消息称三星明年推出第10代NAND：三重堆叠技术，最高430层

IT之家 4 月 28 日消息，三星半导体日前宣布量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，位密度（bit density）比上一代产品提高约 50%，通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。

第九代 V-NAND 采用双重堆叠技术，在旗舰 V8 闪存的 236 层基础上，再次达到了 290 层，主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。

而业内消息称三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片 ，采用三重堆叠技术，达到 430 层，进一步提高 NAND 的密度，并巩固和扩大其领先优势。

市场研究公司 Omdia 预计，NAND 闪存市场在 2023 年下降 37.7% 后，预计今年将增长 38.1%。为了在快速增长的市场中占据一席之地，三星誓言要大力投资 NAND 业务。

IT之家此前报道，三星高管表示，该公司的目标是到 2030 年开发超过 1000 层的 NAND 芯片，以实现更高的密度和存储能力。

3D NAND预计2021年可实现140层堆叠

IT之家5月15日消息 IMW 国际储存器研讨会2018目前在日本京都举行，在会上邀请到超过100名参业内人士参与，来自半导体设备制造商应用材料公司的Sean Kang发表题为“3D NAND 技术及缩放材料、工艺、设备展望”的演讲，提及到未来3D NAND Flash 的发展趋势，预计到2021 年3D NAND Flash 的堆叠数将会增加到140 层以上，同时会较现在的变得更薄。

在今年内 3D-NAND 堆叠层数将会发展至超过 90 层，到后年即 2020 年层数会升级至 120 层，路线图更预期至 2021，3D-NAND 堆叠将可超过 140 层。

3D NAND Flash 技术在现在广泛被使用，其设计与2D NAND 相反，储存器单元不在一个平面内，而是一个堆叠在另一个层之上，以这种方式每颗晶片的储存容量可以显著增加，而不必增加晶片面积或者缩细单元，使用3D-NAND 可以实现更大的结构和单元间隙，这有利于增加产品的耐用性。

东芝及西数已计划在今年大规模生产新的96层BiCS4 储存晶片，至于三星也在发展QLC NAND 晶片，将会在第五代V-NAND技术实现96层这一目标，并在此基础上推出首款128 TB SSD。

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