这样找回你的宝贵数据，一体化封装闪存设备的数据恢复

现代很多的 NAND 闪存设备使用了一个新的结构，把传输接口.控制器和存储器芯片全部整合到一个陶瓷基板上，我们称之为 Monolithic （一体化封装）架构。

以前，像是SD.Sony MemoryStick.MMC等类型存储卡，都采用了分离的部件设计，一般由控制器. PCB与一个TSOP-48或LGA-52封装的NAND存储器芯片组成。在这种情况下，数据恢复是比较简单的，我们只要把存储芯片焊下，通过Flash设备进行读取，模拟控制器算法，就能实现数据恢复。

但是如果我们的存储卡或UFD设备是基于一体封装结构，我们该怎么做？要怎样才能访问NAND存储芯片并从中读取数据？

基本上，在这种情况下，我们应该要试着进行镀层刮除来找出一体封装特殊引脚

在开始做数据恢复前，我们必须告诫您，整个焊接读取恢复过程是非常复杂，而且需要良好的焊接技术与特殊设备。（编者注：所以在新版PC-3000 Flash Reader ver. 4.0上配备了蜘蛛板适配器，具体见后文）

下面为本次操作所需要的设备清单：

1.一部好的光学显微镜，可以x2.x4.x8变焦

2.USB烙铁以及非常细小的烙铁头

3.双面胶

4.助焊剂

5.BGA助焊膏

6.热风枪 (例如Lukey 702);

7.松香

8.木质牙刷

9.酒精(75% 异丙醇);

10.直径0.1mm 绝缘漆包铜线

11.抛光砂纸( 1000.2000与2500)

12.0.3mm BGA锡球

14.镊子

15.锋利的解剖刀

16.引脚电路图

17.闪存电路板适配器

当所有的设备都准备好，我们就可以开始了

首先，我们拿出一体封装闪存装置。在这个例子里，它是个MicroSD卡。我们要用双面胶把这张卡固定在桌子上。

然后，我们开始打磨环氧树脂封装。这个步骤需要花点时间，同时需要非常小心以及十足的耐心。如果你伤到了电路板引脚，那就不可能做数据恢复了！ （编者注：后文推荐了砂纸的替代工具---玻璃纤维刷扫笔，常用于修表，具体可见后文）

我们先使用粗砂纸1000或1200进行打磨。

当打磨了大部分后，我们需要换细一点的砂纸2000进行。

最后，当看到铜触点时，应该要使用最小号的砂纸2500.

如果您的操作都正确的话，最后应该会看到这样的结果：

接下来的工作，我们需要焊接三组电路：

数据I/O 触点：D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7

指令触点：ALE, RE, R/B, CE, CLE, WE

电源供应触点：VCC, GND

首先要找一体封装引脚图，找出兼容的引脚排列

然后我们要把microSD卡固定在闪存电路板适配器上好方便焊接。

在焊接前将您的引脚电路图打印出来是一个不错的主意。您可以将图放在旁边，这样要检查引脚排列时就垂手可得。

我们已经准备好开始焊接工作了。确认您的工作台有足够的光照。

借助刷子上一些助焊剂到MicroSD的引脚位。

再借助湿牙签的帮助，将 BGA锡球放到电路图上标记的铜触点上。BGA锡球最好是使用触点大小75%左右的尺寸，助焊剂会帮助我们将BGA锡球固定在 MicroSD 存储卡的表面。

当所有BGA锡球放置在正确脚位上后，就要使用烙铁去熔焊。小心！所有的动作请千万小心进行！请用烙铁非常快速的碰触。

当所有的锡球都熔上后，您需要放一点BGA助焊剂在接触点上。

使用热风枪，我们需要把温度加热到200度以上。BGA助焊剂会分散热量并缓缓溶解。加热之后，所有触点与BGA锡块会呈现半球状。

现在我们要用溶剂将助焊剂清除，并用刷子清洁干净。

下一步要准备好铜线。切成一样长度。我们建议使用一张纸做测量基准。

然后，我们使用解剖刀刮除铜线外面的绝缘层，轻轻的将两头刮掉即可。

接线的最后一关是借助松香更好的焊接。

现在准备好要把线焊接到我们的闪存电路板适配器。我们建议先全部焊到电路板上，然后再把线借助显微镜的帮助焊接到存储卡上。

这是最复杂的操作，需要很大耐心；我们建议烙铁在右手，左手就拿着镊子和铜线；另外请保持您的烙铁干净！别忘了焊接中还是要持续不断的清洁。

当所有的触点都焊接好了之后，确认没有任何一根接GND！所有的针脚都必须固定的非常牢靠！

现在我们就可以将闪存电路板适配器插上 PC-3000 Flash，开始读取进度（编者注：由上可见，整个过程打磨是一关，焊接是另一关。非常考验细心和耐心，同时还要具备高超的手艺）

后记 ：

1.针对打磨一环，ACELAB网站还推荐了砂纸的替代工具---玻璃纤维刷扫笔（修表的工具）

它的用途：主要是提供较粗大的零件除锈之用，类似锉刀的功能，可藉由玻璃纤维将锈渍刮除。

它的用法：类似自动铅笔，使用时先压出适当的长度，在需要除锈的零件上来回刷，用完再将它缩回套管内。

使用注意：由于玻璃纤维极细，碎屑与皮肤接触会刺手而感到不舒服，所以使用前最好在桌面上垫一块衬底，便可以看清掉落的碎屑，保护自己。

2.针对焊接一环，考虑到上述操作需要数据恢复从业者具备高超的焊接技巧，同时需要花费大量时间，还需承担不小的风险。故在新版PC-3000 Flash Reader ver. 4.0上配备了蜘蛛板适配器，蜘蛛板适配器设计用于连接到一体封装闪存设备的技术引脚上。 25个专用针可方便连接到引脚，它不需要高级焊接技术，节省大量时间，同时降低了风险，使得整个恢复过程更方便，安全快捷。

蜘蛛板板载Xilinx Spartan3 XC3S50AN。

DRAM出现AI特需，NAND恢复缓慢

2023年7～9月，用于存储个人电脑和智能手机数据的DRAM的需求量3年来首次超过供应量。面向生成式AI（人工智能）高速处理数据的半导体需求猛增。但并未对数据传输速度较慢的NAND型闪存吹入东风。

英国调查公司Omdia的数据显示，7～9月DRAM的需求量达到561GB（Gigabyte，吉字节，1吉为10亿），比去年同期增长13％。供应量同比下滑15％，降至513亿GB。

预计10～12月DRAM的“供应充足度”为-28.3％，DRAM将供不应求。供应充足度为供应量除以需求量减去1再乘以100计算得出。结果为正代表供过于求，结果为负代表供不应求。

2023年，生成式AI使用的DRAM的一种——高带宽存储器（HBM）的需求猛增。这种产品由韩国SK海力士于2013年开发而成，数据传输速度和存储容量是通用产品的数十倍。

台湾集邦咨询（Trend Force）的数据显示，从HBM的全球份额来看，SK海力士占5成，韩国三星电子占4成，美国美光科技（Micron Technology）占1成。

据称，2023年三星的设备投资额为创历史新高的53.7万亿韩元，其中大部分资金用在了HBM上。2024年将把HBM的产能提高到目前的2.5倍。

领导美光制造部门的高级副总裁Manish Bhatia 说：“1年前没有预想到，生成AI对存储器市场有绝对的冲击力”，表示将在广岛县东广岛市的工厂增产HBM。

业绩也趋于改善。三星7～9月的半导体业务亏损3.75万亿韩元，亏损额度比上季度缩小了6100亿韩元。SK海力士7～9月的DRAM业务的营业损益时隔3季度扭亏为盈。

图为美光的半导体工厂内

同样在存储器业务上，NAND受到AI特需的推动很小。NAND的技术实现了通用化，每种产品很难差异化，容易降价。SK用于长期保存的NAND的损益出现了最终赤字。

日本的铠侠(Kioxia)7～9月的最终损益为亏损860亿日元（上年同期盈利348亿日元）。面向个人电脑及智能手机低迷，并且客户通过调整库存控制采购。通用产品的价格也比半年前降低了约2成。

在市场恢复缓慢的背景下，10月铠侠与美国Western Digital的半导体部门的整合交涉停止。

Omdia预计NAND过剩最快到2024年4～6月消除。由于铠侠的收益依赖NAND，因此业绩恢复的步伐沉重。

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