3D-NAND向500层进发，天花板在哪里？

自2014年3D NAND问世，就一直聚焦着全世界的目光。经过多年的沉淀，3D NAND行业可谓是"百家"峥嵘。说"百家"是有点夸张了，说白了，3D NAND行业也就是指三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等这些Flash原厂巨头，因为他们基本完全把控着3D NAND的命脉。中国公司此前在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。值得欣慰的是，长江存储科技在武汉投资国家存储芯片基地，已经迎头赶上，迈进第一阵营。

3D-NAND的层数堆叠，已经成为各大厂商竞相追逐的目标。目前主流厂商已经到了第6代工艺，Micron刚刚宣布完成232L 3D TLC NAND，读写性能都得到大幅提升，采用的是双堆栈技术。

从Micron透露的路标来看，对NAND技术的研发也是持续投入，争取一直处于领先的地位，当前主要在TLC，后续会在QLC继续发力。据了解，Micron在PLC NAND上暂时未打算重点投入，这也跟PLC NAND的可靠性需要更大的技术支撑，研发投入更大有关。同样的工艺研发投入，随着bit/cell的增加，容量的收益却在下降。

更多PLC/QLC信息请参考：PLC SSD虽来但远，QLC SSD火力全开

在Micron宣布232层之后，海力士Sk Hynix也接着发布了238层 512Gb TLC 4D NAND。海力士这个4D NAND叫法，噱头大于实际意义，实际也是3D-NAND的变形，类似CuA架构，就是把电路单元放在存储单元之下(Peri Under Cell, PUC)而已.

镁光Micron和海力士SK Hynix发布的200L+的NAND，采用的都是Charge Trap Flash(CTF)。目前市场上，也仅剩Solidigm(Intel NAND卖给海力士后新成立的公司)还在坚持使用Floating Gate(FG)架构。与FG浮栅不同，FG浮栅将电荷存储在导体中，而CTF将电荷存储于绝缘体中，这消除了单元之间的干扰，提高了读写性能，同时与浮栅技术相比减少了单元面积。不过，FG浮栅对read disturb和program disturb的抗干扰比CTF要好，总体来说，CTF工艺成本更低，这也是大多数公司选择CTF的原因。

国内厂商YMTC自研的Xtacking技术也到了3.0，预计2023也将发布超过200L层的3D NAND，很可能层数在232层，采用6-plane的设计，相对4-plane的架构，性能将得到超过50%的提升。

根据目前各家NAND原厂的研发状态，预计在2025年，我们将会看到层叠超过500L的3D NAND。甚至在2030之前，超过800L的3D NAND也可能会进入大家的视野。 这听上去很Crazy，也许这就是技术的魅力。让我们拭目以待！

CS创世SD NAND与TF卡的区别

　　什么是SD NAND？它俗称贴片式T卡，贴片式TF卡，贴片式SD卡，贴片式内存卡，贴片式闪存卡，贴片式卡...等等。虽然SD NAND 和TF卡称呼上有些类似，但是SD NAND和TF卡有着本质上的区别。

SD NAND 与 TF卡的区别：（看图表）

　　为什么SD NAND 和 TF卡 之间有这么大区别呢？因为 SD NAND是为内置存储而生，是焊接在PCB板上的，是针对工业级应用的产品，要求品质稳定、一致性高、使用稳定性高、同时尺寸也小。而TF卡主要是针对普通消费者，品质和一致性、使用稳定性等相对要求不高，再加上国内鱼龙混杂的市场环境，导致内置存储用TF卡的品质风险高。

　　NAND Flash产品的一个特质就是它的品质并不是0和1这么简单,有些品质隐患是使用一段时间之后才被发现，如果这个产品已经销往海外，处理起来会变得异常麻烦。

　　使用SD NAND可以为客户产品带来整体品质的提升，提供确定性，是客户产品良好品牌和口碑的稳定基石。而使用TF卡时，产品整机不可控因素会增高，比如常见的卡座老化松动、TF触点氧化、TF卡遗失、抗震性能减退等等。综上所述，虽然SD NAND与TF卡使用的协议相同，但从外观到内在都有区别。正在使用TF卡的客户需要提升产品稳定性及耐用性时，SD NAND 是绝佳选择。

　　PS. TF卡用户切换SD NAND时只需要更改原有PCB上卡座位置的线路，驱动程序无需改动。

　　亲爱的卡友们，欢迎光临雷龙官网，如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方，请联系我们，自己去理解或猜答案是件很累的事，请把最麻烦的事情交给我们来处理，术业有专攻，闻道有先后，深圳市雷龙发展专注存储行业13年，专业提供小容量存储解决方案。

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