三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

国产闪存突飞猛进！三星扩大中国NAND产能：投463亿

为了打破韩国在闪存上的垄断，国内公司都在努力，之前长江存储曾宣布，2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，而今年他们还将出样32层NAND闪存。

这消息足以让人振奋，但就算一切进展顺利，三星等厂商是在今年内全面开始量产64层堆栈闪存，所以国产与其差距也要在2年以上， 而真正达到相抗衡的条件，恐怕还要等的更久。

面对国产闪存疯狂追击，三星自然不敢懈怠，其今天宣布将扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能，未来三年投资70亿美元。

其实在这之前，三星已经在韩国投资186.3亿美元，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。除了三星，东芝和SK海力士也已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的生产，不过随着高端存储产品的普及，NAND芯片的短缺问题更为严重。

三星现在也在通过更大规模的投资来扩大闪存、内存的产能，毕竟智能手机制造商越来越倾向选择更大存储。

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