SSD要涨价了吗？西安变电站爆炸致三星NAND产能受损

上周六西安长安区变电站发生爆炸，导致西安部分区域短暂停电。虽然事故没发生什么伤亡，但是有个问题值得注意，那就是这次爆炸停电导致西安部分半导体公司产能受损，其中就包括三星最重要的3D NAND闪存工厂。

上周六凌晨时分西安长安区变电站发生爆炸，导致西安部分区域短暂停电。官方通报是国电陕西公司西安南郊330kV变电站因设备故障引起着火，西安市供电局表示，停电原因系南郊330kV变电站三号，四号主变压器着火。虽然事故没发生什么伤亡，但是有个问题值得注意，那就是这次爆炸停电导致西安部分半导体公司产能受损，其中就包括三星最重要的3D NAND闪存工厂。

2013年三星宣布在中国西安市投资70亿美元新建晶圆厂，主要生产的就是3D NAND，去年9月份的三星SSD全球峰会上三星表示经过两年的建设，西安的NAND工厂已经开始规模量产V-NAND闪存了，分析指该厂生产的NAND主要是第三代V-NAND闪存，48层堆栈，将是三星在韩国本土之外最重要的NAND基地，月产能高达10万片晶圆。

这次西安变电站事故就影响了三星NAND工厂，三星晶圆厂出现了电源闪断，机器大面积宕机，损失还在统计中。此外，西安市其他工厂如美光、立成也出现了电源闪断，部分设备受损。（晶圆厂是不能断电的，设备重新运行没这么容易）

问题是这个影响会有多大，目前消息看起来还好，三星表示受损的产能约为1-2%，属于可控范围，未来对供货不会有任何影响。

不过小编周末看到这个新闻的时候也发现有些媒体、股市分析师闻风而动了，三星所受影响不大，但难保有些人会借机炒作。

晶圆厂受起火（或者其他意外原因）导致产能受损进而影响市场价格的前车之鉴就是2013年SK Hynix无锡工厂着火，那次火灾影响很大，而无锡工厂的DRAM产能占到全球的13%，以致于内存价格在此之后不断上涨，过了一年多才恢复正常。

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一文弄懂为何固态硬盘不易恢复数据这两点很重要

自从固态硬盘迈入TLC时代，500GB已成为笔记本电脑标配，TB级SSD也跌进千元以内，实在是提升电脑性能的一大利器。

挑好SSD，它没那么脆弱

奇客之前回答网友提问时，多次推荐SSD作为重要数据存储设备，遭到一些朋友的质疑，说SSD数据丢失难以恢复。但其实我想说的是，只要是大牌产品，主控颗粒质量有保障，经过这几年的优化发展，基本不会毫无征兆突然死亡。再者说，固态硬盘恢复数据并非不可能，只是相对机械硬盘来得困难，因为二者工作机制截然不同 。

和机械硬盘不同，固态硬盘放弃了线性写入，而采用并行写入，也就是数据被分解成小块，同时写入不同的Nand芯片中。但是一些最便宜同时最慢的SSD，只采用一个Nand芯片怎么办？存储颗粒上每个物理块都动态分配一个逻辑地址，以帮助SSD控制器进行均衡磨损。因此，读取Nand芯片的内容，并返回一个数据混合成块的拼图，以一种看似随机的方式混合。

SSD必须转换Nand地址以便映射坏块，并提供均衡磨损，而Nand颗粒都有写入寿命，即PE全盘擦写次数。大多数TLC SSD都模拟SLC缓存算法，也就是划出专门SLC缓存区，以更低的工作电流改写数据，获得更快的速度，同时减少Nand物理磨损。

3种Nand颗粒的体质差异

看懂SSD Trim工作原理

通常磁盘操作的删除不是马上删除，而是标记为待删除的无效数据（你可以做个试验：拷贝一个大文件到U盘，中途取消然后马上再拷贝一次，前面写入的数据又从无效变成有效，所以速度非常之快，之后恢复真实写入速度）。

机械硬盘工作原理只有读和写，因为数据可以原有磁道上直接覆盖，不需要经过清除这个步骤，这是机械硬盘磁道记录信息的特点。但是SSD不行，SSD改写数据需要执行读、擦、写三个动作，任何一个Nand芯片如果里面有数据，必须把有数据的区块擦除清零才能写入。

对于SSD而言，TRIM指令最大作用是清空待删除的无效数据 ，在SSD执行读、擦、写步骤时，预先把擦除的步骤先做了，这样才能发挥出SSD的性能。奇客之前说过，购买SSD移动硬盘盒和易驱线，要看主控是否支持Trim指令。

一些SSD用几年就掉速，一个原因就是待删除的无效数据太多，每次写入时主控都要先做清空处理，所以性能受到了限制。奇客以前就碰到一块金士顿V300，没有4K对齐速度掉的厉害。

SSD读、擦、写三步曲，就像清理鞋柜，丢掉不要的旧鞋才能装新鞋

因为有些SSD主控算法没那么聪明，很多时候并不会主动清理，通常是系统空闲下来才执行操作。 而很多人用电脑基本不会空闲下来，系统就没时间让SSD休息一下。开启Trim的好处就是随时清空待删除的无效数据，这需要具备两点：Win7以上操作系统，固态硬盘4K对齐，Trim才能生效。

Trim开关命令行：

关闭：sudo trimforce disable

启用：sudo trimforce enable

如果想手动运行Trim，运行Powershell命令行：

Optimize-Volume -DriveLetter G -ReTrim -Verbose

其中G是指定盘符，要在磁盘空间时操作

你知道了Trim的功劳，自然明白如果没有它，固态硬盘删除文件后，一段时间内没做清空处理，以前的文件是可能恢复过来的，这种情况也适用于XP老系统。

SSD数据恢复到底难不难

上面说固态硬盘正常时恢复删除的文件，那么有人说SSD一旦损坏数据就全报销了，是这样吗？奇客要说的是：分情况。

SSD主控写死情况比较少见，而只要Nand颗粒不损坏就有可能恢复数据。如果没有SSD主控的帮助，想恢复固态硬盘上的文件非常难，而且算法是核心技术，厂家不开源。

因为数据恢复要重建转换表，以确定哪些Nand芯片和保存数据的具体地址。不同的主控算法不同，转换表格式也不同，Nand芯片越多重建就越困难，所以SSD数据恢复比较复杂。

数码之家论坛有位达人用专业工具成功恢复了一块64GB CF卡上的视频文件18.4GB，这块存储卡采用了美光SLC颗粒，主控是慧荣SM2246XT，走的是SATA协议，等于小型固态硬盘。

这张CF卡标称速度达510MB/s

这个工具是Flash Extractor——一款比PC3000更牛的数据恢复软件，它可以恢复任意损坏U盘和固态硬盘里的数据。注意是硬件上的损坏，不过软件还要配合对应设备才行，就是下图这个板子：

芯片编程器通过转接头支持各种颗粒

看到镁光颗粒吗？没错，就是把Nand颗粒拆下来，用工具读取底层数据，对照Flash转换表Dump下每个颗粒，通过复杂的算法重组得到正确数据，再用WinHex打开数据镜像，转换为硬盘MBR模式，最终根据文件类型成功恢复数据。

也就是说，不管是BGA还是TSOP封装的Nand颗粒，还是手机采用的eMMC和UFS闪存，理论上通过类似方法都可以恢复数据。但是随着Nand颗粒堆叠层数增多，TLC数据恢复难度会比SLC/MLC更高。所以还是要提醒大家，定期关注硬盘SMART状态，定期备份重要数据，有备无患才是王道。

最后是奇客推荐SSD——

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