nand flash sd 美日大厂开炮，中国厂商遭SD专利费瞄准，闪存价格恐被一刀剖开-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand flash sd 美日大厂开炮，中国厂商遭SD专利费瞄准，闪存价格恐被一刀剖开

发布时间 : 2025-04-29

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

美日大厂开炮，中国厂商遭SD专利费瞄准，闪存价格恐被一刀剖开

中国半导体产业发展除了有严重的“人才荒”难题待解，另一个轻则伤筋动骨,重则追魂夺命的危机也悄悄现身，因为，“专利”恐怕就快要成为许多芯片业者夜难成寐的恶梦。

近日，业界传出由美国 SanDisk （已被西部数据收购)、东芝、 Panasonics 共同成立的 SD-3C 公司有意向中国模组厂追讨权利金，并由深圳朗科出面谈判，这把隐隐举起的专利大刀若朝中国存储业砍下去，对于库存已濒临“爆炸边缘”的 NAND Flash 产业，恐是雪上加霜！

SD-3C 公司是美日合资公司，拥有“存储卡授权协议 SDCLA ”（SD Memory Card License Agreement）的发放权利，当使用到 SD 技术去生产 SD 卡、 MircoSD 卡时，就必须拿到 SD-3C 公司的专利授权，专利权的范围包括 SD 设计专利、 SD 标志等，而 SD-3C 公司是由 SanDisk 、东芝、 Panasonics 三大企业所组成。

生产 SD 卡需支付 6% 权利金，但中小模组厂多抱着"赌一把"心态

行业内人士透露，生产 SD 卡、 MircoSD 卡要支付 6% 权利金给 SD-3C 公司，国际品牌大厂对于这一层的成本是逃不掉，但多年来 SD-3C 公司对于深圳华强北的众多存储模组厂是束手无策，根本讨不到这 6% 的权利金，然近期，传出 SD-3C 公司使出了一个杀手锏。

（来源：SD-3C官网）

业界透露， SD-3C 公司有意将生产和销售 SD 、 MicroSD 存储卡产品的知识财产权委托授权给深圳的朗科科技，让朗科代表 SD-3C 公司去和中国存储模组厂进行谈判，毕竟同样是深圳的公司，会很清楚这个圈子的游戏规则和玩法。

在早期，蛮多中型的模组厂也加入 SD 协会，成为会员后也乖乖缴纳 6% 的权利金，但时间一久，部分公司逐渐退出。

原本这些厂商是认为， SD-3C 公司会固定时间来查帐，到时该缴的权利金一毛都逃不了。只不过，随着时间过去，眼看有更多不加入会员的竞争厂商，在不用付 6% 权利金之下，市场价格更有竞争力，也更犀利，这样的状况，也让越来越多厂商，选择用"赌一把"的心态，宁可冒着被抓侵权的风险，也决定不缴钱。

早期生产 SD 卡和 MicroSD 卡是很赚钱的行业， 6% 权利金是以产品出厂的价格来征收，但之后生产存储卡的门槛变得很低，该市场竞争激烈常没有毛利、只是沦为冲量、冲经济规模的产品，导致很多中小模组厂不得不铤而走险规避权利金的缴纳，因为唯有如此才可能继续生存。

业界透露，如果 SD-3C 公司查不出一家公司真正的出货量，那权利金根本无从征收。而就算真的被查出有多少出货量，漏缴的厂商也只需要再补缴全。有些小厂甚至更狠，只要一被抓到，就直接干脆把公司关了，过阵子再换个名字成立一家新公司，继续从事原本的业务。

事实上，多年来这个市场的游戏规则就是如此，就连 SD-3C 公司也束手无策。

三星曾带头反对 SD 协会的权利金征收无效，最后拥戴新存储规格上位

SD 、 MicroSD 存储卡曾经是手机、智能相机、摄影机的必要配备，但随着智能手机转用嵌入式存储技术，存储卡的需求退回到扩充存储容量、低阶手机市场等，整个 SD 、 MicroSD 存储卡市场虽不具成长性，但每年仍是有相当可观的需求量存在，估计一年 SD 、 MicroSD 存储卡需求量至少 10 亿片。

不过，多年来 SD-3C 公司强势征收 6% 权利金的做法，也不是没有大厂揭竿起义来反对，至少，三星作为全球最大的 NAND Flash 和 SD 卡生产商，贡献给 SD-3C 公司的权利金最高，也因此，三星确实有充分的理由出面带头抗争。

（来源：麻省理工科技评论）

三星在 SD 卡权利金的争取上虽没有达到太大成效，但在产业技术世代交替，从外接 SD 卡规格转到嵌入式存储技术时，三星索性改变游戏规则，主导另一个技术规格上位，也就是 eMMC 嵌入式存储技术，现在该技术在嵌入式领域已位居主流地位。

三星当时力拱 eMMC 技术，而非 SD 阵营提出的 eSD 技术，就是不想再被 SD 阵营掐住脖子，避免使用任何 SD 技术相关的专利。

再者，在存储卡上，三星也力推全新一代 UFS （Universal Flash Storage）规格的卡片，全力摆脱 SD 阵营的钳制，而 SD 阵营也力推 SD 7.0 标准，导入 PCIe 3.0 汇流排介面和NVMe通讯协定，正式命名为 SD Express 来应战！

SD-3C 找来朗科当枪使，追讨权利金大作战正式启动

这次 SD-3C 公司想要认真地在中国存储市场上追讨权利金，且传出找朗科帮忙，业界认为是很“聪明”的做法。因为 SD-3C 公司是美日合资，要站到第一线向中国模组厂查帐收钱难度非常高，但找朗科作“打手”，把朗科当枪使，却是非常聪明的作法。因为，同为深圳的存储模组厂，朗科很知道行业内的状况，以及圈子里的游戏规则。

行业内人士分析， SD-3C 公司开始执行智财权的谈判，会分为中国内需市场的销售，和外销部分的影响，而第一个受到冲击的会是出口的业务，尤其是部分出口到美国的存储卡产品，可能会被海关先扣下来查帐。

深圳朗科科技成立于 1995 年 5 月，曾有“中国移动存储第一股”之称，因为手上拥有闪存盘的专利，且市面上多数生产、销售闪存盘产品的业者，都需要取得朗科的授权。朗科最知名的一战，是与美系存储模组厂 PNY 打了 12 年的专利官司。

（来源：朗科科技官网）

此外，朗科为了推广手上的专利，也利用协商谈判的方式与不少存储大厂签订专利许可协议，包括日本存储芯片大厂东芝、存储模组龙头大厂金士顿、存储控制器大厂群联等，都与朗科签署专利许可协议，以获得闪存盘专利的授权。

近年来存储产业的专利诉讼不断，日前联电控告美系半导体大厂美光专利侵权，且福州法院判定美光相关疑似侵权的产品暂停出货，在全球半导体产业引发震撼，美光已经提出证据来证明专利并未侵权，目前法院仍在审理中。

SD-3C 公司在此时试图与中国厂商进行智财权的谈判，时间点十分敏感。一方面，中国在半导体技术自主的道路中，“专利”和“智财权”是大家广泛讨论的议题，与“人才”并列为核心关键，另一方面， NAND Flash 产业供需情况，眼下正是处于狂风暴雨中。

众所周知， 3D NAND 技术经历快两年的拉升良率过渡期后，从 2017 年下半起已经开始大量供货，但也迎来价格由涨转跌的转折点，整个存储市场进入高度震荡期和修正期。

过去一年以来， NAND Flash 价格究竟修正多少？初步估计，从去年至今价格下跌了 50% ，有三个时间点出现显著的崩跌走势。第一次的价格崩跌是出现在去年 11 月，再来是今年 3 月，最近一次是今年 6 月份左右，而第三季开始进入手机的传统备货期后，虽然没有再次严重崩跌，但也一直是缓跌的走势。

NAND Flash 业者认为，价格的修正不是坏事，因为过去几年3D NAND 技术转换不顺，导致供给减少、价格上涨时，只有最上游的 NAND Flash 制造商如三星、东芝等赚到钱，但终端需求其实是缩水的，下游厂商都苦哈哈的，尤其是固态硬盘（SSD）等产品，价格一上来，消费者就呈现观望，或是转采购低容量的产品。

现在的 NAND Flash 市场进入“缓跌期”，是最好大举刺激需求出笼的时间点，尤其是核心产品 SSD ，消费者会有更高的意愿购买更高容量的产品，有助于消化更多的 NAND Flash 芯片，让市场走势趋于健康。

（来源：麻省理工科技评论）

不过，此时 SD-3C 有意出手向中国存储模组厂追讨权利金，这对于 NAND Flash 市场的供需又增添另一个变数，短时间会让很多模组厂为了避风头，可能会暂时减少 SD 存储卡的生产。这样的状况，将可能让已经在爆炸边缘的 NAND Flash 库存问题，陷入“一触即崩”的危机。

或者，这些厂商会是转去向一些具有合法 SD 技术授权的厂商来直接采购成卡转手销售，才能规避被收取 6% 的权利金，像是模组龙头大厂金士顿、存储器大厂群联等，都具有合法合规的 SD 技术授权。

中国半导体产业在倡导技术自主下，存储产业追赶的力道特别猛烈，有长江存储带头冲刺，技术也出现突破性进展，然下一个要严肃面对的问题，绝对是专利和智财权。

中国的存储产品无论是关键芯片，或是终端存储产品要在全球激烈竞争的丛林中脱颖而出，以及培养具世界级口碑的品牌，都必须走出中国、迈向国际化市场。

然当踏出这一步的同时，就必须遵守国际法则，“专利”和“智财权”不会只是政治谈判桌上纸上谈兵的议题，这也是考验决策者的战略智慧，能否坚持对企业自身品牌高度的追求，唯有跨过这一条线，才能朝世界级一线大厂之林前进。

SD NAND FLASH 什么是pSLC

一、什么是pSLC

pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即伪SLC，是一种将MLC/TLC改为SLC的一种技术，现Nand Flash基本支持此功能，可以通过指令控制MLC进入pSCL模式，存储时在MLC的每个单元中仅存储1bit数据，使MLC拥有SLC的性能，同时具有MLC的性价比。

如图所示，单个单元中，MLC可以存储2bit数据，单个单元可以拥有4种状态，当进入pSLC模式后，仅保存1bit数据。

什么是pSLC

二、各NAND FLASH的特点

MLC常用制程为15nm，擦写次数约为3000次，改为pSLC模式后约为2万次。

特点

三、pSLC的优缺点

pSLC具有以下优点：

（1）与相同容量下的SLC相比，成本更低，体积更小；

（2）比MLC更高的P/E次数。

pSLC的缺点：

（1）寿命与性能略低于SLC；

（2）pSLC模式会牺牲原生芯片的一部分容量。

四、应用场景

CS创世推出的2GB pSLC SD Nand,尺寸为6.2*8mm，使用标准SD2.0协议，可以无需修改软件直接替换SD卡和TF卡，采用了贴片式SD NAND后能使您的产品更稳定更安全同时有效增加使用寿命。该芯片几乎达到了协议的最高理论速度（25MB/s），连续读取最高速度可以到达20.6MB/s,连续写入最高速度可以达到19.4MB/s。

CSNP16GCR01-AOW

pSLC SD Nand在文件传输时无论是大文件还是小文件，读写速度都可以保持在一个稳定的状态，同时在反复擦写、异常掉电等特殊场景都具有良好表现，且芯片温宽达到-25℃到85℃，同时兼具SLC的优点和MLC的性价比，是工业存储设备不二选择。

pSLC SD Nand在文件传输时

深圳市雷龙发展有限公司主营Nand Flash 15年，产品应用领域有：医疗设备，工业控制，PON，安防，机顶盒，DVR，通信，网络设备，IPC，执法记录仪，可视对讲，门禁考勤，平板电脑，汽车电子，电力设备，工业仪器设备，POS机，数码相机，教育电子等。其代表客户包括:创维，友华，糖猫，西门子，阿巴町，TCL，ZTE，ABB，Vtech等。

美日大厂开炮，中国厂商遭SD专利费瞄准，闪存价格恐被一刀剖开

SD NAND FLASH 什么是pSLC

关于我们

产品中心

服务与支持