手机混用闪存到底是真是假？教你查手机闪存型号

来源：太平洋电脑网

最近，网上传言某手机混用闪存，将UFS 3.0和UFS 3.1的闪存混用在了同一型号的机器上，买不同容量的手机，闪存协议不一样。光从这个描述来看，这做法相当不厚道，消费者买手机等于抽奖。

但这到底是不是真的？很多朋友也只是有所耳闻，但却不知道如何验证。今天，就给大家分享一些方法。

方法一：拨号面板输入指令查询

这是适用于部分ROM的方法，例如某些版本的MIUI、EMUI等ROM就可以使用。在拨号界面中，输入“*#*#284#*#*”，系统就会开始生成Debug报告，等待Debug报告生成完毕，整个过程应该不到一分钟。

输入*#*#284#*#*

这个Debug报告包含很多文件，以MIUI为例，这些文件处于手机内部存储的“MIUI\debug_log”目录下。开启这个目录，找到“bugreport-日期时间”文件名格式的zip包，开启这个zip包。

MIUI中的Debug报告

在这个zip包当中，还包含着另一个zip包，它的文件名是“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”。

其中的bugreport压缩包

打开这个zip包，里面有一个和这个zip包同名的txt文件，开启即可。

开启这个txt文件

这个txt文件中，搜索“ffu”的字串，很容易就可以找到闪存型号的信息。例如笔者手中的这部手机，它的闪存型号是“KLUCG4J1ED-B0C1”，制造商是三星。

其中可以找到闪存具体型号

方法二：系统Bugreport查询

这个方法适用于大部分的安卓手机。首先，需要开启安卓机的开发者选项，在设置菜单的系统信息界面，不断点击“版本号”即可开启。

接着，设置界面就多了“开发者模式”的选项，这个选项通常位于“系统”下。进入开发者选项，可以看到“错误报告”的功能，点击后，选择生成报告。

开发者模式下生成bugreport

将bugreport保存到存储空间，或者发送到其他地方

等待一段时间后，系统通知栏就会弹出“已获取错误报告”的信息。点开它，看到了警告信息后，将它保存到系统目录当中。错误报告是一个文件名为“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”的zip包

接下来的操作就和方法一差不多了。在这个zip包里面，找到同名的txt文件，然后在其中搜索“ffu”，就能找到闪存型号。

但也要注意，现在某些厂商默认并不将闪存的相关信息写入Bugreport当中，或者是搜索的关键词不同（例如有的手机要搜“ufs_product_name”），这需要大家亲自尝试了。

方法三：终端命令行查询

安卓系统基于Linux内核，因此想要确认安卓机的一些信息，也可以通过Linux中常用的终端来进行。

首先下载安装一个终端App，这类App非常丰富，这里就不特别提供了，大家可以自行搜寻安装。

在终端中输入以下命令行：“cat /proc/scsi/scsi ”

之后，终端就会呈现出闪存的制造商、具体型号等信息了。

在终端，输入命令行也可以查看到闪存具体型号

不过，这个方法并非什么机器都可以用，某些厂家已经屏蔽了相关信息的调用，就算输入命令也不会返回任何信息，这就看不到闪存型号的信息了。

某手机真的混用UFS 3.0和UFS 3.1闪存了吗？

找到了闪存型号后，要确认对应规格就很容易了，直接通过搜索引擎，或者制造商的官网查找即可。

这次某些朋友是买到了某手机的256G容量的型号，因为闪存跑分略低，被怀疑是UFS 3.0，和宣传的UFS 3.1不符。据了解，对应的闪存型号为“SDINFDK4-256G”，我们就以它为例子，来鉴定一下到底这是什么闪存规格。

网络上受争议的某手机256G版闪存型号

从搜索引擎中，很容易就找到了该闪存的官方规格文件，这里把链接也提供给大家。

西数/闪迪闪存规格文件：https://documents.westerndigital.com/content/dam/doc-library/en_us/assets/public/western-digital/product/embedded-flash/brochure/brochure-western-digital-eis-mobile.pdf

从文件中，很容易就找到了“SDINFDK4-256G”的对应规格。可见这就是UFS 3.1的闪存，宣传并没有错谬。

其实是货真价实的UFS 3.1

至于和128G版本的性能差异，是由于闪存的性能不仅仅和协议有关，NAND也是重要的决定因素——正如同样是PCIe 4.0的SSD，不同型号性能也有高下之分。

总结

总的来说，作为手机中的重要部件，闪存的确很大程度上决定了手机的体验。如果你对闪存信号有疑惑，不妨试试上文的方法，相信可以帮到大家。

UFS 31到底是什么？听专业产品经理给您一次讲明白

[PConline 专访]UFS这三个英文字母放在现如今可谓一点也不陌生，越来越多的手机厂商在宣传自家产品适合都会带上一个UFS 2.1/UFS 3.0之类的样式，表示该设备具备高速读写的性能。而现如今UFS 3.1已经开始慢慢与大众见面，那么UFS3.1对比以往的3.0或是2.1到底又有怎样的变化？

今天我们有幸采访到慧荣科技产品企划部协理谢逸群先生，来为大家一一解答UFS 3.1的所有疑问。

UFS 3.1比UFS 2.1感知强吗？体现在哪些方面？

慧荣科技产品企划部协理谢逸群先生表示，UFS 3.1是3.0的优化版，最直观的速度方面是达到了UFS 2.1的两倍，而且相比较主要改善效能存取与省电性能。

UFS 3.1与3.0版本不同的部分包括：

写入增强器(Write Booster)技术： 在符合UFS 3.1标准的设备上，引入一个SLC非易失性缓存，从而进一步提高写入速度。

深度睡眠(Deep Sleep)技术 ：在存储器没有读写动作时，进入深层睡眠模式，从而达到最低耗电量，并且耗电量比UFS3.0 hibernate更低30~50% ，可以利用reset 或重新起电叫醒UFS。

性能调整通知（Performance Throttling Notification）： 该功能可在UFS 3.1设备因为某些情况导致存储性能受到影响时，及时通知主机有关性能限制的信息。

在手机容量进入512GB与1TB之后，更多有效管理的储存技术，除了可以提高存储器的效率，还能降低耗电量。 在5G时代，应用如在线游戏、AR/VR都是需要快速读写数据与大量记忆存储的应用，UFS 3.1的高性能表现会更加相得益彰。

就目前而言，UFS 3.1哪些场景带来的升级最直观？

对此，谢逸群举了简单的例子，在读取4K高清影片时，UFS3.1所需时间更短 ，加载所需要的时间不到eMMC5.1的1/3，相应在体验游戏时，UFS3.1的手机延迟更低，画面更流畅，让我们的手机在应对更多场景时不会卡顿。

而且手机用户在APP启用速度可以感受到大幅提升 ，以前只能开一个App，现在可以支持多任务同时执行进而提供手机用户更顺畅的使用体验，而对于大文件、大视频的传输，在使用者体验可以明显感受到接收/传输文件、打开视频速度都提升许多，这些都是最直观的在使用方面能感受到的升级变化。

前面内容想必让大家对于UFS 3.1有了不少了解，今天之所以选择与慧荣科技的产品企划部协理进行一个采访的交流，也是因为慧荣科技作为目前UFS主控芯片的提供商，对于这方面的了解必然是更专业的。

速度提升中，主控芯片扮演怎样的角色？

慧荣科技作为UFS主控芯片的提供商，今年发布了SM2754主控芯片，谢逸群先生跟我们聊到，在技术方面慧荣科技的SM2754可以同时支持UFS 3.0/3.1规格，领先支持UFS3.1 规格。

实现更高的存取速度

并且支持HS-Gear4-2L标准、SCSI体系结构模型(SAM)和UniPro 1.8标准，可实现高性能存储、更高的性能和更简易的系统设计门坎。SM2754整合了专用硬件和控制器技术，采用了更优秀的算法，以提高随机顺序读与写性能，顺序读取速度可达2,000 MB/s，顺序写入速度在Write Booster的支持下可达1000 MB/s以上，并且在写入增强器(Write Booster)和主机性能提升器(Host Performance Booster)两大特点和不断优化的固件方案的加持下，读写性能还将进一步提高。

从产品企划部协理口中我们了解到，对于芯片的技术研究，慧荣科技真的非常专业。作为一家UFS及SSD主控芯片的提供商，手机UFS和SSD主控是肯定有所不同，而对于两者关注点的不同，协理与我们的交流中表示，UFS主要应用在手机上，所以比SSD更重视功耗及电池续航力。

类SSD的管理技术

例如今年JEDEC发布的UFS 3.1标准新增的技术，在速度、功耗、稳定性上就有新突破，使得UFS存储设备在功能上更接近SSD，大幅度改善用户体验，像是导入HPB(Host Performance Booster) 功能，此技术概念类似SSD的主控端内存缓冲 (Host Memory Buffer， HMB)，让SSD可以直接把映像表放在主机端的DRAM上，透过PCIe接口来存取主机上的内存，这样一来，便可以直接在主机内存上读写SSD映像表，同一笔数据存储的时候尽量同一区，读取时透过映像表以提高性能。

当然作为行动存储应用的UFS主控芯片，性能是毋庸置疑不能省略的地方，兼顾性能和功耗才是使得存储产品寿命延长，慧荣科技控制器会预先规划来支持最新UFS规格及下一代3D NAND，同时也将低功耗(low power)规格放进设计以达到高性能的要求。

量身定制的客制化设计

在面对不同手机厂商的定制化需求，搭配不同的资料连接接口与存储的设定，慧荣会提供量身订做的定制化设计满足手机厂商全方位的需求。

当芯片规格升级之后对于提供商而言，技术力上的要求也是有了相对应挑战，慧荣科技的谢逸群也表示，UFS3.1与UFS2.1相比，接口提升一倍，而对于手机用户来说开启速度更快，场景切换更加流畅，并且保持电池的续航力，能为游戏体验带来不少加分，这在主控设计上必须考虑到速度提升一倍, 功耗需要保持一样或是更低, 效能上要如何去达到目标也是我们在设计IC上的架构需要特别去考虑的地方。

而且即将面对是云游戏的来临，代表着资料量更大， 游戏业者也会继续成长，传输变更快，对游戏的质量也会更大， 所以数据存储的的空间也会变大。

慧荣科技提供不只是针对移动设备，从Edge端到云端慧荣科技都有相对应的解决方案来满全方位的需求。由于每一种应用场景都不相同，搭配不同的资料连接接口与存储的设定，都需要闪存主控芯片来加以量身订做与客制化设计，慧荣正是NAND Flash主控芯片的全球领导者，拥有超过20年的设计开发经验，凭藉丰富的主控芯片经验，慧荣可提供量身订做的客制化设计来满足全方位的需求。

为何每每谈及UFS 3.1技术面世都会与5G时代脱不了干系，对此现象协理谢逸群先生有他的看法，UFS 3.1在SA独立组网后也会更容易发挥5G的速度，延时也会缩短至毫秒级，不会受4G限制 ，例如下载高清视频数秒钟就可以完成、云游戏、AR/VR影音串流、互联网可以减少卡顿负担。

未来储存的方向在哪？

当我们问及谢逸群，对于未来而言，存储标准的方向在哪？是追求更高速度、更省电或是体积更小？谢逸群对此也没有保留：高规格闪存在手机体验中最显着的不外乎是「快速」、「低延迟」等特性，传输速度越快可以让游戏程序的应用可以更丰富，并且可以改善以往手机游戏常见的延迟问题，手机用户可以在几秒钟内下载整部电影，在没有网络. 延迟的情况下观看 360 度的全景内容和虚拟现实，还可以玩 4K 分辨率的在线游戏。

同时随着手机性能的不断提高，手机功能越来越多，对于手机功耗的压力也越来越重，大家对于手机的续航表现要求也越来越高，行动存储应用的UFS主控芯片，需要重视高性能、低功耗及如何管理3D NAND让整个存储产品寿命延长。

慧荣科技控制器预先规划来支持最新3D NAND接口的速度，同时也将低功耗(low power)规格放进设计以达到高性能的要求。手机厂商也是朝这目标在进行，会针对不同手机应用场景，在内部测试电池时，都会针对电池续航力在不同的场景应用加以调整及优化。

对于5G时代的来临，还有一个关键字“毫米波” 也在其中有着至关紧要的地位，因为毫米波是5G网络一个很重要的技术，通过毫米波的使用，可以极大的扩展频宽资源，从而获得极大的空口带宽，提高通信传输速率和质量，对于储存的标准也会需要更高速及更大的容量才能满足毫米波的发展。

谢逸群表示，对于毫米波技术，慧荣科技一直走在前列，并已努力耕耘数年 ，不只是参加标准协会论坛，也和中国信息通讯研究院有所沟通，我们在5G及云存储市场上将会拥有一定的竞争力。未来的5G及云服务企业需要一些比较特殊性的要求，慧荣科技在UFS主控芯片和固件上有着许多突破和发展，让我们可以在这个市场中站稳脚步，我们也会持续掌握市场脉动，如何让慧荣科技在客户端发挥作用，如何让我们的客户获取到充分的价值，这就是慧荣科技最重要的地方。

除了5G手机之外，UFS 3.1闪存在其他产品应用如何？

谢逸群先生表示，UFS 存储产品已经在手机市场上取得了成绩。同时伴随着 5G 的爆发，UFS 产品还拥有着巨大的市场潜力， UFS存储产品的普及是否只存在手机，是否可以应用在其他发展，是行业对于UFS的运用最关注的事，在其他的应用需要对应的host不同，这对于存储行业来说，都是新的需求和挑战。

慧荣科技透露，已与国内外许多品牌大厂有密切的合作，在不少研发的产品中都有使用到慧荣科技的产品，今年会有产品问巿。如何让我们的客户获取到充分的价值，慧荣科技会做好该做的，持续投入研发并协助合作伙伴，提供更多元化的产品。

通过慧荣科技产品企划部协理谢逸群先生与我们的这次分享，相信大家能对UFS 3.1有更多的了解。

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