兆易创新：NOR、NAND、DRAM三剑齐发

根据摩根斯坦利发布的报告，今年第二季度时，NOR Flash的库存为60天左右，到现在为止NOR Flash的库存应该消耗得差不多了。也就是说第三季度NOR Flash产品基本会达到供需平衡，甚至需求超过供给。

近日，在2019中国闪存峰会期间，兆易创新代理总经理何卫表示，乐观看待公司第三季度的成长，目前兆易的确感受到NOR Flash需求的回升，甚至出现产能紧张的情况。我们看到，近年来，兆易创新形成了MCU+存储+传感器的产品线生态，尤其存储的布局已经从NOR Flash、NAND Flash逐渐延伸至DRAM。何卫认为这是面对终端应用需求的必然。

兆易创新代理总经理何卫

NOR Flash接单旺盛

NOR Flash做为通用型器件应用广泛，兆易创新重点专注6大应用领域，产品种类多样，例如宽电压、低功耗、高性能、大容量以及安全等针对不同特性已形成非常全面的产品体系。

十多年NOR Flash市场的深耕，何卫认为兆易创新最大的优势即专注，正因为专注，在市场旺盛时才能抓住机会。

2017年以来NOR Flash市场发生巨大的变化，美光、Cypress退出中低容量NOR Flash市场，这部分订单转向兆易创新等厂商，需求爆发与价格向好令兆易创新收获良多。

但从去年Q4到今年Q1，受贸易战、需求放缓、信心不足等影响，市场环境不太景气；直到今年3月份之后，尤其Q2、Q3兆易创新的订单量逐渐提升。何卫表示，兆易创新一直在根据市场需求调整产品结构，提升产能供给，例如物联网、可穿戴应用需求非常旺盛，会适当调配产能。值得注意的是当前NOR Flash回暖的反弹力道比较猛烈，这也造成了市场供需矛盾突出，存在潜在的涨价和缺货预期。

今年， TWS耳机成为NOR Flash出货量的热点市场。据了解，每颗TWS耳机均需要一颗NOR Flash用于存储固件及相关代码。根据智研咨询预计2018-2020 年全球 TWS 耳机将实现高速增长，出货量分别达到 6500 万台，1 亿台和1.5 亿台，年复合增速达 51.9%。TWS 耳机要实现主动降噪、语音识别等功能则需要128Mb/256Mb NOR Flash基至更高容量。兆易创新今年在这些市场取得较好的成绩。

根据CINNO Research产业研究报告显示，兆易创新第二季度NOR Flash业绩环比成长45%至7600万美元，继Winbond、Macronix和Cypress之后，一跃占据市场第四名的位置。兆易创新NOR Flash产品累计出货量已经超过100亿颗，2018年出货量超20亿颗。

出于对市场发展的准确把握和产品的精准定位，今年兆易创新在海外市场的业绩呈现爆发性成长。何卫告诉电子发烧友网记者，公司在海外市场已经布局三四年的时间，主要覆盖日本、韩国、中国台湾和欧美等地区，围绕手机和消费类市场进行开拓。今年取得较好的收获，是良好的开端，未来还将不断加大拓展海外市场。

在最难进入的汽车前装市场，今年兆易创新的GD25全系列SPI NOR Flash产品完成AEC-Q100认证,主要用于汽车前装市场和车规产品。我们知道汽车前装导入周期比较长，兆易创新为此准备了三年时间，如今不仅通过了认证，而且已经导入了仪表盘、车载摄像头模组、ADAS等汽车应用。何卫表示，兆易创新在汽车市场将呈现跨越式的成长。

未来，随着5G建设今年预商用，明年正式商用，必将带来NOR Flash新一轮的需求高速增长。

NAND Flash研发先进工艺，DRAM产品已有规划

兆易创新NAND Flash产品，38nm SLC制程产品已稳定量产；具备业界领先的性能和可靠性，并将进一步推进24nm制程产品进程，完善中低容量NAND Flash产品系列及相应eMMC解决方案。

何卫解析，中低容NAND Flash因应存储代码的容量需求而采用。例如安卓4.0系统代码量大，NOR Flash容量无法支持时，就需要用到NAND Flash。

兆易创新研发销售的主要是2D SLC NAND Flash，在众多闪存类型MLC、TLC、QLC、SLC中SLC属于高可靠性的产品，可用于汽车、工控等产品，也不需要3D NAND那样的大容量。因此，尽管如今许多国际原厂都转向3D NAND技术，但市场上仍需要2D NAND的供给。兆易创新在研发上持续推进先进制程产品，在供货上也加深与中芯国际、上海华力微电子等国际一流大厂的合作范围和合作深度，以扩大其在SLC NAND的市场地位。

不过，何卫进一步指出，以NOR Flash的特性既可存储也可运行代码，在一些小系统设备终端例如物联网设备用MCU加NOR即可，省掉一颗DRAM。但对中大型系统设备，同时需要NAND和DRAM，例如带有智能化、偏工业商业的应用。未来随着智能化的推进，NAND和DRAM的配合将越来越多。因此，兆易创新必然要对DRAM产品展开规划，

就在最近，兆易创新董事长、长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明公开宣布，长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产，这或许将助力兆易创新规划之中的DRAM产品的真正落地。

兆易创新是同类型闪存芯片公司中唯一一家fabless公司，无晶圆厂的设计公司的优势是专注度，何卫表示，兆易创新可以专注地进行产品设计研发，将产品做到极致，这是其他任何一家IDM所不具备的。

物联网时代MCU+存储+传感器，协同效应更大

截至2019 年，兆易创新闪存芯片累计出货超过 100 亿颗，MCU 产品累计出货超过 3 亿颗。兆易创新立足已有的 Flash 业务和 MCU 业务，积极整合新加入的基于触控和指纹识别的传感器业务，推进产业整合，拓展战略布局，打造存储、控制、传感、互联、以及边缘计算的一体化解决方案来满足客户的不同需求。

2019 年 5 月 兆易创新完成对思立微100%股权的收购，并继续推动兆易与思立微资产和业务的整合、以及企业文化的融合。

思立微的传感器覆盖到电容式，光学以及正在研发的超声波指纹传感器，未来，将进行声光电各类传感器的全面铺设。而所涉及的一些应用也同时需要具有边缘计算能力的处理器MCU，何卫透露目前两个团队正在密切配合，产生联动效应，共同推进市场。

MCU加NOR Flash加传感器，兆易创新在物联网时代的布局正在发生协同效应。不只于此，兆易创新也非常关注MRAM等新型存储器的技术发展，卡位未来。从整体看，何卫认为面向物联网、5G时代的到来以及人工智能的演进，对于兆易创新深耕的通用器件将迎来巨大的增长潜力。

本文作者黄晶晶，如需转载或入群交流，请添加微信elecfans999

NAND和闪存转换层（FTL）

我们使用的固态硬盘(SSD)，U盘等存储设备，有别于机械硬盘，其实际存储颗粒为NAND。而NAND存储颗粒受其物理特性影响必然存在坏块，同时也不能直接写0写1。

NAND有别于机械硬盘，主要体现在一下几个方面。

一，如果你想往某个区域存储一个字节的数据，比如0x55，首先需要确认当前区域是没有写入过数据的，也就是必须是全部0xFF的，因为NAND写入的时候每个bit只能从1变成0，不能从0变成1。如果不是全FF，则需要擦除操作，讲该区域全部变成0xFF，才可以写入你想要的0x55写进去。

二，NAND还存在另外一个特性是数据容易出错，写进去的是0x55，回读可能是0x5A，这时候需要ECC算法将错误的数据纠正过来，ECC算法比较复杂，在此不论述。

三，NAND存储颗粒的擦写次数是有限的，一般一个块也就是3000次左右，不能无线擦写。

四，NAND存储颗粒是存在坏块的，也就是实际物理地址上的某个区域是不能正常存储数据的。

这些特性都导致电脑不能向机械硬盘一样直接操作NAND。比如我们的电脑管理了全部文件内容，管理这些文件内容的功能叫文件系统。类似FAT文件系统会在固定的区域存储所有的文件信息，包括文件名，大小，作者等，例如存储在地址0里面。而我们需要频繁的修改文件，那么地址0存储的文件信息就需要频繁的更新，假如存储地址0对应NAND地址0，那么这块控件将很快达到其擦写次数寿命，导致损坏，我们的文件信息就会发生错乱。而且NAND不接受直接写入，必须先擦除再写入，还需要记录NAND中的坏块在哪里，避免写入已经坏掉的区域。读取的时候还需要进行ECC纠错，防止数据出错，这都会大大增加系统的负担，是不会被厂家接受的。大家都懒，谁愿意为了你的问题而改变自己呢，除非你给钱。

FTL闪存转换增这时候被提出来了，其作用就是文件系统和NAND之间的沟通桥梁。对于文件系统来说，它操作的实际第一对象是FTL，依然向机械硬盘一样管理所有的数据，不需要变动，什么都不需要改，除了问题一定是你的，因为我没改。这样系统方恨开心。但是管理NAND的脏活累活就得FTL来做了，谁让SSD等厂家想卖钱呢。

FTL算法，其实就是一种逻辑地址到物理地址的映射。当文件系统发送指令要写入或者更新一个特定的逻辑页时，FTL实际上是把数据写入到一个不同的空闲物理页并更新映射表（逻辑地址和物理地址的关联数据），并把这个页上包含的"旧数据"标记为"无效"（更新后的数据已经写入新的物理地址，旧地址的数据自然就失效了）。正是因为FTL的存在，操作系统才能把SSD当成机械硬盘那样操作，因此FTL转换的性能也就直接影响SSD的性能表现，而且FTL算法也是影响SSD寿命及稳定性的决定因素之一。

FTL还需要管理坏块，磨损均衡（与NAND寿命直接相关），ECC算法等功能，只有这样才能伪装的自己是一个机械硬盘，别人才会用你。

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