兆易创新：NOR、NAND、DRAM三剑齐发

根据摩根斯坦利发布的报告，今年第二季度时，NOR Flash的库存为60天左右，到现在为止NOR Flash的库存应该消耗得差不多了。也就是说第三季度NOR Flash产品基本会达到供需平衡，甚至需求超过供给。

近日，在2019中国闪存峰会期间，兆易创新代理总经理何卫表示，乐观看待公司第三季度的成长，目前兆易的确感受到NOR Flash需求的回升，甚至出现产能紧张的情况。我们看到，近年来，兆易创新形成了MCU+存储+传感器的产品线生态，尤其存储的布局已经从NOR Flash、NAND Flash逐渐延伸至DRAM。何卫认为这是面对终端应用需求的必然。

兆易创新代理总经理何卫

NOR Flash做为通用型器件应用广泛，兆易创新重点专注6大应用领域，产品种类多样，例如宽电压、低功耗、高性能、大容量以及安全等针对不同特性已形成非常全面的产品体系。

十多年NOR Flash市场的深耕，何卫认为兆易创新最大的优势即专注，正因为专注，在市场旺盛时才能抓住机会。

2017年以来NOR Flash市场发生巨大的变化，美光、Cypress退出中低容量NOR Flash市场，这部分订单转向兆易创新等厂商，需求爆发与价格向好令兆易创新收获良多。

但从去年Q4到今年Q1，受贸易战、需求放缓、信心不足等影响，市场环境不太景气；直到今年3月份之后，尤其Q2、Q3兆易创新的订单量逐渐提升。何卫表示，兆易创新一直在根据市场需求调整产品结构，提升产能供给，例如物联网、可穿戴应用需求非常旺盛，会适当调配产能。值得注意的是当前NOR Flash回暖的反弹力道比较猛烈，这也造成了市场供需矛盾突出，存在潜在的涨价和缺货预期。

今年， TWS耳机成为NOR Flash出货量的热点市场。据了解，每颗TWS耳机均需要一颗NOR Flash用于存储固件及相关代码。根据智研咨询预计2018-2020 年全球 TWS 耳机将实现高速增长，出货量分别达到 6500 万台，1 亿台和1.5 亿台，年复合增速达 51.9%。TWS 耳机要实现主动降噪、语音识别等功能则需要128Mb/256Mb NOR Flash基至更高容量。兆易创新今年在这些市场取得较好的成绩。

根据CINNO Research产业研究报告显示，兆易创新第二季度NOR Flash业绩环比成长45%至7600万美元，继Winbond、Macronix和Cypress之后，一跃占据市场第四名的位置。兆易创新NOR Flash产品累计出货量已经超过100亿颗，2018年出货量超20亿颗。

出于对市场发展的准确把握和产品的精准定位，今年兆易创新在海外市场的业绩呈现爆发性成长。何卫告诉电子发烧友网记者，公司在海外市场已经布局三四年的时间，主要覆盖日本、韩国、中国台湾和欧美等地区，围绕手机和消费类市场进行开拓。今年取得较好的收获，是良好的开端，未来还将不断加大拓展海外市场。

在最难进入的汽车前装市场，今年兆易创新的GD25全系列SPI NOR Flash产品完成AEC-Q100认证,主要用于汽车前装市场和车规产品。我们知道汽车前装导入周期比较长，兆易创新为此准备了三年时间，如今不仅通过了认证，而且已经导入了仪表盘、车载摄像头模组、ADAS等汽车应用。何卫表示，兆易创新在汽车市场将呈现跨越式的成长。

未来，随着5G建设今年预商用，明年正式商用，必将带来NOR Flash新一轮的需求高速增长。

兆易创新NAND Flash产品，38nm SLC制程产品已稳定量产；具备业界领先的性能和可靠性，并将进一步推进24nm制程产品进程，完善中低容量NAND Flash产品系列及相应eMMC解决方案。

何卫解析，中低容NAND Flash因应存储代码的容量需求而采用。例如安卓4.0系统代码量大，NOR Flash容量无法支持时，就需要用到NAND Flash。

兆易创新研发销售的主要是2D SLC NAND Flash，在众多闪存类型MLC、TLC、QLC、SLC中SLC属于高可靠性的产品，可用于汽车、工控等产品，也不需要3D NAND那样的大容量。因此，尽管如今许多国际原厂都转向3D NAND技术，但市场上仍需要2D NAND的供给。兆易创新在研发上持续推进先进制程产品，在供货上也加深与中芯国际、上海华力微电子等国际一流大厂的合作范围和合作深度，以扩大其在SLC NAND的市场地位。

不过，何卫进一步指出，以NOR Flash的特性既可存储也可运行代码，在一些小系统设备终端例如物联网设备用MCU加NOR即可，省掉一颗DRAM。但对中大型系统设备，同时需要NAND和DRAM，例如带有智能化、偏工业商业的应用。未来随着智能化的推进，NAND和DRAM的配合将越来越多。因此，兆易创新必然要对DRAM产品展开规划，

就在最近，兆易创新董事长、长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明公开宣布，长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产，这或许将助力兆易创新规划之中的DRAM产品的真正落地。

兆易创新是同类型闪存芯片公司中唯一一家fabless公司，无晶圆厂的设计公司的优势是专注度，何卫表示，兆易创新可以专注地进行产品设计研发，将产品做到极致，这是其他任何一家IDM所不具备的。

物联网时代MCU+存储+传感器，协同效应更大

截至2019 年，兆易创新闪存芯片累计出货超过 100 亿颗，MCU 产品累计出货超过 3 亿颗。兆易创新立足已有的 Flash 业务和 MCU 业务，积极整合新加入的基于触控和指纹识别的传感器业务，推进产业整合，拓展战略布局，打造存储、控制、传感、互联、以及边缘计算的一体化解决方案来满足客户的不同需求。

2019 年 5 月 兆易创新完成对思立微100%股权的收购，并继续推动兆易与思立微资产和业务的整合、以及企业文化的融合。

思立微的传感器覆盖到电容式，光学以及正在研发的超声波指纹传感器，未来，将进行声光电各类传感器的全面铺设。而所涉及的一些应用也同时需要具有边缘计算能力的处理器MCU，何卫透露目前两个团队正在密切配合，产生联动效应，共同推进市场。

MCU加NOR Flash加传感器，兆易创新在物联网时代的布局正在发生协同效应。不只于此，兆易创新也非常关注MRAM等新型存储器的技术发展，卡位未来。从整体看，何卫认为面向物联网、5G时代的到来以及人工智能的演进，对于兆易创新深耕的通用器件将迎来巨大的增长潜力。

本文作者黄晶晶，如需转载或入群交流，请添加微信elecfans999

海力士推出第3代4D NAND闪存：最高176层堆叠

使用NAND Flash的固态硬盘及其相关的价格一直走低，主要得益于闪存堆叠层数的不断增加和供货充足的市场环境。从96层3D NAND闪存芯片开始，SK Hynix便致力于推动4D闪存技术的发展，虽然海力士的4D NAND基于3D NAND开发而来，但在性能和能效上具备相当优势。 

  SK Hynix在12月中旬公布第三代176层的NAND闪存芯片，设计也从传统升级到PUC方案。在最大限度提高生产效率，同时还能减小存储芯片的尺寸。并确保每片晶圆的最佳产出。

  外媒WCCFTech指出，作为4D NAND闪存芯片系列的最新一代，海力士已于上月向主控企业提供样品，以推动相关产品的上市。海力士NAND开发负责人Jung Dal Choi表示：“闪存行业正在努力改善技术，以实现高集成度和高产量。同时作为4D NAND的先驱，海力士将引领业内最高的技术和产能”。

  性能方面，第三代4D NAND技术可提升单元读取速度和数据传输速率，而且176层NAND闪存芯片采用2分区单元阵列选择技术，其原理是将存储单元分成两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术(确保数据调用请求能够快速响应)，第三代4D NAND还可将传输速率提升33%。然后是能够实时自动校正的超精密对准技术，其特点是能够保障堆栈之间的电流稳定性，进而确保可靠的性能。 

  海力士希望在未来开发出基于176层4D NAND技术的Tb级产品。

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