NORFlash全球排名第二公司：2023年业绩承压，2024Q1收入与净利润双增

添加我为微信好友<<<点击左侧， 每日精选三只热门板块金股免费领。

【公司2023年年报及2024年一季报彰显业绩弹性】

4月19日，公司公布了2023年的年报和2024年的第一季度报告，显示2023年公司实现营业收入57.61亿元，同比下滑29.14%，归母净利润为1.61亿元，同比大幅下降92.15%。 然而，2024年首季度，公司营业收入达到16.27亿元，同比增长21.32%，归母净利润为2.05亿元，同比上升36.45%。基于公司战略发展规划、经营现状以及未来发展资金需求，2023年度公司决定不进行利润分配。

平安证券分析指出，随着消费市场的逐步回暖，公司2023年第四季度的产品价格开始触底反弹，2024年第一季度业绩改善明显。2023年公司毛利率和净利率分别降至34.42%和2.8%，而2024年第一季度毛利率略降至38.16%，净利率则提升至12.58%。

在存储器业务方面，公司作为全球NORFlash市场的第二大厂商，2023年出货量创下新高，同比上升16%至25.33亿颗，累计出货量超212亿颗。公司正积极扩展工业、网通、汽车等市场应用领域。NANDFlash产品已实现38nm/24nm两种制程的全面量产，SLC NAND Flash产品2023年出货量同比大幅增长。DRAM业务方面，公司正在切入利基市场，并已推出DDR4、DDR3L等产品，与长鑫存储的关联交易额在2023年达到3.62亿元，预计将在2024年增至8.52亿元。

MCU业务方面，公司作为国内MCU供应商的领军企业，已量产46个产品系列，提供超过600款产品。尽管2023年MCU需求整体低迷，公司MCU收入在2023年第四季度逐步企稳，累计出货量超过15亿颗。

尽管面对宏观环境和行业波动等风险，分析师维持公司“推荐”评级，预计2024-2026年净利润分别为9.87亿元、12.32亿元和14.56亿元。公司作为国内NORFlash+MCU双龙头，具备市场竞争力和领先地位，有望在行业复苏时迎来业绩的快速修复。

风险提示包括宏观环境的不稳定、供应链风险以及汇率波动对公司运营可能带来的影响。

NAND Flash市况复苏缓慢，又一家大厂要减产？

半导体下行周期之际，AI大势下HBM发展风生水起，并为DRAM市场注入了活力。与之相比，NAND Flash市场需求持续萎缩。为应对需求“寒冬”，多家存储厂商今年表态将持续减产并缩减支出，NAND Flash成为被调整的重点领域。

近期，闪存大厂铠侠在最新财报中表示，将配合需求动向进行减产。

减产、推迟投产？铠侠也出手了

8月9日NAND Flash大厂铠侠公布上季（2023年4-6月）财报，由于智能手机等产品需求低迷，NAND Flash市况持续恶化，价格下跌，受此影响，该季铠侠营收2511亿日元（约17.5亿美元），同比减少32%。

铠侠指出，因市况复苏缓慢，将持续配合需求动向进行减产以及管控营销费用，且为了维持竞争力、将持续进行次世代产品研发以及降低成本等措施。

另据共同社报道，为应对需求恶化，铠侠在日本岩手县北上市的北上工厂新建的厂房将推迟到2024年以后投入使用。该厂原计划在2023年内投产，铠侠公关负责人称新建厂房的大部分施工将在2023年内结束，同时也表示：“投产时间未定。将在对需求动向进行详细调查后再做判断。”

稍早之前，SK海力士与三星也做出了减产NAND Flash的决定。SK海力士认为，与DRAM库存去化速度相比，NAND闪存的去库存速度相较缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。

三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在财报电话会议上提到，三星将延长减产行动，并对包括NAND闪存芯片在内的某些产品进行额外的产量调整。

豪赌未来，存储大厂先进技术蓄势待发

关于市场动向及今后展望，铠侠指出，各家NAND Flash厂商扩大生产调整（减产）范围、供需平衡逐步改善，在客户去化库存以及PC、智能手机的存储搭载量增加背景下，预估NAND Flash需求将逐步复苏，价格下跌情况也将随着供需平衡改善而放缓。

铠侠表示，当前严峻情况虽持续，不过NAND Flash市场中长期呈现成长趋势的市场观点目前未发生太大变化。

尽管当前NAND Flash市况相对艰难，但大厂依旧看好NAND Flash市场前景，并持续布局闪存堆叠技术，以图未来。

目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，存储厂商正持续发力更高层数。8月9日SK海力士便在2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存样品，效率比上一代238层512Gb提高了59%。SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。

除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。

相关问答

Nandflash是一种常见的存储设备,它主要被应用于手机、平板电脑、存储卡等设备中。与传统的存储设备相比,Nandflash具有更高的存储密度和更快的读写速度。然而,...

在nandflash写入操作中,源漏极不会导通。写入操作是通过电场效应来控制晶体管的通断状态,而不是利用源漏极的电流导通控制。写入时,控制线会向字线和位线传递...

1、存储架构不同NORFlash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势,这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100%...

norflash的存储区是连续的支持连续烧录,nand不支持连续烧录,其存储区不是连续的。nor出厂可以保证是好的,不存在坏块;nand可能存在坏块。其他的区别网上可查...

SDNAND品牌有:芯存者,专业提供SDNANDFLASH为嵌入式系统存储保驾护航,容量规格有128MB,256MB,512MB,1GByte(8Gbit)2GByte(16Gbit)4GB...

你好,下载IS916-BO量产工具。插上U盘,解压后,点击EXE应用程序,在量产设置项中输入PID和VID,开始量产就可以了。你好,下载IS916-BO量产工具。插上U盘,解压后...

NANDFlash和NorFlash是两种不同类型的闪存存储器。区别如下:1.读取速度不同NorFlash在小容量数据存储、读取速度和随机访问方面表现优异,读取速度比NAN...

1、存储架构不同NORFlash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势,这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100%...

1、存储架构不同NORFlash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势,这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100%...

[最佳回答]U盘的是NAND.因为nandflash存储比较大,写入速度和清除速度都比nor快,所以经常用在U盘和智能手机中充当硬盘的角色(eMMC),内存就是DRAM了。norf...