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ram nand ddr 宏旺半导体分析RAM，ROM，SDRAM，DRAM，DDR，flash之间的区别

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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宏旺半导体分析RAM、ROM、SDRAM、DRAM、DDR、flash之间的区别

在很长一段时间，宏旺半导体带来了存储各个版块的干货，可以翻阅往期文章查阅，今天宏旺半导体将做个小总结，系统阐述存储器，有不出入的地方欢迎指出哦。

存储介质基本分类：ROM和RAM

RAM： 随机访问存储器(Random Access Memory)，易失性。是与CPU直接交换数据的内部存储器，它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。它的作用是当开机后系统运行占一部分外，剩余的运行内存越大，手机速度越快，运行的程序越多，剩余越少。

ROM： 只读存储器(Read Only Memory)，非易失性。一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变。计算机中的ROM主要是用来存储一些系统信息，或者启动程序BIOS程序，这些都是非常重要的，只可以读一般不能修改，断电也不会消失。关于ROM的一些新发展，宏旺半导体也在之前的文章中详细讲过。

今天要带来的内容就在下面一张图里，先来讲讲RAM和ROM，两者相比，的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。

随机访问存储器：RAM

随机访问存储器分为两类：静态的和动态的。静态的RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快，但也贵很多。SRAM用来作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。DRAM用来作为图形系统的帧缓冲区。

SRAM： SRAM存储器单元具有双稳态特性，只要有电，它就会永远的保持它的值（有点类似ROM易失性）。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。

DRAM： 动态RAM。

SDRAM： 同步DRAM。

DDR SDRAM （Double Data-Rate Synchronous DRAM）：双倍数据速率同步 DRAM。

DDR2： 不同类型的DDR SDRAM。

DDR3： 不同类型的DDR SDRAM。

RAM断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。现在手机中的RAM一般是由LPDDR担当，尤其是速度快功耗低的LPDDR4X在市面上的旗舰手机中占比较大，宏旺半导体今年也推出了LPDDR4X 8GB，满足市场应用所需，广泛应用于手机、平板、超薄笔记本等领域。

只读存储器：ROM

计算机存储器在其上数据已被预先记录。一旦将数据写入ROM 芯片，就无法将其删除，只能读取。与主存储器（RAM）不同，即使计算机关闭，ROM也会保留其内容。ROM被称为非易失性，现在有很多非易失性存储器。由于历史原因，虽然ROM中有的类型可以读也可以写，但是整体上都被称为只读存储器（Read Only Memory）。ROM是以它们能够被重新编程（写）的次数和对它们进行重编程所用的机制来区分的。

PROM （Programmable ROM）：可编程ROM，只能被编程一次。

EPROM （Erasable Programmable ROM，EPROM）：可擦写可编程ROM，擦写可达1000次。

EEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM）电子可擦除EPROM。

闪存（flash memmory）：基于EEPROM，它已经成为一种重要的存储技术。固态硬盘（SSD）U盘等就是一种基于闪存的存储器。

nor flash ：NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

nand falsh ：NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

希望这篇文章能给大家带来帮助，更系统地了解存储器，有任何有疑问的地方都可以来找宏旺半导体，欢迎关注哦~

手机内存越大越好？你需要了解LPDDR3与LPDDR4的区别

2月22日，360 在北京发布了 2017 年旗下 N 系列首款机型——N5，并且史无前例的将骁龙653 处理器+6GB 运存的配置卖到了 1399 元的价格，再次将性价比拉升到了一个新的高度。

360 N5 售价

4GB 早在 2015 年下半年就被某些手机厂商列为了最低标配，而大多数厂商也在去年上半年陆续跟进让 4GB 运存成为旗舰的标配，相比之下国产手机竞相争夺性价比的前提下，4GB 内存手机的价格更是不断被刷下限。

vivo 在去年 2 月底发布了 Xplay 5 旗舰手机，成为首款搭载 6GB 内存的手机，此后国内陆续有一加3（T），努比亚Z11、小米Note 2、小米MIX、vivo X9Plus、vivo Xplay6、OPPO R9s Plus、锤子M1L、金立M2017、360 N5 等手机用上了 6GB 运行内存。

锤子M1L

而在这些手机中 360 N5 的价格无疑是最低的，1399元也成为了最便宜的 6GB 运存手机，有取就有舍，除了 6GB 运存和骁龙653 处理器之外，360 N5 在其他方面则是完完全全的千元机配置，除了 F/2.0 光圈和 PDAF 相位对焦外发布会上甚至都没有详细介绍前后 800万+1300万相机的具体参数配置。

关于 360 N5 的 6GB 运存，官网如是描述：

360 N5 6GB大内存

不过其实就算是 4GB 和 6GB，还是有差别的。而这个差别就体现在我们常说的 LPDDR3 和 LPDDR4（X），以及单通道或者双通道。

比较 LPDDR3 和 LPDDR4 两代的话，发现其差别还是比较大的：

第一、LPDDR4 的规范旨在带来高达 3200MB/s 的双倍数据速率 ，同时减少对移动设备的能源消耗。此外，LPDDR4 支持 16bit 双通道(总位宽 32bit)，而 LPDDR3 则只有单通道。

第二、核心功耗的减少，得益于缩短了的数据路径，同时这也让运行速度得到了进一步提升。LPDDR4 每核心的带宽为 17GB/s ，但是也可以根据需要来做成更快的双通道。

第三、节能 。最简单的就是降低运行电压了，LPDDR3 的电压为 1.2V，而 LPDDR4 已经进一步降低到了 1.1V，LPDDR4X更是将运行电压降低到了 0.6V 。此外新标准还改进了低频节能模式，因此设备可以在执行简单的后台任务的同时，将始终速度降下来，以便进一步节能电能。

LPDDR4双通道内存

所以去年魅族发布的 PRO 6 为人诟病不够 PRO ，主要症结就在于 PRO 6 搭载的联发科Helio X25 处理器并不支持 LPDDR4 内存，也不支持 UFS 2.0 闪存。PRO 6 的 LPDDR3 + eMMC 5.1 比起前一年发布的 PRO 5 的 LPDDR4 + UFS 2.0 相去甚远。