三星2024年底量产256GB CXL 20内存模块，基于1y nm DRAM

IT之家 7 月 18 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子内存部门新业务规划团队负责人 Choi Jang Seok 今日表示，三星将在今年底开始量产符合 CXL 2.0 协议的 256GB CMM-D 2.0 模块。

该内存模组将配备较为成熟的 1y nm（第二代 10+ nm 级）工艺 DRAM 内存颗粒，发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势 。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。

除 CMM-D 外，三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品，包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。

Choi Jang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品，其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力 。

展望未来，Choi Jang Seok 称：“当 CXL 3.1 和池化（IT之家注：可在多个主机间共享 CXL 内存资源）技术得到支持后，CXL 市场将在 2028 年左右全面开花 。”

芯片知识：DRAM与NAND区别

我们常听到内存芯片，比如DRAM、NAND等，这两种有什么区别呢？

1、DRAM全名动态随机存取存储器，只能短时间保存数据。为了保存数据，DRAM使用电容存储，所以必须每隔一段时间刷新一次。如果存储单元没有被刷新，存储的信息将会丢失。(关机时数据会丢失)。

2、NAND闪存是一种比硬盘更好的驱动器，是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，其目标是降低每比特的存储成本，提高存储容量。

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