长江存储，突传大消息！

最近两天，芯片界的大事不断！

据多家媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

这是继今年6月后，长江存储又一次对美光出手。2023年11月，长江存储就曾在美国起诉美光专利侵权，涉8项专利；2024年6月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。

今天，还有消息称，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。另一方面，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA基板。

来看报道！

长江存储突发

据媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在加州北区对美光提起诉讼（通过 Blocks&Files），指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请。据@lithos_graphein收集的专利申请列表表明，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的一般方面。

美国商务部于2022年底将长江存储列入黑名单，这大大增加了该公司从美国公司获得先进晶圆厂设备，以制造其市场领先的3D NAND设备的难度。去年，因为美国商务部禁止销售可用于制造具有超过128个活动层的3D NAND的晶圆厂工具和技术，长江存储发展的难度再度加大。

有趣的是，总部位于美国的 Patriot Memory正在准备一款高端PCIeGen5x4SSD，其读取速度高达14GB/s。而该公司的技术正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和长江存储的3D NAND内存。

芯片大事不断

最近，芯片界的大事可谓不断。

7月22日消息，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA（倒装芯片球栅阵列，FlipChip-Ball Grid Array）基板。

三星电机在新闻稿中宣称，其已向FCBGA基板领域投资了1.9万亿韩元（约99.5亿元人民币）。 三星电机与AMD联手开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，这项技术对CPU/GPU应用至关重要，可实现当今超大规模数据中心所需的高密度互联。与通用计算机基板相比，数据中心基板面积是前者10倍、层数是前者3倍，对芯片供电与可靠性的要求更高。

据IT时代消息，三星电机副总裁兼战略营销主管Kim Won-taek表示：“我们已成为HPC（高性能计算）和AI半导体解决方案全球领导者AMD的战略合作伙伴。我们将继续投资于先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为AMD等客户提供核心价值。”

AMD全球运营制造战略副总裁Scott Aylor表示：“AMD始终走在创新的前沿，以满足客户对性能和效率的需求。我们在芯片技术领域的领先地位让我们能够在CPU和数据中心GPU产品组合中提供卓越的性能、效率和灵活性。我们与三星电子等合作伙伴的持续投资，将确保我们拥有提供未来HPC和AI产品所需的先进基板技术和能力。”

三星和AMD的联手，对于全球算力需求用户来说，是一大福音，但对于GPU的最大生产商英伟达来说，可能并不是一个好消息。

而最近，英伟达也有动作。据路透社22日消息，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。英伟达今年3月发布了“Blac kwel”芯片系列，并将于今年晚些时候量产。在该系列中，B200在某些任务（如提供聊天机器人的回答）上的速度比前代产品快30倍。消息人士称，英伟达将与其中国经销商伙伴合作推出和分销这款暂定名为“B20”的芯片。

责编：王璐璐

校对：刘星莹

致态TiPlus7100成功的奥义：长江存储晶栈Xtacking架构解析

今年秋季，Intel和AMD最新平台发售，固态硬盘也全面开启PCIe Gen4时代。11月 日国内存储品牌致态发布了重量级的PCIe Gen4新品致态TiPlus7100，该产品最大的亮点就是采用YMTC长江存储最新的晶栈?Xtacking?3.0架构NAND，最高连续读写性能达到了7000MB/s和6000MB/s，堪称是DRAMLess产品的绝地反击。

为何晶栈?Xtacking3.0?架构有如此亮眼的表现？在讨论Xtacking之前，我们先简单了解一下固态硬盘核心组件——NAND FLASH的内部结构。

01 从2D NAND到3D NAND

NAND的容量大小取决于晶圆上存储阵列Array中可存放最小存储单元Cell的数量。对于早期的Planar NAND平面NAND（也叫2D NAND）来说，为了进一步提升存储容量和降低成本，就需要更先进的制程工艺，但制程工艺越高，晶圆的氧化层越薄，性能和可靠性都会出现下降，因此3D NAND开始成为主流。

所谓3D NAND就是相对于Planar NAND而言的，在晶圆上采用多层堆叠设计，如果把Planar NAND比喻成平房，那么3D NAND就是高楼大厦，提升NAND的容量只需堆叠更多层数的Array，使得容量、性能和可靠性都得到了保证。目前的3D TLC NAND已经到达100层以上，单颗NAND更是实现了1TB的容量。

02 NAND的架构

虽然3D NAND的概念比较容易理解，但落实到生产层面就不是单纯的叠层这么简单，这就涉及到NAND架构的问题。从全球主流的全球主流存储厂商出品的NAND横截面图可知，三星、铠侠和西部数据采用常规的并列式架构，将控制数据读取、写入的外围CMOS线路放在Array下方，只是技术层面有所不同。

例如三星V-NAND系列NAND，采用一次性加工、内存孔（Memory Hole）HARC蚀刻技术，铠侠/西部数据BiCS NAND则采用两个48层堆叠。并列式架构的优势是加工难度相对较低，但对于晶圆蚀刻设备和技术有着较高的要求。

Intel/Micron以及SK海力士则另辟蹊径采用了CuA（CMOS under Array）架构，这是一种将CMOS线路放置在Array以下的加工方式，从而增大了Array的面积。CuA架构的优势是能扩大单个芯片的存储密度，但同样存在制造工艺难度较高的问题。

而YMTC长江存储采用的是独家的?Xtacking?3.0架构，将CMOS线路用一种不同于存储核心Array的晶圆制造而成，分别通过Bonding工艺进行贴合，在指甲盖大小的面积的晶圆上通过数十亿根金属通道，将CMOS和Array进行连接，合二为一。

03 长江存储Xtacking?架构解析

从原理看，YMTC长江存储的晶栈?Xtacking?架构是两片独立的晶圆上，分别加工外围电路和存储单元，在逻辑工艺上有着更多的自主选择性，从而让NAND获取更多的I/O通道、更高的接口速度，例如最新的晶栈?Xtacking?3.0架构NAND具备四闪存通道和高达2400MT/s的接口带宽，这也是致态TiPlus7100即使采用DRAMLess方案，也能实现7000MB/s和6000MB/s的核心要义。

3D NAND颗粒最重要的发展方向是存储密度的优化。在传统3D NAND架构中，外围CMOS电路约占芯片面积20~30%，而Xtacking?技术创新的将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度，芯片面积可减少约25%，同等面积基础上，Xtacking?架构能够提供更多的存储单元，成为长江存储旗下致态品牌固态硬盘足容量的保证。

除了容量、性能和成本，NAND颗粒的良品率和出货量也是市场竞争的重要一环。自Xtacking?2.0技术诞生以来，长江存储NAND的良品率大幅度跃升，充分满足长江存储自有存储产品和客户供货的需求。除此之外，Xtacking?工艺存储单元和外围CMOS线路独立加工的特性，可以实现并行和模组化的灵活生产，较于传统结构产品研发周期可缩短三个月，生产周期可缩短20%，使得长江存储NAND的出货量也得到大幅提升。

作为长江存储核心技术品牌，晶栈Xtacking?代表着长江存储在3D NAND存储技术领域的创新进取和卓越贡献。经过9年技术积累和4年技术验证，晶栈Xtacking?架构NAND不仅性能和可靠性均达到了国际水准，更拥有较高的存储密度和更灵活的开发周期，这也是致态品牌SSD产品成功的奥义所在。

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