三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

东京电子开发出可生产400层3D NAND闪存的设备

IT之家 10 月 17 日消息，东京威力科创 / 东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备 ，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

生产 3D NAND 需要专门的设备，目前主要由美国公司泛林集团控制。IT之家今年 6 月曾报道，东京电子开发出全新蚀刻技术，首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

东京威力科创希望凭借着这项技术挑战泛林集团，与现有方法相比，新的蚀刻方法至少将生产率提高了 2.5 倍。

东京威力科创表示这种技术对环境的有害影响也非常小，公司预估客户安装调试完成之后，可以在未来 2-3 年内开始生产 400 层 3D NAND 存储器；预估到 2027 年该领域产能比今年翻两番，达到 20 亿美元。

东京电子上一财年销售的蚀刻设备价值不超过 39 亿美元，约占其总销售额的四分之一。在新技术的帮助下，该公司预计其核心销售额至少将增加一倍。

去年销售额达到 200 亿美元的半导体行业蚀刻系统市场中，东京电子以 25% 的份额屈居第二，而美国 Lam Research 公司继续领先，占据半壁江山。

过去五年来，东京电子的研发支出增加了 77%，预计今年的研发支出将达到创纪录的 13.4 亿美元（IT之家备注：当前约 97.95 亿元人民币）。

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