国家存储器基地项目二期在武汉开工 湖北省委书记宣布开工省长致辞

瓢泼大雨挡不住湖北省重大项目建设的热潮。6月20日上午，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞。

国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层三维闪存芯片。

王晓东代表湖北省委、省政府对项目开工表示祝贺，对长期以来关心支持湖北发展的国家部委和社会各界表示衷心感谢。他说，国家存储器基地项目二期开工，是落实中央支持湖北一揽子政策的具体行动，也是强化湖北疫后重振重大项目支撑的有力举措，必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”，为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。 湖北虽然遭受疫情前所未有的冲击，但经济长期向好的基本面没有改变，多年积累的综合优势没有改变，在国家和区域发展中的重要地位没有改变。项目此时开工，彰显了投资方的远见卓识和对湖北发展的坚定信心。 湖北、武汉各级各部门将全力以赴为项目创造最好条件、提供最好服务，有呼必应、无事不扰，在项目推进、要素保障、配套服务等方面当好贴心“店小二”，把项目打造成湖北高质量发展的样板工程、标杆工程， 展现湖北一流的营商环境，汇聚更强的发展预期和信心。

紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他说，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。雄关漫道真如铁，而今迈步从头越。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。

湖北省领导黄楚平、王忠林、曹广晶，武汉市市长周先旺，紫光集团联席总裁、长江存储执行董事长刁石京等参加活动。王忠林主持开工活动。曹广晶宣读了国家有关部委的书面致辞。

武汉发布全球首款128层QLC存储芯片，独拥三个“最”

今天上午长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存宣布在武汉光谷研发成功这是全球首款128层QLC闪存

目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。

3D NAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体芯片能够容纳更多倍数据量。

尽管这颗存储芯片不到芝麻大小，却内藏乾坤，拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后，三维闪存新的技术形态，具有大容量，高密度等特点，适合于读密集型应用。TLC的每个“存储细胞”可存3bit数据，而QLC的每个“细胞”能存4bit数据。这些“存储细胞”加起来，能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33Tb，相当于1362Gb。

得益于“存储细胞”的不断扩容，以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局，此次先于业界发布的128层闪存芯片“X2-6070”，拥有业界最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0，进一步释放了三维闪存的潜能，128层QLC闪存芯片才得以快速突破。

“从64层量产至128层研发成功，仅相隔了7个月，还有一半时间是在疫情之中。”长江存储首席执行官杨士宁表示，作为闪存行业的新进入者，长江存储用短短3年时间，将中国的三维存储芯片推向了128层高度。“这是数千名研发人员汗水的凝聚，也是全产业上下游通力协作的成果。”

闪存和固态硬盘领域市场研究公司认为，QLC技术降低了NAND闪存单位字节的成本，更适合作为大容量存储介质。128层QLC闪存将率先在大容量U盘，闪存卡和固态硬盘中普及，并将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，广泛用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。

武汉广播电视台出品

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