华大九天：2023年推出存储电路全定制设计全流程EDA工具系统，全资子公司芯达科技支持DRAMNAND Flash产品开发

金融界4月1日消息，有投资者在互动平台向华大九天提问：公司在存储芯片市场有哪些布局？全资子公司芯达芯片在存储芯片领域的客户是三星、 SK海力士吗？子公司芯达科技是不是已向三星、 SK海力士等客户提供 DRAM/NAND Flash产品？

公司回答表示：2023年公司推出了存储电路全定制设计全流程 EDA 工具系统。该系统包括存储电路原理图编辑工具、存储电路版图编辑工具、电路仿真工具、存储电路快速仿真工具、存储电路物理验证工具、存储电路寄生参数提取工具和存储电路可靠性分析工具等，为用户提供了从电路到版图、从设计到验证的一站式完整解决方案。全资子公司芯达科技从事存储器/IP特征化提取工具的开发，该工具支持DRAM/NAND Flash产品开发。

本文源自金融界AI电报

案例分析，NAND FLASH流水实现高速存储

流水技术原理

所谓流水线处理，如同生产装配线一样，是将操作执行工作量分成若干个时间上均衡的操作段，从流水线的起点连续地输入，流水线的各操作段以重叠方式执行。这使得操作执行速度只与流水线输入的速度有关，而与处理所需的时间无关。这样，在理想的流水操作状态下，其运行效率很高。

如果某个设计的处理流程分为若干步骤，而且整个数据处理是单流向的，即没有反馈或者迭代运算，前一个步骤的输出是下一个步骤的输入，则可以采用流水线设计方法来提高系统的工作效率。

利用流水线的设计方法，可大大提高系统的工作速度。这种方法可广泛运用于各种设计，特别是大型的、对速度要求较高的系统设计。虽然采用流水线会增大资源的使用，但是它可降低寄存器间的传播延时，保证系统维持高的系统时钟速度。在实际应用中，考虑到资源的使用和速度的要求，可以根据实际情况来选择流水线的级数以满足设计需要。

下面我们以房屋装修为例展示一下流水线的流程，如图3-7所示。

图3-7 房屋装修流水线示意图

房屋装修分4个步骤，分别是水电改造、木工上场、瓦工上场和油工上场。

如果设计团队由4个人员组成，那么在装修A小区某房屋的时候，需要按照上述出场顺序工作。水电改造工人完成A小区的工作后，可以去B小区某房屋工作，B小区工作完毕后，再去C小区工作。同理，木工、瓦工和油工也是如此。

我们可以得出结论，从水平方向上看，对于某个小区的房屋，需要四个人顺序出场;但是基于某个特定人员，在整个平面上来看，在平面方向上是排满饱和的。

所以基于团队，用流水线的方式确保了高效率，每个人工作量饱满，收益最大。

案例：NAND FLASH流水实现高速存储

NAND FLASH的详细介绍见第9章。

我们知道，NAND FLASH的特点是读/写速度比较慢。

以写为例，写数据后，必须有长时间的编程等待时间，编程结束之后，才能进行下一次写数据过程。

例如：K9K4G08UOM这款芯片的最大写入时间(编程时间)为700 μs，写数据阶段的时间为125 μs(2 Kb/16 M，假如用16 MHz时钟，一次写入2 Kb个数据)。评估一下有效的写入速率为2 Kb/(125 μs+700 μs)=2.42 Mb/s。

我们可以利用流水线技术来提高读/写速度，如图3-8所示。

图3-8 FLASH控制器流水线式进行写操作

示例中，我们用了5片芯片，为写入时间(编程时间)分配了800 μs的时间，为写数据分配了200 μs时间，组成了5级流水。第一片芯片写数据结束、编程等待的时候，对第二片芯片进行写数据，第二片芯片写数据结束、编程等待的时候，对第三片芯片进行写数据，以此类推，第五片芯片写数据结束后，重新对第一片芯片进行写数据。

重新评估一下写入速度为2Kb/200 μs=10Mb/s。

当然，上面的计算是为了方便读者理解来设定的，目的是让800 μs成为200 μs的整数倍，图片看上去美观一些。实际上我们还是用125 μs来进行写数据，写入速度接近16Mb/s。

在大容量存储类的项目中，不止使用流水线技术，还采用并行工作方式，优化之后的速度能达到几百兆。

以上介绍的为FLASH写阶段的流水线过程，读和擦除也可以利用流水线技术，此处不展开论述。

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