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nand硬盘芯片 外媒曝光:金士顿 NV1 固态硬盘混用主控芯片,QLC TLC 闪存
发布时间 : 2025-04-10
作者 : 小编
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外媒曝光:金士顿 NV1 固态硬盘混用主控芯片、QLC TLC 闪存

IT之家 12 月 30 日消息,金士顿 NV1 固态硬盘定位入门级别,采用 PCIe 3.0 界面,1TB 容量售价 589 元。外媒 techpowerup 发现,这款固态硬盘最新批次采用的主控芯片与之前不同,产品混用了慧荣和群联的主控,不同容量的版本也混用 QLC、TLC 闪存。

外媒买到了一条 1TB 容量 NV1 SSD,揭开标签后发现产品使用了慧荣 SM2263XT 主控,闪存芯片为美光 96 层堆叠的 QLC NAND。

▲ 不同的 NV1 硬盘实拍对比

其它几家评测机构的金士顿 NV1 固态硬盘,采用了群联 PS5013-E13 主控芯片,有着 QLC、TLC 不同的闪存。群联和慧荣这两款主控芯片均兼容 TLC、QLC 闪存,但是具体哪种容量采用 TLC 则未知。

根据目前网络上的评测结果,金士顿 NV1 固态硬盘顺序写入速度约为 2200MB / s,顺序读取速度约为 1700MB / s。目前没有证据表明,金士顿 NV1 固态硬盘混用主控的做法,会使得产品性能受到影响。

IT之家了解到,目前金士顿 NV1 SSD 提供 250GB 至 2TB 容量可选,2TB 版本售价 1179 元。官方标称的产品寿命符合 QLC 闪存的特点,官方提供三年有限保固服务,具体的条件也根据剩余寿命进行判断。

ATP推出N651Si系列E1S接口PCIe 40×4工业宽温固态硬盘

IT之家 7 月 8 日消息,台湾地区工业级存储企业 ATP 今日推出了 N651Si 系列工业宽温固态硬盘。

该固态硬盘

专为 1U 边缘服务器设计 ,采用新兴的 EDSFF E1.S 接口,厚度为 9.5mm,支持 -40℃~+85℃ 工作温度范围。

ATP 的 N651Si 系列固态硬盘支持 PCIe 4.0×4 接口和 NVMe 1.4 协议,搭载 512Gb 颗粒容量的 176 层 3D TLC NAND 芯片。

速度方面,N651Si 固态硬盘顺序读写可达 6100/6000 MB/s,随机读写可达 870K / 1200K IOPS。

ATP N651Si 固态硬盘容量为 960GB~7.68TB,拥有 5 年内 1 DWPD(IT之家注:每日全盘写入次数)的耐久,即使擦写周期已达到 100% P / E,也能在 55℃下保存一年数据

此外该固态硬盘搭载硬件 + 固件断电保护方案,使用时突发断电不会导致数据丢失或损坏。

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