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nand构成not 一文带你了解闪存产品的核心——NAND闪存芯片的分类

发布时间 : 2024-10-10

作者 : 小编

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一文带你了解闪存产品的核心——NAND闪存芯片的分类

我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。

NAND闪存，是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门(NOT-AND)，用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。它可以分为SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我们具体了解一下。

稳定性对照

耐力对照

SLC

SLC(Single-Level Cell，单层单元)SSD在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术。当然，它的价格最高。

MLC

考虑到闪存的消费级特性，MLC(Multi-Level Cell，多层单元)架构可以为每个单元存储2个Bit。尽管在存储单元中存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。相对而言，MLC SSD使得在PC和笔记本电脑上增加闪存成为可能。

eMLC

eMLC(Enterprise Multi-Level Cell，企业多级单元)是MLC NAND 闪存的一个“增强型”的版本，它在一定程度上弥补了SLC和MLC之间的性能和耐久差距。eMLC驱动器比MLC驱动器贵，但比SLC驱动器便宜得多。尽管每个单元仍然存储2个Bit，但eMLC驱动器的控制器管理数据放置、磨损均衡和一些其他存储操作延长了eMLC SSD的使用寿命。

TLC

相较于SLC和MLC的Nand闪存，最便宜的是TLC(Triple-Level Cell，三层单元)NAND闪存，每个单元存储3Bit。通常用于性能和耐久性要求相对较低的电子产品，最适合于包含大量读取操作的应用程序，但是随着闪存体系结构的最新改进，3D TLC NAND Flash对持久增强的数据放置和错误纠正技术，使该技术在读密集型企业存储应用程序和工业存储环境中开始了批量使用。

总而言之，每种类型的NAND闪存都有不同的使用寿命，这意味着它会在SSD降级并最终失效之前提供有限数量的P/E周期。当然，除了制造缺陷，电力激增或其他灾难性的破坏可能导致SSD的失效，这是决定SSD支持的存储工作负载和应用程序类型的主要影响因素。

你了解FLASH吗？

@人人能科普，处处有新知FLASH的发展历史FLASH闪存是是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，其名字有闪耀，闪烁的意思，也体现了其读写快速的特点，“读写过程一闪而过”。

首先简单介绍一下FLASH的发展过程。

1.在计算机的发展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只读存储器)中。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,就不能再作任何修改。并且由于ROM是在生产线上生产的,成本高,一般只用在大批量应用的场合。

2.由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了PROM(Programmable ROM,可编程ROM)。用户可以用专用的编程器将自己的资料写入,但是这种机会只有一次,一旦写入后也无法修改。并且其成本比ROM还高,而且写入资料的速度比ROM的速度要慢,一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

3.EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了ROM、PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片可以重复的擦除和写入，但是EPROM的擦除和写入都需要专用的擦除器和编程器。

4.后来针对EPROM擦除写入必须使用专用设备的弊端，出现了EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。

5.FLASH ROM在使用上很类似EEPROM,因此,有些书籍上便把FLASH ROM作为EEPROM的一种，这可以称为广义EEPROM，而狭义的EEPROM则将二者分开。事实上,二者还是有差别的。FLASH ROM在擦除时,也要执行专用的刷新程序,但是在删除资料时,并非以Byte为基本单位,而是以Sector(又称Block)为最小单位,Sector的大小随厂商的不同而有所不同;只有在写入时,才以Byte为最小单位写入; FLASH ROM的存储容量普遍大于EEPROM。

FLASH的一些基本概念。

完整的FLASH芯片称为device一个device可能包含1个或多个die（LUN），die是具备完整flash芯片功能的模块，对比含1个die的device，区别在于没有封装的就是die，封装后的就是device。Die内可以含多个plane，每个plane具备独立的读、写、擦除功能，但多个plane可以公用控制逻辑寄存器，即在die内，可以同时对多个plane进行相同的操作Plane下最小擦除单元就是block，一个block包含多个page，所有串在同样BL下的page组成一个block。

Page是能够执行编程和读操作的最小单元，同一根WL上的所有数据即page，WL即page.Cell是Page中的最小操作擦写读单元，对应一个浮栅晶体管，可以存储1bit或多bit数据。

FLASH层次结构图

根据FLASH内部存储结构划分，可以将FLASH划分为两类：NOR型和NAND型。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

从字面意思理解，NOR就是NOT OR，就是或非门，因为对于NOR型FLASH来说，只有当字线和位线都为低时，对应的存储单元的数据才是高。

NAND就是NOT AND，就是与非门，因为只有当字线都为高时，位线才为低。对于什么是位线，什么是字线，请看下面两张图，

WORD对应的就是字线，Bit对应的就是位线。