CS创世 SD NAND与SPI NAND的对比分析
之前我们写过文章说明了CS创世 SD NAND与eMMC,TF卡,Raw nand等产品的对比。今天给大家聊聊CS创世 SD NAND 与SPI NAND的对比。
这两个产品外观看起来类似孪生兄弟:感兴趣的朋友们可以找雷龙发展申请免费样品测试哦~~~
CS创世 SD NAND 与SPI NAND的对比
都是6*8mm大小,SD NAND是LGA-8封装,SPI NAND是WSON-8封装。它们有哪些异同点呢?
一, 相同点:
1.1 内部材质
主流基本都使用的是SLC NAND Flash晶圆,擦写寿命5~10W次
1.2 封装大小
主流尺寸都是6*8mm,8pin脚
二, 不同点:
2.1接口不同
SD NAND正常接CPU的SDIO使用,有些平台也支持SD NAND接SPI接口(但读写速度可能会变慢); SPI NAND接SPI接口, 接SDIO则无法正常使用。
2.2驱动程序
基本上主流CPU平台都自带SDIO的驱动,因此SD NAND不需要用户额外写驱动;另外SD NAND内置了针对NAND Flash的EDC/ECC,坏块管理,平均读写,垃圾回收等算法。针对NAND Flash的管理完全做好了;而SPI NAND主要是做协议的转换,从并口转为SPI接口,有部分厂商产品内置了EDC/ECC算法,但其他管理机制未包含在内。从而导致了用户在使用SPI NAND时还是要写驱动程序。
2.3读写速度
由于接口和协议的差异,两者的速度差异比较大。SD NAND走的是4-bit传输带宽,读写速度相比SPI NAND要快很多,最高写入速度可以达到Class 10级别;而SPI NAND 主流还是1-bit传输模式,读写速度要慢很多。
2.4稳定度
SD NAND由于内置了全套管理算法,在稳定度方面会好很多。特别是针对掉电保护这块。例如CS创世 SD NAND二代通过了客户10K次的随机掉电测试。而SPI NAND跟Raw NAND 都“继承”了NAND Flash先擦后写机制带来的弊端,在写入数据的时候突然掉电很容易丢失数据。
整体来看SD NAND是一个集成了完整NAND Flash算法的Total Solution,而SPI NAND主要是完成协议的转换,内置的算法并不完整。
亲爱的卡友们,如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方,请联系我们,自己去理解或猜答案是件很累的事,请把最麻烦的事情交给我们来处理,术业有专攻,闻道有先后,雷龙发展专注存储行业13年,专业提供小容量闪存解决方案。
SD NAND应用领域
重大突破 国内首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功
日前,国内存储行业迎来重大喜讯,由至讯创新完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功,预计将于明年年初全面投放市场 。这是国内存储行业的跨越式突破,技术水平已赶超国际一流。
这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量,提供1.8V和3.3V电压,并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装。
其即可满足消费级产品对可靠性的需求,还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。通过技术的创新实现了芯片面积缩小40%,I/O速度提升25%,擦写周期提升70%,芯片性能超越国内同类竞品。
至讯创新联合创始人、董事长汤强博士表示,“ 在过去的几个月里,我们的研发团队面对疫情、技术等重重考验,用最短的时间攻克了道道难关。此次19nm芯片的成功研制是至讯创新破茧成蝶的第一步,未来我们将持续加大研发投入,与更多合作伙伴展开更深度协作,保持每年两到三个先进工艺项目的开展,使更具有创新力、竞争力的产品陆续登陆市场。”
至讯创新联合创始人、CEO龚翊女士表示,“ 这款核心产品性能卓越又极具性价比,应用领域非常丰富。目前,我们已顺利与几大重要合作伙伴签署战略合作协议,明年将从核心大客户端发力,确保在全球存储市场低迷的情况下实现逆势上扬,一举提升我们的市场占有率。”
至讯创新联合创始人、COO王超先生表示,“ 目前公司正进行A轮融资,我们将抓住这个资本市场的战略窗口期,充分发挥资本的强力支撑作用,为公司的研发、运营和业务推广注入更多动力,不断提升工艺的先进性、产品的竞争性和服务的全面性,为实现我国存储芯片的国产替代提供更多助力。”
未来,至讯创新将抓住中国芯片产业突围的历史性发展机遇,坚持“以人为本,开拓创新”,立争早日跻身全球一流存储芯片公司行列。
资料显示,至讯创新科技(无锡)有限公司旨在领导存储技术创新,成为全球存储行业的领军者。公司成立于2021年10月,总部位于江苏无锡,在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构,完备的营销及服务网络为客户提供快捷、优质的支持。
公司汇聚海内外存储业界翘楚,凝聚了一支拥有工程院院士、国家重大人才计划专家、省级海外高层次青年人才等顶尖人才的一流研发团队。核心骨干均拥有15年以上的国际大厂研发和管理经验。公司专注于中小容量存储芯片的研发,团队可全面覆盖设计、测试、工艺提升等关键环节,且具备完全自主可控的知识产权。
在质量管理方面,公司有严格的标准与要求,已获得ISO 9001等国际质量体系认证,同时积极推进产业整合,与全球多家领先晶圆厂、封装厂达成战略合作伙伴关系。
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