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Nand被锁 最近的无锁手机iccid被封完了是怎么回事,有锁机还有救么
发布时间 : 2025-02-24
作者 : 小编
访问数量 : 23
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最近的无锁手机iccid被封完了是怎么回事,有锁机还有救么

去年年中的时候,网络上曝出了500个苹果手机的iccid,瞬间,各种有锁版本的手机,可以直接解锁,完后摆脱卡贴得限制,有锁机就当无锁机使唤了,这样的结果就是,花着有锁机的价格,使用的无锁机的体验,美滋滋啊

不过好景不长,4.2日开始,苹果改变了激活策略,以前的iccid不仅被封,还没法用了,一夜间华强北有锁机市场变了天

大部分人都不明白这个激活策略啦,iccid这些的名词,今天,我就来给大家详细解释一下这几个词,到底是什么意思。

告诉你什么是ICCID/GSX激活策略/运营商锁查询?iPhone丢失查询必备,手机有无网络锁查询

GSX查询和ICCID有什么作用?

查询ICCID码用于追踪丢失的iPhone,手机丢失后他人进行刷机后重新激活时会在GSX系统留下当时插的sim卡的ICCID码,此时可以根据这个ICCID码在对应的运营商柜台查询到对应的手机号码等信息,如果警察配合就很大可能找回丢失的手机。

最新的接口是给出的查询结果

如何看策略:

指的是原始策略(出厂策略)

指的是目前应用策略

指的是下一次应用策略

联通和电信的ICCID在其官方网站上都有一个查询入口,能将将部分ICCID直接翻译出号码

联通ICCID查询网址:http://iservice.10010.com/e3/service/service_web.html?menuId=000400010006

电信ICCID查询网址:http://bj.189.cn/service/commonquery/?rand=0.11168658849783242

移动的暂时没有类似的查询地方

查询方法,输入ICCID,选择省份,点击查询,20位的ICCID如果查不到,请去掉末尾1位,用19位的ICCID查询,不知道省份的情况下就一个省份一个省份试过去

1、常规查询:先去警察局报案,然后提供ICCID,要求警察陪同去当地ICCID对应的运营商营业厅,提供ICCID,查询对应号码!

问:警察不配合怎么解决?

答:从法律角度来说,报案人有权申请警方协助报案人调动资源,但是..中国的大部分警察确实不给力,遇到警察消极处理的情况,要学会充分保护自己的合法权利!比如,进行投诉,这个投诉你可以直接针对警察投诉,也可以去当地政府的门户网站进行投诉,大城市的网上法务还是做的比较好的,在门户官网上进行投诉登记,一般都能得到答复!

2、联通ICCID直接反查:联通的ICCID号码可以在官网提供的渠道直接进行反查!

3、微博查询:微博上寻找运营商员工,提供给报案回执单,动之以情,晓之以理,大部分微博上的员工都还是会给你查的!

技巧 : 对于常规查询中不愿提供帮助的警察,你也可以利用微博@当地的公安局投诉,成功率非常高!

4、变向查询法:所谓的变向查询就是通过其他方式查到ICCID对应的手机号码,虽然是变向,但是也要知道,这个世界上能查到ICCID对应号码的只有运营商,但是与常规提供ICCID要求查询号码还是有所不同的!

①话费充值法:问客服小姐:“小姐你好,我要充值话费,但是我忘记号码了, 但是我知道那个手机卡上有一串数字,你看看,能不能帮我话费冲进去,很急,这个数字是:898600XXXXXXXXXXXXXX(你的ICCID号)”

②补卡法:问客服:“小姐你好,我前几天刚买的一张手机卡为什么插手机里不能用啊?我号码是多少我都忘记了,你给我查查,上面有一串数字,是898600XXXXXXXXXXXX(你的ICCID号)”

5、人脉资源查询法:寻找身边的人脉资源,邀其帮助查询

①熟人资源:找果网一直奉承一句话,就是你朋友的朋友肯定有一个是在移动或者联通或者电信公司上班的!只要你多去问问,肯定是有可以到一个熟人帮你查询的!

②QQ群资源:在QQ群搜索里面输入“地区+运营商”组合关键词,就可以看到很多专业的群,群里肯定有人能查号码的,剩下的就靠你自己这张嘴了,只要好好说,耐心说,肯定会有人帮你的!

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一切的答案都在Apple的激活策略!

激活策略,听起来很神秘,其实原理很简单。每一台正常的iPhone都有一个全球唯一的序列号SN和一个全球唯一的国际移动设备身份码IMEI。刚买的iPhone或恢复过的iPhone激活设备时会要求插入sim卡并联网进行激活。联网激活的过程中设备会将SN和IMEI及其他设备信息上传至Apple服务器,进行匹配和验证。

成功匹配和验证后,将从服务器下载激活资料(相当于系统激活密钥),而这份资料中则包含了当地法律法规、合约所属的运营商等相关信息。

例如,中国法律规定Facetime不能包含语音功能,日本法律规定拍照必须将声音开到最大,美国Verizon运营商出售的iPhone不锁网络。然后会开启此设备所需要支持的功能。

这样应该可以明白,不同版本的iPhone可以刷相同的固件,但是刷机激活后每个版本所支持的功能、网络都不一样。iPhone的恢复固件中包含了所有功能,只是在通过SN和IMEI验证后,决定开启或关闭哪些功能。

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激活策略还涉及到什么?

遇到激活iPhone时显示“您的设备有问题”、“您的iPhone有问题”、“此iPhone绑定AppleID请输入解除”等问题,这其实也是和激活策略有关系的。

在iPhone4时代通过更换基带处理器和更改基带存储器底层资料,刷5.1.1系统,跳过激活,直接越狱,打补丁后一台妖机诞生。但是当你升级或者刷机时,悲剧出现——“您的设备有问题”。

这是因为更改过设备信息iPhone和Apple服务器所存档的信息不匹配,不能激活!

Apple ID和激活策略也有关系。因为激活策略直接绑定了设备信息(SN/IMEI),激活验证设备信息过程中还会验证此设备绑定的Apple ID,没有Apple ID和密码设备也不能激活!

现在有恨商家声称可以解锁Apple ID,大部分是通过钓鱼网站,获取用户信息后,黑客来破解安全邮箱获取Apple ID重置密码的邮件,更改ID密码来实现。现在官解Apple ID也是通过GSX高级权限帐号后台更改激活策略。(移除设备绑定的Apple ID。但iPhone4之前的设备因为基带处理器硬件漏洞,可以实现越狱和修改IMEI。)

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那么如何查询激活策略?

激活策略或ICCID需要苹果GSX帐号才有权限查询,但这并不是重要机密,所以可以找我或者万能的X宝上花钱就可以查到了,下边附一张来自网络的图片,大家看上去就一目了然。

到这里可能会有朋友有疑问,如果自己的设备有网络锁或者其他被屏蔽的功能,只要修改激活策略就可以了。但是很不幸的告诉你,修改激活策略需要苹果内部很高的权限才可以,这种念头出现还是想想就好了。------------------------------------------------

如何确定哪种策略是无锁的?

ID:79 激活策略说明:Hong Kong and Macau Apple Channel Default activation policy

ID : 306 激活策略说明:Hong Kong CSL(香港CSL合约机)、

ID : 260 激活策略说明:Hong Kong Smar Tone(香港数码通合约机)

ID:235 激活策略说明:Retail Unlock(香港直营店激活策略)

ID:251 激活策略说明:China Unicom(中国联通合约机,可原生4G)

ID:2181 激活策略说明:China Unicom N53/N49 Unlock Policy(中国联通无合约)

ID:2181 激活策略说明:China Unicom N53 Unlock Policy(中国联通无合约)

ID : 2182 激活策略说明:China Telecom N51/N48 Locked Policy(中国电信)

ID:10 激活策略说明:Unlock

ID : 2179 激活策略说明:China Unlocked Policy-N49/N53-2013(国行A1530激活策略)

ID : 2179 激活策略说明:China Open Distribution N53/N49 Unlocked Policy(新国行A1530激活策略)

ID:23 激活策略说明:US AT&T Puerto Rico and US Virgin Islands Activation Policy

ID : 411 激活策略说明:China Telecom Locked(中国电信机)

ID:51 激活策略说明:US GSM Country Default Policy

ID : 252 激活策略说明:China Apple Channel Default activation policy

ID : 2079激活策略说明:Japan KDDI N42/N48/N51 Activation Policy(日版AU有锁机)

ID:2096 激活策略说明:France N42 Apple Channel FlexActivation Policy

ID : 2090激活策略说明:France Orange N42

ID :2018激活策略说明:US Sprint Multi-Mode Commercial

ID :219 激活策略说明:HK Reseller

ID : 58 激活策略说明:APAC Service

ID : 2009激活策略说明:US Verizon Multi-Mode commercial,UMTS VF NLlocked(Verizon的合约机)

ID:2023 激活策略说明:US Verizon LTE MM N51/N48/N42Activation Policy(V版三网激活策略)

ID:2098 激活策略说明:US CDMA Service Picker-N42-2012

ID:2087激活策略说明:US Verizon LTE MM N51/N48/N42 Service Policy

ID:2082 激活策略说明:US Sprint N42 Locked Activation Policy(Sprint版有锁机)

ID:2082 激活策略说明:US Sprint N42 Unlocked Activation Policy

ID:2230 激活策略说明:Apple Channel Multi-Mode Unlock Policy(日版A1453三网无锁激活策略)

ID : 2013 激活策略说明:US Verizon LTE MM Except US CDMA N51/N48/N42Activation Policy(V版G网激活限制美国镜外CDMA功能)

ID:2192 激活策略说明:Macau China Telecom Unlocked Policy(澳门版三网激活策略,暂时关闭FDD-LTE)

ID:2049 激活策略说明:US Cricket Communications Activation Policy(美国Cricket运营商激活策略,美国境内激活无锁,境外激活有锁)

ID:302 激活策略说明:UK TMobile Orange

ID:2303 激活策略说明:Multi-Mode Unlock Policy(全球无锁)

ID:2186 激活策略说明:Japan NTT DOCOMO Activation Policy(日版DOCOMO有锁)

ID :2298 China Open Distribution N61/N56 Unlocked Policy(中国渠道无锁)

ID :2230 Apple Channel Multi-Mode Unlock Policy(苹果官方无锁)

ID : 2305 Japan KDDI Blocked Policy(日本au无锁)

最后说一句,买手机找一点科技就好了

3个群已经满喽,第四个群也400多人了,买不买,进来看看,了解下最新动态也不错 ,经常还有有原装耳机,快充充电器赠送

有什么需要的,私信我就好了。

NAND Flash与NOR Flash究竟有何不同|半导体行业观察

来源:内容由 微信公众号 半导体行业观察 (ID:icbank) 翻译自「embedded」,作者 Avinash Aravindan,谢谢。

嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑许多因素:使用哪种类型的Flash架构,是选择串行接口还是并行接口,是否需要校验码(ECC)等。如果处理器或控制器仅支持一种类型的接口,则会限制选项,因此可以轻松选择内存。但是,情况往往并非如此。例如,一些FPGA支持串行NOR闪存、并行NOR闪存和NAND闪存来存储配置数据,同样,它们也可以用来存储用户数据,这使得选择正确的存储器件更加困难。本文将讨论闪存的不同方面,重点放在NOR闪存和NAND闪存的差异方面。

存储架构

闪存将信息存储在由浮栅晶体管制成的存储单元中。这些技术的名称解释了存储器单元的组织方式。在NOR闪存中,每个存储器单元的一端连接到源极线,另一端直接连接到类似于NOR门的位线。在NAND闪存中,几个存储器单元(通常是8个单元)串联连接,类似于NAND门(参见图1)。

NOR Flash(左)具有类似NOR门的架构。NAND Flash(右)类似于NAN

NOR Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势,这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100%已知的零件寿命。缺点包括较大的单元尺寸导致每比特的较高成本和较慢的写入和擦除速度。

相比之下,与NOR闪存相比,NAND闪存具有更小的单元尺寸和更高的写入和擦除速度。缺点包括较慢的读取速度和I / O映射类型或间接接口,这更复杂并且不允许随机访问。值得注意的是,NAND Flash中的代码执行是通过将内容映射到RAM来实现的,这与直接从NOR Flash执行代码不同。另一个主要缺点是存在坏块。NAND闪存通常在部件的整个生命周期内出现额外的位故障时具有98%的良好位,因此,器件内需要ECC功能。

存储容量

与NOR闪存相比,NAND闪存的密度要高得多,主要是因为其每比特成本较低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND Flash具有更高的密度,因此主要用于数据存储应用。

擦除/读写

在NOR和NAND闪存中,存储器被组织成擦除块。该架构有助于在保持性能的同时保持较低的成本,例如,较小的块尺寸可以实现更快的擦除周期。然而,较小块的缺点是芯片面积和存储器成本增加。由于每比特成本较低,与NOR闪存相比,NAND闪存可以更经济高效地支持更小的擦除块。目前,NAND闪存的典型块大小为8KB至32KB,NOR Flash为64KB至256KB。

NAND闪存中的擦除操作非常简单,而在NOR闪存中,每个字节在擦除之前都需要写入“0”。这使得NOR闪存的擦除操作比NAND闪存慢得多。例如,NAND闪存S34ML04G2需要3.5ms才能擦除128KB块,而NOR闪存S70GL02GT则需要约520ms来擦除类似的128KB扇区。这相差近150倍。

如前所述,NOR闪存具有足够的地址和数据线来映射整个存储区域,类似于SRAM的工作方式。例如,具有16位数据总线的2Gbit(256MB)NOR闪存将具有27条地址线,可以对任何存储器位置进行随机读取访问。在NAND闪存中,使用多路复用地址和数据总线访问存储器。典型的NAND闪存使用8位或16位多路复用地址/数据总线以及其他信号,如芯片使能,写使能,读使能,地址锁存使能,命令锁存使能和就绪/忙碌。NAND Flash需要提供命令(读,写或擦除),然后是地址和数据。这些额外的操作使NAND闪存的随机读取速度慢得多。例如,NAND闪存S34ML04G2需要30μS,而NOR闪存S70GL02GT需要120nS。因此,NOR比NAND快250倍。

为了克服或减少较慢读取速度的限制,通常以NAND闪存中的页方式读取数据,每个页是擦除块的较小子部分。仅在每个读取周期开始时使用地址和命令周期顺序读取一页的内容。NAND闪存的顺序访问持续时间通常低于NOR闪存设备中的随机访问持续时间。利用NOR Flash的随机访问架构,需要在每个读取周期切换地址线,从而累积随机访问以进行顺序读取。随着要读取的数据块的大小增加,NOR闪存中的累积延迟变得大于NAND闪存。因此,NAND Flash顺序读取可以更快。但是,由于NAND Flash的初始读取访问持续时间要长得多,两者的性能差异只有在传输大数据块时才是明显的,通常大小要超过1 KB。

在两种Flash技术中,只有在块为空时才能将数据写入块。NOR Flash的慢速擦除操作使写操作更慢。在NAND Flash中,类似于读取,数据通常以页形式编写或编程(通常为2KB)。例如,单独使用NAND闪存S34ML04G2 写入页面需要300μS。

为了加快写入操作,现代NOR Flashes还采用类似于页面写入的缓冲区编程。例如,前文所述的NOR闪存S70GL02GT,支持缓冲器编程,这使其能够实现与单词相似写入超时多字节编程。例如,512字节数据的缓冲区编程可以实现1.14MBps的吞吐量。

能耗

NOR闪存在初始上电期间通常需要比NAND闪存更多的电流。但是,NOR Flash的待机电流远低于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率相当。因此,有效功率由存储器活动的持续时间决定。NOR Flash在随机读取方面具有优势,而NAND Flash在擦除,写入和顺序读取操作中消耗的功率相对较低。

可靠性

保存数据的可靠性是任何存储设备的重要性能指标。闪存会遭遇称为位翻转的现象,其中一些位可以被反转。这种现象在NAND闪存中比在NOR闪存中更常见。出于产量考虑,NAND闪存随附着散布的坏块,随着擦除和编程周期在NAND闪存的整个生命周期中持续,更多的存储器单元变坏。因此,坏块处理是NAND闪存的强制性功能。另一方面,NOR闪存带有零坏块,在存储器的使用寿命期间具有非常低的坏块累积。因此,当涉及存储数据的可靠性时,NOR Flash具有优于NAND Flash的优势。

可靠性的另一个方面是数据保留,这方面,NOR Flash再次占据优势,例如,NOR Flash闪存S70GL02GT提供20年的数据保留,最高可达1K编程/擦除周期,NAND闪存S34ML04G2提供10年的典型数据保留。

编程和擦除周期的数量曾是一个需要考虑的重要特性。这是因为与NOR闪存相比,NAND闪存用于提供10倍更好的编程和擦除周期。随着技术进步,这已不再适用,因为这两种存储器在这方面的性能已经很接近。例如,S70GL02GT NOR和S34ML04G2 NAND都支持100,000个编程 - 擦除周期。但是,由于NAND闪存中使用的块尺寸较小,因此每次操作都会擦除较小的区域。与NOR Flash相比,其整体寿命更长。

表1提供了本文中讨论的主要内容摘要。

NOR闪存和NAND闪存的主要特性与一般和具体比较数据的比较。

通常,NOR闪存是需要较低容量、快速随机读取访问和更高数据可靠性的应用的理想选择,例如代码执行所需。NAND闪存则非常适用于需要更高内存容量和更快写入和擦除操作的数据存储等应用。

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