铠侠西数计划大规模生产218层NAND闪存，投资总额达7290亿日元

IT之家 2 月 6 日消息，日本经济产业省今日宣布将资助铠侠控股公司和西部数据公司大规模量产高端存储芯片。据介绍，这两家公司的投资总额为 7290 亿日元（IT之家备注：当前约 353.56 亿元人民币），政府将为其提供最高 2430 亿日元（当前约 117.86 亿元人民币）的资金扶持。

铠侠和西部数据计划在日本西部的四日市和北部的北上市大规模生产 218 层的 NAND 闪存。根据计划，四日市月产能可达 6 万片晶圆，同时北上每月可生产 2.5 万片晶圆，并于 2025 年 9 月开始出货；而下一代产品的生产线预计将会在 2029 年投入使用。

官方透露，这两家工厂的总投资额将达到约 4500 亿日元（当前约 218.25 亿元人民币），而且政府还将提供 1500 亿日元（当前约 72.75 亿元人民币）的补贴。

日本经产省认为，随着全球生成式人工智能和自动驾驶应用不断发展，第八代和第九代闪存芯片也将出现更高的需求。该部还认为，这两家工厂将对当地经济产生重大积极影响，预计将创造约 9000 个就业岗位。

实际上，铠侠和西部数据此前一直在政府的支持下建设四日市工厂的第六代闪存生产线。加上该项目，两家公司的投资总额将达到 7290 亿日元，其中政府提供最高 2430 亿日元。

三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产 投研报告

甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产。

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，平泽P4工厂将投入NAND设备。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.23%至0.08%，平均涨跌幅为-0.25%。其中15个料号价格持平，1个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备，预计该工厂将安装NAND闪存、DRAM和代工生产线。三星电子此次重新启动设备投资，显示出其对市场完全恢复的信心。

DRAM：颗粒价格小幅波动，三星1b DRAM正顺利量产。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-9.48%至8.53%，平均涨跌幅为2.10%。上周12个料号呈上涨趋势，6个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子下一代DRAM路线图进展良好，1b DRAM正在顺利量产，4F Square也正在顺利开发，三星将在内存领域保持超级差距，预计2025年开发出4F Square DRAM的初始样品。

HBM：SK海力士确定HBM4基础裸片工艺。根据CFM闪存市场报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品，并确定与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）量产上的合作分工。

市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0715-0719）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存条市场变化不大，基本维持不变。行业市场方面，本周行业价格相对稳定。受渠道市场影响，国内部分行业客户报价偏低，海外市场和国内一些优质客户出价相对较为合理。嵌入式市场方面，因原厂官价仍未完全确定下游终端普遍不急于备货，观望氛围浓重；本周嵌入式价格趋于平稳。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（ 甬兴证券 陈宇哲 ）

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