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NAND芯片修复损坏的SD卡原来还可以这样修复

发布时间 : 2024-12-26

作者 : 小编

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损坏的SD卡原来还可以这样修复

现在很多现代的NAND闪存设备都采用了一种新型的架构，将接口、控制器和存储芯片集成到一个普通的陶瓷层中。我们称之为一体结构封装。

直到最近，所有的存储卡，如SD、索尼的MemoryStick、MMC等，都包含了一个非常简单的"经典"结构，其中包含了独立的部分——一个控制器、一个PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND内存芯片。

在这种情况下，恢复的整个过程非常简单——我们只是解焊了内存芯片，用PC-3000 FLASH直接读取它，并与普通USB闪存驱动器做了同样的准备。

但是，如果我们的存储卡或UFD设备是基于一体封装架构的，我们该怎么办呢?如何访问NAND内存芯片并从中读取数据?

基本上，在这种情况下，我们应该尝试通过擦除涂层的陶瓷层，在我们的一体封装装置的底部找到特殊的技术引脚。

在开始处理一体FLASH数据恢复之前，我们应该警告你，一体FLASH器件焊接的整个过程很复杂，需要良好的焊接技能和特殊设备。如果您之前从未尝试过焊接一体FLASH器件，那么最好在一些数据不重要的配件在设备上尝试您的技能。例如，您可以购买其中的几个，以测试您的准备和焊接技能。

您可以在下面找到必要设备清单：

当所有的设备都准备好进行焊接时，我们就可以开始生产了。

首先，我们使用我们的一体FLASH设备。在我们的例子中，它是小的microSD卡。我们需要用双面胶把这张卡片固定在桌子上。

之后，我们开始从底部擦掉陶瓷层。这个操作需要一些时间，所以你应该非常耐心和小心。如果你损坏了引脚层，数据恢复将是不可能的！

我们从粗砂纸（最大尺寸的砂）开始 – 1000或1200。

当第一大部分涂层被去除时，有必要将砂纸更换为较小的砂粒尺寸 – 2000。

最后，当触点铜层变得可见时，我们应该使用最小的砂粒尺寸 – 2500。

如果你正确地执行所有的操作，最后你会得到这样的东西：

下一步是在我们的全球解决方案中心搜索引脚。

要继续使用整块，我们需要焊接3组触点：

（1）数据I / O触点: D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7;

（2）指令触点: ALE, RE, R/B, CE, CLE, WE;

（3）电源触点: VCC, GND.

首先，您需要选择一体FLASH器件的类别（在我们的例子中为microSD卡），之后您必须选择兼容的引脚排列（在我们的例子中为2型）。

之后，我们应该将microSD卡固定在电路板适配器上，以便更方便地焊接。

在焊接之前打印出一体FLASH器件的引脚排列方案是个好主意。你可以把这个方案放在你的旁边，这样当你需要检查引脚数组时，它就在眼前。

我们准备开始焊接过程了！确保工作站有足够的光线！

在小刷子的帮助下，将一些液体活性助焊剂滴在microSD引脚触点上。

在湿齿镐的帮助下，我们应将所有BGA锡球放置在引脚排列方案上标记的铜引脚触点上。最好使用尺寸为触点直径约75％的BGA锡球。液体助焊剂将帮助我们将BGA球固定在microSD卡表面上。

当所有的BGA锡球都放在引脚上时，我们应该使用烙铁来熔化锡。小心！轻轻地执行所有动作！为了熔化，请用烙铁头轻轻触碰BGA锡球。

当所有的BGA锡球都熔化后，你需要在触点上放一些BGA助焊剂。

使用热风枪，我们应该加热+ 200C的温度我们的引脚。BGA助焊剂有助于在所有BGA触点之间分配热量并小心地熔化它们。加热后，所有触点和BGA锡将采取半球形式。

现在我们应该在酒精的帮助下去除所有的助焊剂痕迹。您需要将它洒在microSD卡上，并用刷子清洁它。

下一步是准备铜线。它们的长度应相同（约5-7厘米）。为了切割相同尺寸的电线，我们建议使用一张纸作为长度测量仪。

之后，我们应该借助手术刀从电线上去除隔离漆。从两侧稍微划伤它们。

电线准备的最后一个阶段将是松香丝镀锡的过程，以便更好地进行焊接。

现在我们准备开始焊接电路到我们的电路板。我们建议您从电路板的侧面开始焊接，然后在显微镜的帮助下，继续将电线的另一侧焊接到单片器件上。

最后，所有电线都焊接到电路板上，我们准备开始使用显微镜将电线焊接到microSD卡上。

这是最复杂的操作，需要很多耐心。如果你觉得你很累 – 休息一下，吃一些甜的东西，喝一杯咖啡（血液中的糖会帮助你的手不要动摇）。之后，开始焊接。

对于右撇子，我们建议右手拿烙铁，而左手拿镊子用铜线。

你的烙铁应该是干净的！不要忘记在焊接时不时清理它。

当所有触点都焊接完毕后，确保没有任何一个触点连接到GND层！所有的针脚必须非常紧固！

现在我们准备将我们的电路板连接到PC-3000FLASH，并开始读取过程！

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NAND产品涨超10%！存储巨头再度调涨存储芯片报价最快本月生效

据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格 。

今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。

如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点 。

SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20% 。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。

10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺 。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。

目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价 。

从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。

总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。

本文源自科创板日报

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