数为3209，与空盘状态下几乎没有差别。可见，无论是长期使用的“脏盘”还是几乎被有用数据占满的“满盘”状态，M9P PLUS都不会出现明显的性能衰减。而在没有加装散热片的情况下，经过反复多次的连续全盘写入，在测试过程中，浦科特M9P PLUS 1TB测得的最高温度仅为53℃，这个对比群联PS5012-E12主控绝对是一个非常亮的亮点，群联PS5012-E12主控实在是太热了。

总结：

　　浦科特M9P PLUS对比上一代的M9PE在型号上只是增加了PLUS，而不是直接升级到M10PE，所以一开始我对新型号的性能提升也没抱太大的希望。不过从实际测试结果来看，M9P PLUS比M9PE在性能上还是有不小的提升，PCMARK8的Storage得分突破了5100分大关。这个主要得益于超大动态SLC Cache空间设计和东芝96层堆叠BiCS4闪存颗粒的强悍读写速度。Marvell 88SS1092主控的固件上还增加了掉电保护功能，因此M9P PLUS在整体性能上确实要比使用Marvell 88SS1093主控的M9PE更强大。对比其他采用群联PS5012-E12主控的高端PCIE NVMe SSD产品，浦科特M9P PLUS虽然在AS SSD Benchmark和Anvil’s Storage Utilities这些快餐式测试软件的跑分中处于劣势，但是在更接近实际使用环境的PCMARK8测试中是完胜对手。另外就是Marvell 88SS1092主控的发热量真的要比群联主控小太多了，即使没加散热片时的温度也非常喜人，不会因为高温而出现降速保护的情况。