nand flash wiki Nand Flash操作原理及裸机程序分析——FLASH操作原理

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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Nand Flash操作原理及裸机程序分析——FLASH操作原理

来源：韦东山嵌入式专栏_ARM裸机加强版维基教程

作者：韦东山

本文字数：1056，阅读时长：10分钟

NAND_FLASH操作原理

NAND FLASH原理图NAND FLASH是一个存储芯片那么: 这样的操作很合理”读地址A的数据，把数据B写到地址A”

问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线，怎么传输地址？

答1. 在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址当ALE为高电平时传输的是地址，

那么在数据线上是不是只传输数据和只传输地址呢？

我们参考NAND FLASH的芯片手册可以知道，对NAND FLASH的操作还需要发出命令，下面有个NAND FLASH的命令表格

问2. 从NAND FLASH芯片手册可知，要操作NAND FLASH需要先发出命令怎么传入命令？

答2. 在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令：

当ALE为高电平时传输的是地址。当CLE为高电平时传输的是命令。当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据。

问3. 数据线既连接到NAND FLASH，也接到NOR FLASH，还接到SDRAM、DM9000等等那么怎么避免干扰？

答3. 这些设备，要访问时必须”选中”，没有选中的芯片不会工作，相当于没接一样。

问4. 假设烧写NAND FLASH，把命令、地址、数据发给它之后，NAND FLASH肯定不可能瞬间完成烧写的，怎么判断烧写完成？

答4. 通过状态引脚RnB来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙

问5. 怎么操作NAND FLASH呢？

答5. 根据NAND FLASH的芯片手册，一般的过程是：

发出命令

发出地址

发出数据/读数据

看上面的命令表格，不容易看，我们看一下读ID的时序图，

每个NAND FLASH都内嵌一些ID(譬如：厂家ID，设备ID)，时序图从左往右看，纵向放是一列一列的看。

对于我们s3c2440来说，内部集成了一个NAND FLASH控制器，2440和外设连接的简易图，如下图所示

NAND FLASH控制器，帮我们简化了对NAND FLASH的操作，下面来分析一下不使用NAND FLASH控制器和使用NAND FLASH控制器对外设NAND FLASH的操作。

发命令：

发地址：

发数据：

读数据：

用UBOOT来体验NAND FLASH的操作：

1.读ID

下图是读操作时序图

对于存储为256M的NAND FLASH，需要28条地址线，来表示这个地址值，根据原理图可以，只用8根地址线，所以需要4个周期的地址，为了兼容更大容量的NAND FLASH，要发出5个周期的地址：（如下图所示）

2.读数据

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15大半导体厂排名，夺冠的都是大佬！

国际市调机构 IC Insights 针对 2018 年全球半导体厂排名出炉，三星电子（Samsung Electronics）连续两年终结英特尔的龙头之路，今年再度以 832.58 亿美元远远超越英特尔的 701.54 亿美元。然意外的是，晶圆代工龙头台积电竟然输给“存储器”，把全球老三的位置拱手让给韩系大厂 SK 海力士（SK Hynix）！

图|国际市调机构 IC Insights 针对 2018 年全球半导体厂排名（来源：Ic insights）

综观 2018 年全球前 15 大半导体供应商，年营收业绩至少要达 80 亿美元的门槛，才有资格入榜。根据 IC Insights 调查，前 15 大半导体供应商依序为三星、英特尔、海力士、台积电、美光、博通、高通、东芝、德仪（TI）、 NVIDIA 、意法半导体 ( ST )、西部数据/SanDisk 、恩智浦（NXP）、英飞凌（Infineon）、 SONY。

一向是全球半导体龙头的英特尔，在 2017 年首度败给三星，长达 25 年半导体龙头的霸主地位意外被终结。当时很多业内专家认为这只是昙花一现的现象，三星会超越英特尔纯粹是 DRAM 和 NAND Flash 存储价格上涨的贡献，这是“沙上建塔”，不可能长久的。

然而，三星今年不但再度超越英特尔，连续两年夺冠，领先的距离更近一步扩大。三星 2018 年半导体营收预计将达 832.58 亿美元，年增率 26%，而英特尔年营收预计为 701.54 亿美元，年增率 14%，两者之间的营收差距从 2017 年的 7%，在 2018 年扩大至将近 19%。

图|三星总部（来源：wiki）

2017 年半导体大厂上演前两名宝座洗牌的戏码，2018 年则是出现第三、第四名对调的现象。2018 年第三名的台积电在今年意外被 SK 海力士超越，反应 DRAM 和 NAND Flash 存储芯片太热门。

2018 年 SK 海力士估计年营收将达 377.31 亿美元，年增 41%，进步到全球第三名，超越台积电估计 342.09 亿美元营收，年增率 6%。

IC Insights 也表示，如果排除纯晶圆代工厂，联发科在 2018 年的营收也将排进全球 15 大半导体厂，预估年营收为 79 亿美元，但营收年增率仅 1%。

前 15 大半导体厂中，名次进步最大的是西部数据/ SanDisk，从去年的第十五名进步到第十二名，而营收年增率最高的前三名则是 SK 海力士、NVIDIA、美光，分别成长 41%、37% 和 33%。再者，当中唯一营收负成长的是位居第七名的高通，衰退 3 %。

Nand Flash操作原理及裸机程序分析——FLASH操作原理

NAND_FLASH操作原理

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