AI浪潮引爆存储晶圆需求，DRAM和NAND产能面临新挑战

随着人工智能技术的快速发展，AI对存储容量的需求正在不断增加，这对DRAM和NAND晶圆的产能提出了新的挑战。国泰君安研报通过详细计算，分析了AI增长对服务器、手机和PC存储需求的影响，结果显示AI的发展对晶圆的消耗量有着比较明显的推动作用。

AI服务器存储需求激增，单台设备晶圆消耗量可观

以GB200 NVL72（HBM+LPDDR5x）为例，单台AI服务器的DRAM晶圆片消耗量高达15.21片。而以DGX H100 SSD为例，单台设备的NAND晶圆消耗量也达到了0.46片。随着AI技术的不断进步和应用场景的拓展，AI服务器的数量将持续增长，这将对存储晶圆产能形成巨大压力。存储晶圆产能的扩张和技术升级势在必行，以满足AI时代的存储需求。

手机和PC存储容量提升，DRAM和NAND晶圆消耗量大幅增加

AI的发展不仅对服务器存储提出了更高要求，也带动了手机和PC等终端设备存储容量的提升。根据国泰君安研报的计算，若手机内存由8GB增加至16GB，DRAM晶圆新增消耗量约为3643.26千片；若闪存容量由256GB增加至512GB，NAND晶圆新增消耗量约为4033.61千片。同样地，若PC内存由16GB增加至32GB，DRAM晶圆新增消耗量约为1518.03千片；若闪存由512GB增加至1TB，NAND晶圆新增消耗量约为1680.67千片。这些数据表明，存储晶圆产能面临着巨大的扩张压力，需要存储厂商加大投资力度，提升产能以满足市场需求。

2023年末，全球DRAM总产能约为1351千片/月，NAND总产能约为1157千片/月。面对AI时代的到来，存储晶圆产能能否跟上需求增长的步伐，将是决定AI产业发展速度的关键因素之一。同时，我们也需要关注下游传统需求恢复不及预期、AI产业进度不及预期以及国际贸易风险等因素，这些都可能对存储晶圆产能的扩张产生影响。

本文源自金融界

三星NAND晶圆投片量趋于保守，产能利用率维持在60%以下

三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。报道指出，虽然三星在产能全开的情况下，NAND Flash闪存的生产线单季度晶圆投片量可超过200万片。但是，目前三星内部对今年第二到四季的单季晶圆投片量均设下了120万片的上限，这代表着其整体产能利用率只维持在60%以下。

本文源自金融界AI电报

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