国产存储芯片新突破：我国首款64层3D NAND闪存芯片开始量产

来源：央视网

央视网消息：近日，紫光集团旗下的长江存储宣布，其自主研发生产的64层三维闪存芯片开始量产，以满足固态硬盘嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64层三维闪存。

长江存储自主研发生产的64层三维闪存拥有同代产品中最高的存储密度，相比传统三维闪存架构可以带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期，将该技术引入批量生产，能够显著提升产品性能、缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。

紫光集团联席总裁 刁石京：我们做的这颗芯片，采用我们新的工艺技术方法来做的，它的存储密度更高了，就是在更小的面积上能够实现更大量的存储。同时，它的存储速度也更快了，在使用过程当中感受到数据存进去或者取出来更加快捷、更加方便，这都是我们新型存储的技术优势，是和我们百姓的生活，整个生产发展都是息息相关的。

中国是世界上最大的芯片消费市场，也是世界上最大的存储器市场，随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。三维闪存将在未来的存储器领域获得更迅速发展。

据了解，长江存储64层三维闪存产品的量产将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，并有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。

紫光集团联席总裁 刁石京：长江存储进入到这个领域之前，国内一直没有大规模存储芯片的生产，未来，随着云计算、大数据的发展，人类对数据存储要求是越来越高，3D NAND（三维闪存）存储芯片是高端芯片的一个重要领域，它的量产也标志着我们离国际先进水平又大大跨近一步，可以说把我们的产品水平跟国外的先进水平缩短到了一代。

长江存储128层3D NAND闪存研发成功“中国芯”实现跨越式发展

4月13日，紫光集团旗下长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这是全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片，也是我国首款128层3D NAND闪存芯片。长江存储预计，128层产品今年底到明年上半年量产，维持明年单月10万片产能目标不变。

“存储芯片是整个ICT行业的底盘之一，手机、电脑、服务器等设备都要用它，云计算、5G等技术也是基于存储芯片技术的发展。目前中国在这方面与海外差距较大。”一位电子行业卖方首席研究员表示，“长江存储的128层产品市场销路会不错。”

长江存储填补了我国在3D NAND闪存芯片领域的空白，它是目前中国唯一能够在该领域实现量产的厂商。尽管起步晚于国际大厂，但长江存储发展迅速，技术水平已跻身全球第一梯队。

存储器是半导体产业的重要分支。中信证券电子组表示，存储芯片产业2019年全球销售额约1200亿美元，约占全球4000亿美元半导体市场的30％。其中，DRAM约620亿美元，NAND Flash约570亿美元。韩美3家DRAM厂商占全球95％的份额，其中韩国厂商三星、SK海力士占75％。韩美日6家NAND Flash厂商占全球99％的份额，其中韩国三星、SK海力士以及日本铠侠（原东芝）3家的份额超过60％。

多个指标业界第一

长江存储有关人士介绍，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

QLC是继TLC后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型存储单元，每个存储单元可存储4字位数据，共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14660亿“人”居住，是64层单颗芯片容量的5.33倍。

闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为，QLC降低了NAND闪存单位字节的成本，更适合作为大容量存储介质。在企业级领域，QLC SSD更适用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘、闪存卡和SSD中普及。

与国际大厂同台竞技

2017年7月，长江存储研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片。2018年三季度，32层实现量产。2019年三季度，64层实现量产。为缩小与第一梯队厂商的差距，长江存储跳过96层，攻坚128层。

SK海力士、三星、美光等国际大厂去年陆续发布128层3D NAND产品，计划今年实现规模量产。如今，长江存储成功自研128层闪存芯片。在不久的将来，国产128层系列闪存产品将走向市场，与国际大厂同台竞技。

“3D NAND的难点在于一层层叠上去的时候需要打洞把每一层连接起来，层数越多需要打的洞就越多，每一个单位都要打洞，数量可达几百万个。必须保证做到垂直地打洞，不能歪、不能斜，保持均匀。同时，一层一层叠上去的时候会产生压力，芯片的旁边会翘起来。所以，把洞打好和把翘起来的地方压下去、变平，这是最困难的地方。”长江存储执行董事长高启全此前接受中国证券报记者专访时介绍了3D NAND制造工艺的难点。

国内市场需求旺

长期以来，我国使用的存储芯片严重依赖进口。以2018年为例，根据智研咨询统计，我国集成电路进口额达3120亿美元。其中，存储芯片为1230亿美元，占集成电路进口总额的39％。

目前，长江存储、长鑫存储、福建晋华等3家国内厂商正奋力追赶。随着量产的推进，我国依赖进口的局面有望得到缓解。长鑫存储和福建晋华主攻DRAM，前者去年9月宣布内存芯片自主制造项目投产。

当下，长江存储产能为2万片/月，公司表示将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片，并按期（二期）建成30万片/月产能，提升国家存储器基地的规模效应。长江存储当前产能利用率达100％，已全员复工。

“长江存储128层系列产品具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”长江存储市场与销售高级副总裁龚翊说。

本文源自中国证券报

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