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内存用nand NAND闪存价格已见底？内存硬盘会涨价吗

发布时间 : 2025-04-29

作者 : 小编

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NAND闪存价格已见底？内存硬盘会涨价吗

2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市，领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片，其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价，迄今已经连跌了6个季度。

NAND闪存连跌6个季度

NAND闪存降价的趋势还会持续下去，今年Q2季度SATA SSD合约均价较前一季下跌15-26%、PCIe SSD部分则下跌16-37%。对消费者来说，512GB及1TB SSD硬盘合约均价在年底前有机会跌破每GB 0.1美元，将加快取代500GB及1TB机械盘的过程。

根据全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）研究显示，今年NAND Flash产业明显供过于求，SSD厂商大打价格战导致PC OEM用SSD价格大跌，预期512GB与1TB SSD合约均价在年底前有望跌破每GB 0.1美元的历史新低水平，这将使得512GB SSD取代128GB，成为仅次于256GB的市场第二大主流规格。而PCIe SSD的市场渗透率，受惠于与SATA SSD近乎同价，而有机会挑战50%大关。

集邦咨询研究协理陈玠玮指出，2018年NB SSD搭载率已首度突破50%大关。由于主流容量128/256/512GB SSD合约均价自2017年高点迄今已大跌超过50%，加上512GB与1TB SSD合约均价在年底前有机会跌破每GB 0.1美元，这将刺激出大量取代500GB与1TB HDD的需求，预计2019年SSD搭载率将落在60-65%的水位。

上游厂商认为5月会回暖

根据全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）研究显示，NAND闪存价格已经连跌6个季度，今年NAND Flash产业明显供过于求，SSD厂商大打价格战导致PC OEM用SSD价格大跌，512GB/1TB价格年底有望创造历史新低。NAND闪存价格会这样一直跌下去吗？

上游厂商显然不愿意如此，SSD主控大厂群联表示NAND厂商已经减产，市场需求将回温，5月份还有台北电脑展，将会对营收带来帮助。

群联公司今天公布了4月份的营收报告，当月合并营收30.84亿新台币，环比下滑5.8%，同比更是大跌了12.3%，1-4月合并营收也下滑3%到124.3亿新台币，而群联4月份营收降低的主要原因就是NAND闪存跌价。

不过NAND闪存ASP均价下滑的过程中，出货的位元总量还在大幅增长，与上一年同期相比，4月份SSD、eMMC出货总量增长了大约40%，DRAM内存模组出货量也增长了65%，总的位元容量增长了106%，显示出市场需求还在增加。

根据群联董事长潘建成的消息，NAND闪存目前供需失衡，上游的NAND厂商如三星、美光、东芝等公司都已经决定削减NAND产能，再加上NAND闪存价格现在已经见底，甚至跌到了成本线了，所以NAND跌价的趋势会放缓，与群联之前的预期相符。

潘建成指出，随着NAND闪存价格见底，终端需求也开始回升，买方已经开始补充库存，再加上5月份还有台北电脑展助力，本月的营收情况会有所好转。

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我们熟知的NAND闪存，还有个“双胞胎兄弟”

【IT168 评论】无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。

　　NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型，它具有不同的设计拓扑结构，某些特定的应用场景下更为适合。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前，检查其结构差异是很重要的。

　　NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片，是当前市面上嵌入式以及独立式SSD的主要原材料。多层单元(MLC)技术和3D制造工艺的结合，将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上，使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。

　　NAND与NOR电路基础

　　尽管NAND闪存是这两种非易失性内存技术中相对流行的一种，但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的区别和命名，需要简要回顾一下逻辑门的基础知识。

　　NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”（and）以及“或”（or）。如下所示，NAND和NOR都生成响应两个二进制输入的输出。

响应两个二进制输入的NAND和NOR输出

　　NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。

　　NAND门在概念上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面跟着一个NOT门，这是一个逻辑反转。相应的，NOR门在概念上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1，然后是NOT门，这是一个逻辑倒装。

　　布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存至关重要，因为闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中，一组中的所有单元(通常是一个字节的倍数，取决于芯片的大小)共享一条位线，并以串行方式连接每个单元，每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节，通常为4 KB到16 KB。因此，只有当所有的字线都是高或单状态时，位线才会降低或变为零状态，这实际上将内存组转换为一个多输入NAND门。

　　与此相反，NOR闪存并行组织位线的方式是，当位线和字线都处于低或零状态时，内存单元只保持高或单状态。

　　NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上，而不需要外部接触，从而显著减少了其横截面积。

　　NAND闪存单元的串联连接意味着它们不需要单元之间通过金属层进行外部接触——而这正是NOR拓扑结构所需的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级，或100倍。此外，组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中，位线类似于垂直管道。

　　相反，由于NOR闪存单元不能单独寻址，因此它们对于随机访问应用程序更快。

　　NAND与NOR产品类型

　　这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异，它们有各自最适合的应用程序类型。除了容量外，NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和成本特性，如下图所示。

　　这两种闪存中也有几种不同的产品类型，它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式控制功能方面有所不同。

　　NAND闪存产品类型

　　NAND闪存以单层（SLC）、多层（MLC）、三层（TLC）或四层（QLC）的形式在每个单元（cell）中存储bit，分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适合于工作负载，简单来说，每个单元的位数越高，其容量就越大——当然，是以数据持久性和稳定性为代价的。

　　NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片，这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中使用。相比之下，托管型NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能，比如磨损调平、坏块管理(从使用中消除非功能性内存块)和数据冗余。

　　NOR闪存产品类型

　　串行设备通过只暴露少量(通常是1到8个)I/O信号来减少包的pin数。对于需要快速连续读取的应用程序来说，这是理想的选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

　　并行NOR产品暴露多个字节，而且通常使用内存页而不是单独的字节进行操作，更适用于启动代码和高容量应用程序，包括数码单反相机、存储卡和电话。

　　两种闪存都是不可或缺的

　　NAND是闪存的主力，广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过，NOR 闪存在存储可执行的启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序方面起着关键作用。显然，这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。

　　原文作者：Kurt Marko

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