2TB NVMe M2 SSD掉速？99%占用实测揭秘

闪存价格一跌再跌，不足0.83元/GB的NVMe M.2 SSD都已经全面铺货，打算升级SSD的用户都乐坏了吧？但是，仍然有人对升级SSD存在很多顾虑：数据是否安全？大容量SSD会不会掉速？有些小伙伴甚至因为害怕SSD掉速而迟迟不敢升级，有读者在《0.83元/GB的2TB NVMe M.2 SSD，速度有保证？》文章留言中提出了掉速质疑。今天小狮子就来兑现承诺了，实际检测一下吧！

NVMe M.2 SSD速度快？事实是否如此？

越来越多用户选择购买NVMe M.2 SSD的重要原因是因为它速度快，究竟是厂商标称理想测试速度，还是实际测试结果呢？小狮子选择了报价1699元的阿斯加特2TB NVMe M.2 SSD进行了实际检测，而这款产品也正是上文读者提出质疑的SSD。

AS SSD Benchmark 软件测试中，阿斯加特2TB NVMe M.2 SSD跑出了412829 IOPS的4K-64Thrd 读取速度和270371 IOPS的4K-64Thrd 写入速度，并且在不同大小传输数据包情况下，测试成绩相差无几，第一关算是通过了。

CDM测试中，阿斯加特2TB NVMe M.2 SSD在不同大小数据量写入的情况下，依然保持3300MB/s左右的读取速度以及超过2700MB/s写入速度，并未出现读者担忧的SSD掉速现象。测试到这里，理论速度表现算是通过了检验，实际表现又如何呢？

当作系统盘，实际应用表现如何？

如果你买了NVMe M.2 SSD，编辑肯定建议你把它作为系统盘，现在装系统不再是一件很麻烦的事情了，可以通过系统迁移的方式，将原有系统盘的所有数据、所有设置以及快捷操作都迁移到新硬盘中，简单方便。

选择你将迁移系统到哪个目标盘

软件自动识别系统迁移需要的硬盘空间

执行系统迁移操作

系统迁移完成之后，在BIOS里设置从NVMe M.2 SSD启动，打开电脑之后，所有页面布局、应用程序都跟原来硬盘的设置一样。通过这样的方式装系统，的确简单方便。把这款阿斯加特2TB NVMe M.2 SSD作为系统盘之后速度还能有保证吗？带着这个疑问，小狮子进行了下一轮测试。

因为这款SSD相比原系统盘存储空间多了近3倍，在系统迁移时，自动分成了两个区。小狮子首先检测了系统分区的速度表现。

在AS SSD Benchmark 测试软件下，阿斯加特2TB NVMe M.2 SSD的系统分区随机读取速度达到2641.15MB/s，随机写入速度达到2432.55MB/s。4K随机读取速度达到422198 IOPS，4K随机写入达到245925 IOPS，相比当做系统盘之前，速度相差无几。这时候，肯定不少小伙伴又产生了新的疑问：空盘测试速度稳定，存了数据之后还能保证不掉速吗？于是，小狮子进行了硬盘满载测试。

除了系统分区之外，小狮子在阿斯加特2TB NVMe M.2 SSD新分区存储数据量在9%、56%以及88%和99%的情况下进行了速度测试。在存储空间占用到88%以前，读写速度依然能够保持稳定，但在存储盘占用量达到99%时，读取速度还算稳定，连续写入速度变成了1204.6MB/s，小狮子觉得这样的表现其实也还算很不错的了。但这样的速度变化到底算不算掉速，可能得小伙伴们自己判断了。

总结：实测不掉速，大容量NVMe M.2 SSD可以买

据最新消息，为了防止过量的NAND闪存供应导致市场崩溃，三大NAND生产厂商Intel、美光以及SK海力士已经共同宣布将采取手段遏制供大于求的现状，具体来讲就是全方位的减缓生产速度——少切点晶圆，慢建新产线。所以，准备给电脑升级SSD的朋友，尤其是想体验极速传输的用户，果断下手大容量NVMe M.2 SSD吧！

海力士推出第3代4D NAND闪存：最高176层堆叠

使用NAND Flash的固态硬盘及其相关的价格一直走低，主要得益于闪存堆叠层数的不断增加和供货充足的市场环境。从96层3D NAND闪存芯片开始，SK Hynix便致力于推动4D闪存技术的发展，虽然海力士的4D NAND基于3D NAND开发而来，但在性能和能效上具备相当优势。 

  SK Hynix在12月中旬公布第三代176层的NAND闪存芯片，设计也从传统升级到PUC方案。在最大限度提高生产效率，同时还能减小存储芯片的尺寸。并确保每片晶圆的最佳产出。

  外媒WCCFTech指出，作为4D NAND闪存芯片系列的最新一代，海力士已于上月向主控企业提供样品，以推动相关产品的上市。海力士NAND开发负责人Jung Dal Choi表示：“闪存行业正在努力改善技术，以实现高集成度和高产量。同时作为4D NAND的先驱，海力士将引领业内最高的技术和产能”。

  性能方面，第三代4D NAND技术可提升单元读取速度和数据传输速率，而且176层NAND闪存芯片采用2分区单元阵列选择技术，其原理是将存储单元分成两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术(确保数据调用请求能够快速响应)，第三代4D NAND还可将传输速率提升33%。然后是能够实时自动校正的超精密对准技术，其特点是能够保障堆栈之间的电流稳定性，进而确保可靠的性能。 

  海力士希望在未来开发出基于176层4D NAND技术的Tb级产品。

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