消息称三星DRAM及NAND计划Q3涨价15-20%

IT之家 6 月 26 日消息，由于人工智能（AI）需求激增，存储半导体方面竞争进一步加剧，预计三星电子下半年业绩将有所改善。

据韩国《每日经济新闻》，三星电子近期已向包括戴尔科技、慧与 HPE 在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器 DRAM 和企业级 NAND 闪存报价提高 15-20%，而三星 Q2 已将其企业级 NAND 闪存涨价 20% 以上。

三星电子负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）今天在京畿道华城工厂召开了全球战略会议，就这一计划进行了通报。

根据市场研究公司 D-RAM Exchange 的数据，今年第一季度全球企业级 NAND 闪存销售额达到 37.58 亿美元（IT之家备注：当前约 273.43 亿元人民币），环比增长 62.9%。不断增长的 AI 需求导致部分产品库存出现短缺，客户也越来越愿意提前锁单。

具有代表性的服务器 DDR4 内存颗粒最初预计仅会从第二季度的 140 美元小幅上涨至第三季度的 144 美元，但现在来看，其交易价格很可能会达到 160 美元以上。

一位半导体业内人士说：“客户正常来说只需要提前给出下一季度的需求，但现在却告诉芯片制造商他们的全年计划”，“由于目前是供应商主导的市场，最终的谈判涨幅可能会高于 15%”。

三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产 投研报告

甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：三星重启NAND设备投资，三星1b DRAM正顺利量产。

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，平泽P4工厂将投入NAND设备。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.23%至0.08%，平均涨跌幅为-0.25%。其中15个料号价格持平，1个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备，预计该工厂将安装NAND闪存、DRAM和代工生产线。三星电子此次重新启动设备投资，显示出其对市场完全恢复的信心。

DRAM：颗粒价格小幅波动，三星1b DRAM正顺利量产。根据DRAMexchange，上周（0715-0719）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-9.48%至8.53%，平均涨跌幅为2.10%。上周12个料号呈上涨趋势，6个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子下一代DRAM路线图进展良好，1b DRAM正在顺利量产，4F Square也正在顺利开发，三星将在内存领域保持超级差距，预计2025年开发出4F Square DRAM的初始样品。

HBM：SK海力士确定HBM4基础裸片工艺。根据CFM闪存市场报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品，并确定与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）量产上的合作分工。

市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0715-0719）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存条市场变化不大，基本维持不变。行业市场方面，本周行业价格相对稳定。受渠道市场影响，国内部分行业客户报价偏低，海外市场和国内一些优质客户出价相对较为合理。嵌入式市场方面，因原厂官价仍未完全确定下游终端普遍不急于备货，观望氛围浓重；本周嵌入式价格趋于平稳。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（ 甬兴证券 陈宇哲 ）

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