全球NAND闪存制造商技术路线图 长江存储上榜

如果说iFix做的是数码产品的拆解，Techinsights做的则是半导体产品的深度“拆解”：利用X光与电子显微镜等手段分析专利与技术。最近TechInsights“拆解”了SK Hynix的72层堆叠3D闪存，同时还整理了最新的全球NAND闪存制造商技术路线图。

单从堆叠层数来说，SK Hynix的72层堆叠比当前流行的64层堆叠层数更高，但256Gb的单Die容量跟64层堆叠技术基本一样。根据TechInsights的介绍，该闪存相比SK Hynix上一代48层堆叠3D闪存的Block体积增大50%，同时拥有更低的写入延迟，闪存接口则使用Toggle 3.0，带宽从667MT/s提升到800MT/s。

SK Hynix的闪存不出名有多重原因，一方面内存才是SK Hynix的主要业务，NAND在记忆体类收益中仅占19%，NAND市占率则以11.1%排在美光之后。

另一方面，SK Hynix的多数NAND闪存产出被用于移动设备领域，留给固态硬盘的份额并不多。SK Hynix的原厂固态硬盘在国内没有零售渠道，也给大家了解SK Hynix带来了距离。

接下来将目光转移到路线图，这份由TechInsights整理的全球闪存制造企业技术路线图中已经有了国内企业长江存储的身影，直接从32层堆叠3D闪存起步的它跳过了2D平面时代的发展，不过距离行业主流水平依然有一定距离，需要更加努力地追赶。

从上图可以看到，2D平面闪存的发展基本已经停滞。在48层堆叠技术上持续使用很长时间之后，各闪存原厂似乎都有加速技术换代的计划。下一代96层堆叠技术可能只持续一年，就将尝试上马128层堆叠。

采用3D XPoint技术的傲腾NVDIMM内存条在图中标注为今年下半年。不过根据小编的观察，过去技术节点的时间点标注大多是以企业宣布为准，并非产品大规模量产或最终产品上市时间。路线图上的未来科技不排除跳票延迟的可能。

美光内存、闪存路线64层3D NAND、QLC、GDDR6

在2017冬季分析师会议上，美光宣布CEO Mark Durcan退休，该公司将寻找新的CEO人选，这意味着美光即将进入新的时代。在这次会议上，美光公司还公布了一系列产品路线图，涉及NAND闪存及DRAM内存两个主力，引人注意的是美光今年将量产64层3D NAND闪存，并研究QLC闪存的市场需求，DRAM内存也在推进1X、1Ynm工艺进展，并准备推出GDDR6。

过去的大半年中，NAND闪存及DRAM内存的涨价让不少存储芯片厂商的日子大大改善，三星、SK Hynix及东芝就不少了，美光也受益良多，去年底公布的2017财年Q1财报中营收39.7亿美元，比上涨23%，同比上涨19%，净利润1.8亿美元，而上个季度还净亏损了1.7亿美元。

在这次的分析师会议中，美光又公布了未来的产品路线图，主要有NAND和DRAM两大类产品，来看下Computerbase网站的报道，首先是美光2016年取得的成绩。

美光2016年取得的成绩

2016年中，DRAM产线上美光成功转换到了20nm工艺，产能不断增加，1Xnm DRAM内存正在稳步进行中。闪存方面，美光及Intel量产了32层堆栈的第一代3D NAND闪存，成本、性能相比平面NAND闪存大为改善，64层3D NAND闪存正在开发中。

NAND闪存工艺进展

先说闪存方面的，美光今年主要是生产32层堆栈的TLC闪存，2017财年底（今年9月之前）将会制造64层3D NAND闪存，这是第二代3D NAND闪存了，而第三代3D NAND闪存预计会在2017年下半年推出，不过细节未知，从美光公布的数据来看，3代3D闪存每单位晶圆的GB容量进一步提升40%。

值得注意的是，美光也提到了QLC闪存，在此之前东芝及西数也公开提到了研发QLC闪存，也是每个cell单元储存4位数据的NAND，TLC则是3位数据。不过QLC闪存目前还只是研发阶段，真正上市还早呢。

世界最小的256Gb闪存

虽然美光的3D NAND闪存量产时间晚于三星，不过他们在3D NAND也有独到之处，此前美光/Intel就公布过世界上容量最高的384Gb TLC闪存，这次美光又公布了世界上核心面积最小的256Gb 3D NAND闪存核心，只有59mm2，与其他厂商的64层3D NAND相比，美光的256Gb核心密度达到了4.3Gb/mm2，比竞品高出25%左右。

由于面积更低，美光的256Gb核心3D NAND主要用于移动市场，另外还有512Gb的TLC闪存，不过演示中并没有提及。

美光DRAM技术路线图

在DRAM内存技术方面，美光去年完成了20nm工艺转换，2017年还会继续推进新制程研发，2017财年底会实现有意义的1Xnm工艺DRAM生产，每Gb成本预计降低20%以上。2017年下半年则会开始转向1Ynm工艺，而美国、日本的研发中心也会进行第三代10nm级工艺1Znm研发。

目前显卡使用的显存是GDDR5及GDDR5X，后者还是美光独家提供的，而在未来产品上，美光预计会在今年底或者明年初推出GDDR6显存，这跟三星在2018年推出GDDR6显存的计划差不多。

此外，美光及Intel联合开发的3D XPoint闪存也没啥消息，Intel好歹还推出了16、32GB容量的3D XPoint闪存，美光虽然将其命名为QuantX产品线，但一直没有产品宣布。

至于更黑科技的存储芯片，美光也简单提了一下，包括ReRAM、STT MRAM等等，这些芯片的性能会接近DRAM内存，而且还是非易失性的，但成本也会高得多。

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