nand器件频率 SK海力士宣布量产4D NAND：最高堆叠128层

SK海力士宣布量产4D NAND：最高堆叠128层

在距离96层4D闪存量产8个月后，SK海力士宣布已经成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，实现业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元。新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128MB)，容量是96层堆叠的1.4倍。

包括SK海力士在内多家闪存厂商都研发出1Tb QLC闪存，但单颗TLC闪存1Tb还是第一次。为了实现这个指标，SK海力士应用一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术等。

SK海力士将在下半年批量出货128层1Tb 4D闪存，同时计划在2019年上半年开发下一代UFS 3.1闪存，将1TB手机所需的闪存芯片数量减半，同时将封装厚度控制在1毫米，并降低20%的功耗。SK海力士的新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级固态硬盘。

SK海力士计划在2020年上半年量产2TB消费级固态硬盘，采用自研主控和软件;16TB、32TB的企业级NVMe固态硬盘会2020那年宣布。

SK海力士的4D NAND闪存技术是2018年10月份公开的，4D指的是单芯片四层架构设计，结合3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞，有助于缩小芯片面积。利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然增加三分之一的层数，但制造工艺步骤减少5%、整体投资也降低60%。

SK海力士下一代176层堆叠的4D NAND闪存也已经处于研发阶段，至于何时发布目前并没有确切消息。

Q3量产，SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 40”

作为业界最高性能产品，将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40% “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”

2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。

SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化”。公司还强调，通过此产品，继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND闪存领域公司将引领面向AI的存储器市场。

ZUFS按数据的各自特性来区分管理智能手机应用程序生成的数据。与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。

由此ZUFS将在长期使用环境下手机应用程序的运行时间与现有UFS相比改善了约45%。而且，ZUFS在存储读写性能下降方面实现了4倍以上改善效果，从而产品的使用寿命也提升了约40%。

公司早就预测对高性能NAND闪存解决方案的市场需求有望发生，从AI热潮来临前的2019年开始与全球平台企业协作开发ZUFS。

SK海力士给客户提供初期试产品，而基于此试产品规格与客户协作开发出符合JEDEC*标准的4.0产品。公司将于今年第三季度开始ZUFS 4.0产品的量产，并且量产品将搭载于全球手机公司向后推出的端侧AI手机。

SK海力士NAND闪存解决方案委员会（N-S Committee）担当副社长安炫表示：“随着科技巨头企业专注于开发搭载自研的生成式AI的端侧，对此所需存储器的性能要求日益提高。公司将及时供应符合客户要求的高性能NAND闪存解决方案，同时加强与全球领先ICT企业的合作伙伴关系，巩固公司“全球顶级面向AI的存储器供应商”的地位。”

*端侧（On-Device）AI：在设备本身上实现人工智能运行，而非依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行运算，可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。

**ZUFS（Zoned Universal Flash Storage）：基于数码相机、手机等电子产品上所适用的通用闪存存储（UFS）改善数据管理效率的新产品。其产品将具有相似特征的数据存储在同一个区域（Zone）的方式有效管理数据，以此优化操作系统和存储之间的数据传输。

*JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)：国际半导体器件标准组织，该组织决定半导体期间的规格。