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dram nand 速度美光将基于EUV光刻的1γnm制程DRAM技术推迟到2025年

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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美光将基于EUV光刻的1γnm制程DRAM技术推迟到2025年

IT之家 12 月 23 日消息，美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布，公司将在 2023 年裁员大约 10%，并停发奖金。这再次表明，科技行业的增长放缓正在影响就业。

作为减少资本支出的一部分，消息称美光将使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推迟到 2025 年，232 层之后的 NAND 节点也被推迟。

美光 1γ 制造技术中原定于 2024 年的某个时候推出，但因为美光必须在 2023 和 2024 财年减少新设备的支出，并减少 DRAM bit 出货量，它将不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技术上的增长速度。

IT之家了解到，该公司最新的 1β 制造节点 —— bit 密度提高了 35%，电源效率提高了 15%，不过这一技术依然依赖于深紫外线（DUV ）光刻技术。

相比之下，三星和 SK 海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 光刻技术，并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。

“鉴于我们决定放慢 1β（1-Beta）DRAM 的生产速度，我们预计我们的 1γ（1-gamma）技术将在 2025 年推出，”美光称 “同样，我们将推迟 232 层 3D NAND 存储器以外的下一个 NAND 节点，以适应新的需求前景和所需的供应增长。”

IT之家 4 月 25 日消息，韩国科技先进研究院（KAIST）近日发表论文，成功研发新型相变存储器（phase change memory，PCM），可以灵活切换结晶（低电阻）和非晶体（高电阻），从而结合 DRAM 和 NAND 的优点。

DRAM 速度快但不稳定，这意味着断电时（例如关闭计算机时）存储在其中的数据就会消失；而 NAND 闪存即使断电也能保留数据，但速度明显慢于 DRAM。

图源：IBM

PCM 虽然实现了速度和非易失性的“鱼与熊掌兼得”，但制造成本非常昂贵，而且需要大量热量将相变材料熔化成非晶态，因此生产过程非常耗电。

由 Shinhyun Choi 教授带领的科研团队设计了新的方法，通过仅收缩直接参与相变过程的组件，创建相变纳米丝（phase-changeable nano filament）。

与使用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器相比，这种新颖的方法将耗电量降低至 15 分之一，而且制造成本也低得多。

新型相变存储器保留了传统存储器的许多特性，如速度快、ON / OFF 比大、变化小、多级存储特性等。

Choi 表示，他们预计研究结果将成为未来电子工程的基础，并可能应用于高密度 3D 垂直存储器、神经形态计算系统、边缘处理器和内存计算系统。

IT之家附上参考地址