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nand型闪存价格成本上涨20% 左右，国产二三线SSD品牌厂家已陆续开始涨价

发布时间 : 2025-02-25

作者 : 小编

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成本上涨20% 左右，国产二三线SSD品牌厂家已陆续开始涨价

IT之家 9 月 6 日消息，TrendForce 最新研究显示，近期 NAND Flash 现货市场颗粒报价受到 wafer 合约价成功拉涨消息带动，部分产品项目出现较积极询价需求。

TrendForce 调查发现，此次涨价主要起因于 8 月下旬 NAND Flash 原厂进一步与部分中国指标模组厂涨价，这表明原厂不愿再低价卖货，从而带动 Wafer 现货市场近期出现短期涨势。

现有渠道商在博板堂爆料称：上游 NAND 晶圆颗粒成本价已上涨 20% 左右，导致国产二三线 SSD 品牌厂家近期陆续开始执行涨价措施。

受上游 NAND 晶圆颗粒的价格上涨，以及贸易商出货报价抬高，成本价格大概已上涨 20% 左右，国产二三线 SSD 品牌厂家近期已经陆续开始执行涨价。

有些品牌上月底已小涨，有的品牌计划 9 月份开始执行涨价，首次成本价格上涨预计约达到 10% 左右，整体上涨幅度可以达到 15% 以上。预计多数品牌可能选择几轮的涨价策略陆续执行，主要看市场需求以及终端的接受度而定，如果市场需求过差持续上涨可能受阻。

IT之家早前曾报道，三星电子此前计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备，并暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价。

此前据外媒 BusinessKorea 报道，在市场需求未明显好转的情况下，三星电子和 SK 海力士正面临不小的压力，库存依旧处在高位，下半年考虑将继续减产。

而当下产业预估的情况是“存储芯片价格明年年初会上涨”，不过外媒表示，若价格跌势未能按预期扭转，相关产业产品“涨价的时间点将不可避免地延后”。

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

TrendForce最新预测显示，第二季度DRAM合约价格预计将上涨13-18%，NAND Flash合约价格则调整为15-20%，只有eMMC/UFS的价格涨幅较小，约为10%。

在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。

地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。

TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。

随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。

成本上涨20% 左右，国产二三线SSD品牌厂家已陆续开始涨价

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

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