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nand闪存固件 闪存将迎新周期,主控芯片Fabless德明利前景如何? IPO见闻
发布时间 : 2024-10-06
作者 : 小编
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闪存将迎新周期,主控芯片Fabless德明利前景如何? IPO见闻

闪存主控芯片厂商深圳市德明利技术股份有限公司(简称:德明利)日前递交深交所IPO申请,东莞证券为主承销商。

公司拟募资15.37亿元,募集的资金将主要用于3D NAND闪存主控芯片及移动存储模组解决方案技术改造及升级项目、SSD主控芯片技术开发、应用及产业化项目等。

全球存储卡市占率3.09%

招股书显示,德明利主要从事集成电路设计、研发及产业化应用,业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发,存储模组产品应用方案的开发、优化,以及存储模组产品的销售。产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组。公司还在人机交互触控领域完成初步业务布局,目前已完成自研触摸控制芯片投片。

德明利存储模组产品主要由NAND Flash存储颗粒和闪存主控芯片组成。 闪存主控芯片主要是用于存储颗粒的存取控制、存储管理或与其他器件配合工作等作用的SoC芯片(系统级芯片),其对存储产品的性能、安全性、可靠性和使用寿命等有重要影响。闪存主控芯片一般需要配套相应的固件方案,固件方案为通过量产工具软件写入存储颗粒中由闪存主控芯片运行时调取使用的一系列程序、参数等,量产工具系产品量产过程中需要使用的辅助软件。闪存主控芯片与存储颗粒、PCB 板等必要的组件集成、封测后形成存储模组产品。

德明利自研闪存主控芯片、触控芯片等主要采用Fabless模式进行代工生产 ,即公司专注于从事集成电路的设计和产品销售环节,其余环节委托给芯片代工企业、封装和测试企业代工制造。

在盈利模式方面,德明利主要通过采购NAND Flash存储晶圆,将其与闪存主控芯片等进行封装、测试后形成存储模组,再将存储模组销售给下游品牌、厂家客户或渠道分销商赚取利润。NAND Flash价格以及存储晶圆利用率都对公司利润有巨大的影响。

NAND Flash产品价格的周期性波动特征较为明显 。2019年以来NAND Flash综合价格指数处于低位波动状态。公司表示,未来随着5G时代的到来,大量的数据存储需求出现,预计NAND Flash价格又将迎来新一轮上升周期。

在行业地位方面,根据中国闪存市场(CFM)数据推算,2020年公司在全球存储卡和存储盘等移动存储行业的市场占有率约为3.09%。存储卡产品销售数量约占全球存储卡销售总量的6.92%,存储卡和存储盘产品合计销售数量约占全球移动存储产品销售总量的5.86%。

外销比例较高、存储业务主要收入来源

财务方面,德明利2017—2019年和2020年1—6月公司营业收入分别为2.20亿元、7.50亿元、6.46万元和3.25亿元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为711.98万元、4047.32万元、7278.84万元和2313.50万元,存储业务为公司营业收入的主要来源,人机交互业务尚处于前期市场开发阶段,收入占比相对较小。

公司外销占比较高,报告期内,公司外销收入金额分别占当期营业收入总额的85.05%、89.87%、88.99%和68.31%。

公司综合毛利率在同行处于中游水平。

人民币汇率波动对公司盈利有一定影响 。公司报告期各期汇兑损益的绝对值分别占当期利润总额的19.53%、19.63%、4.62%和0.89%。德明利表示,公司已不断平衡外币货币性资产及负债规模以降低汇兑损益对经营业绩的影响,但如果未来期间相关外币兑人民币的结算汇率发生较大幅度波动,公司仍将面临经营业绩受汇率波动影响较大的风险。

股权方面,公司董事长及总经理李虎及田华(二者系夫妻)为公司实控人,其中李虎手中股份占公司总股本的53.4816%,系公司控股股东。

本文来自华尔街见闻,欢迎下载APP查看更多

铠侠RD20固态硬盘:鸡血固件让写入速度提3倍?

尽管上市已有月余,铠侠RD20固态硬盘的评测最近才开始刷屏。不同于多数SSD主打大容量型号,这款正式名称为EXCERIA PLUS G2的固态硬盘最大看点在于入门端的500GB型号。

从对比表格可以看到,RD20的500GB型号现在拥有和1TB/2TB型号相同的顺序读写速度,随机读写速度相比RD10也有了明显的提升。

更大的意外来自于一张网友的HDTune文件基准测速成绩,截图中可以看到,铠侠RD20 500GB在SLC缓存用完后顺序写入速度依然能够达到1500MB/s的水平,达到RD10 500GB的三倍左右!这一缓存外写入速度颠覆了小编对该容量级SSD性能的认知。

不过,铠侠RD20并没有对主控和闪存硬件进行更新,它是如何做缓存外写入速度暴涨300%的呢?下图是网友拍摄的铠侠RD20主控截图,TC58NC1201GST是群联PS5012-E12主控的铠侠定制版本,和RD10上所用的一致。

RD20 500GB使用的NAND闪存颗粒特写:编号TH58LJT0T24BS8C,和铠侠RD10/RC10上所用颗粒完全一致,依旧是96层堆叠BiCS4,并没有用上大家期待中的新一代112层堆叠BiCS5闪存。

按照BiCS4 3D TLC闪存的性能特点来看,500GB容量级只能实现500MB/s左右的SLC缓存外写入速度,主控和闪存都未变的情况下出现1500MB/s的成绩只能是ECFA11.2新固件在发挥作用。既然TLC可以模拟SLC缓存,那么模拟MLC缓存是否可行呢?显然这是一个比较合理的推测。

网上能搜到的若干RD20 500GB测试不约而同地都使用100GB测试容量,在这个设定之下40GB左右的SLC缓存实际占用120GB的TLC闪存空间,60GB左右的MLC闪存实际占用120GB的TLC闪存空间,尚不足全部512GB闪存空间的一半。如果小编所料不错的话,如果在100GB之外继续测下去,RD20的写入速度还会迎来第二次下滑,在这之后由于SSD需要边释放容量巨大的缓存边进行新的写入,最终阶段的写入速度可能会比RD10 500GB的500MB/s更低。

扩大缓存容量固然可以带来漂亮的写入速度,但在盘内空间使用率较高的情况下更有可能出现性能下滑,这一点网上目前还没有任何详尽的测试对其进行验证。

从上述分析来看,铠侠很可能通过调整固件SLC算法这管鸡血强化了入门500GB型号的写入效能,跑分确实更漂亮了,但小编目前不清楚这样会不会对实际使用性能带来何种影响。

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