NOR Flash主要厂商及产品
一、2020第一季NOR Flash厂商市占排名
据集邦咨询2020第一季NOR Flash厂商市占数据,NOR Flash营收市占第一是旺宏,其制程在业界相对领先,目前采用55nm制程生产,月产能约在20K左右。由于该公司NOR Flash产品线完整,从低容量至高容量齐备,尤其看中未来5G基站的商机,512Mb的NOR Flash将是旺宏生产的主要产品之一,为产业当中少数提供大容量的解决方案。
排名第二的华邦电紧追在后,目前是使用58/90nm制程,每月产能约在18K。
排名第三则是中国的兆易创新,近几年无论在产品质量与产出量方面都有明显跃进,甚至拿下Apple的AirPods订单,其研发实力已被肯定,月产能约9K,分别在中芯国际(SIMC)与华力微投片生产。值得注意的是,兆易创新集团与长鑫存储(CXMT)有紧密合作,意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力,扮演中国半导体发展的重要角色。
二、NOR 市场增量来源
带动NOR Flash市场增量的原因主要有以下三点,首先,TWS近几年出货量上升,2020E年TWS耳机出货量接近250百万副。
其次全球智能手机面板与OLED也是带动增量 的重要原因, 2020E年智能手机出货量达到1788百万台,此外,AMOLED出货量达到715.2百万颗,带动NOR 市场增量443.42百万元。
AI-IoT的高速发展也为NOR市场增量助力 ,带动增量2600.78百万元。最后,5G的普及率提高,成为NOR市场增量的主要推手,其贡献市场增量达6011.84百万元。
三、NOR主要厂商及产品
电子发烧友梳理了NOR Flash主要厂商及其产品,其中旺宏、华邦、武汉新芯等厂商在NOR Flash领域占有重要地位,英飞凌收购Cypress后,其Serial NOR Flash产品运用于汽车导航与娱乐系统。此外,国内的兆易创新NOR Flash营收排在第三位,具有研发、生产、销量NOR相关产品能力,具体详情见下表。
旺宏
旺宏电子从512KB到256Mb的密度在一个8-pin SOP(采用150mil,200mil)或16引脚SOP封装(300 mil)的串行闪存产品。这些设备,在X1组织提供,支持读取,擦除和编程操作。这些产品采用串行外设接口(SPI)协议。旺宏串行闪存不仅有利于系统的硬件配置,但也降低了系统设计的复杂性。我们的操作过电压范围为2.7V至3.6V 3V产品。现在可从512KB到256Mb的所有产品。
此外,旺宏电子与双I / O和四I / O操作,它的两倍和四倍读取性能到300Mbits/second的高端消费类应用,还提供了高性能的串行闪存产品。在时钟的上升沿和下降沿触发,DTR(双传输速率)模式,进一步提高读取速度400Mbits/second。多个I / O产品提供容量为8MB及以上。旺宏电子也提供了一系列低电压,1.8V和2.5V的双I / O和四I / O接口的串行闪存产品。
旺宏电子为3V,1.8V和5V的行业标准并行快闪记忆体产品提供了一个广泛的产品线,从2Mb到1Gb密度。这些产品具有引导和统一的部门架构在x8,x16,和x8/x16可选配置。旺宏快闪记忆体,为客户提供符合成本效益,高性能和可靠的产品,提供低功耗,高耐用性和可靠性。
旺宏电子3V并行闪存产品都可以在两个的版本:MX29LV系列(标准的读访问)和MX29GL MX68GL系列(页面模式访问)。旺宏电子还提供了1.8V以下并行闪存产品:MX29SL(标准访问),MX29NS(突发模式下,AD-MUX),和MX29VS(突发模式,同步读写,AD-MUX)。
提供8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。电源电压有5V,3V和1.8V。MX29GL系列产品提供先进的页模式接口,在读访问和编程操作上都进行了优化,用户可以使用页模式连续读取多个数据。
华邦
1.2V Serial NOR Flash
华邦推出支援最新业界标准低电压1.2V,且能支援dual、quad SPI 和Quad Peripheral Interface (QPI) 的NOR Flash是前所未见的。W25QxxND 1.2V系列产品跟既有3V和1.8V的闪存产品具有相当的操作效能,且能进一步的节省功耗。对于由电池供电且设计空间有限的装置,像是行动装置、物联网和穿戴式装置,和对于需要省电且低功耗的闪存,W25QxxND 1.2V系列产品提供2mm x 3mm USON8、narrow 150mil SOP8、6x5mm WSON 8-pin封装和KGD (Known Good Die)。1.2V系列产品可延伸操作到1.5V,利用单颗干电池即可运作,不像一般需将两个电池串联到3V才可操作的设计。
2、W25X 与W25Q
台湾华邦的W25X 与W25Q SpiFlash® Multi-I/O记忆体支援通用的SPI介面,容量从512Kb 到 512Mb,具有小容量分割的可擦除区块与业界操作效能。W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外,部分SpiFlash®支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输,加快XIP的传输效率。另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。
武汉新芯
武汉新芯推出50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该产品系列支持低功耗宽电压工作范围,适用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用产品设计方案。
XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz(在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持),提供比其他供应商更快更强的性能,在电源电压下降后,时钟速度没有任何减慢。其传输速率优胜于8位和16位并行闪存。在连续读取模式下可以实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址,从而实现真正的XIP(execute in place)操作。
XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封装,适用于便携式产品设计。
XM25QH256B
单一电压供应,电压:2.7V至3.6V,用于快速读取操作最高为133 MHz,灵活的存储体系结构,扇区大小:4K字节
兆易创新
GigaDevice 提供超低功耗闪存系列,具有零深度待机电流
GIGADEVICE 提供 GD25WD 系列,具有零深度待机电流和低有源读取电流,适用于低功耗应用。GD25WD 系列亮点包括零待机电流和 1.65 V 至 3.6 V 的宽电压范围。128 位唯一 ID 功能还为低功耗应用提供增强的安全性。电压为1.65 V 至 3.6 V,密度为512 Kb ~ 8 Mb,采用单/双 SPI接口,双 SPI 数据传输速率高达每秒 160 Mb,还有灵活的内存架构(扇区大小:4K 字节,块大小:32/64K 字节),高可靠性,20 年数据保留和 100,000 次编程/擦除周期。
Micron
Micron Technology 串行 NOR 解决方案专为满足消费电子、工业、有线通信和计算应用需求而设计。Micron 的行业标准封装、引脚分配、指令集和芯片组兼容性易于为设计采用,节省了宝贵的开发时间,同时确保与现有和未来设计的兼容性。
多 I/O(单、双和四通道)串行 NOR 线路具有吸引人的读取性能(高达 54 MB/s)、灵活的存储器分区(均匀 64 KB 和 4 KB)、小型封装尺寸以及宽封装支持。N25Q 基于 65 nm 技术,采用 1.8 V 和 3 V 电源供电 ,也提供汽车级版本。N25Q 可兼容 M25P 和 M25PX 系列。
英飞凌
对于专注于保护信息和维护系统完整性的客户来说,拥有安全的连接系统是头等大事。随着系统越来越依赖外部NOR Flash来保护连接系统中的代码和数据,对内存中添加高级密码安全性的需求也越来越大。英飞凌表示,它的Semper Secure NOR Flash架构为其功能安全的Semper产品添加了一个安全子系统,以实现端到端的持久保护,并有效地保护系统不受损害。
Semper Secure NOR Flash系列包括AEC-Q100汽车认证设备,扩展温度范围为-40°C至+125°C,支持1.8-V和3.0-V工作范围,并提供128 Mb、256 Mb和512 Mb的密度。Semper Secure NOR Flash的设计完全符合ISO 26262标准,并符合ASIL-B标准,可用于ASIL-D之前的系统中。实施的EnduraFlex架构通过优化高耐久性或长数据保留分区简化了系统设计。设备提供四串行外围接口(SPI)、八进制SPI和hybibus接口。八进制和超总线接口设备符合用于高速x8串行NOR闪存的JEDEC扩展SPI(xSPI)标准,并提供高达400mbps的读取带宽。
恒烁
恒烁半导体可提供具有通用SPI接口的Flash存储器,主要产品为1.8V工作电压的ZB25LD/ZB25LQ系列,3.0V工作电压的ZB25VQ/ZB25D系列,以及1.8/3.3V宽工作电压的ZB25WD/ZB25WQ系列。可供选择的容量大小为1Mbit到256Mbit。
配合最高133MHz的工作频率,和标准、双口和四口的工作模式,恒烁半导体的SPI NOR Flash产品可支持高达到(Dual)266MHz和(Quad)532MHz的数据交换速度。
恒烁半导体SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA,数据保持时间20年,擦写次数可达10万次,工作温度范围-40℃~105℃。产品具有可靠性高,功耗低,和先进的安全特性,应用范围涵盖了DVD/CD drives,STB,DPF,Desktop和Notebook PC,DVD Recorders,WLAN,DSL,LCD Monitors,Flat Panel TV,Printers,GPS,MP3等等。
复旦微电子
复旦微电子拥有丰富的NOR Flash设计经验,现可提供通用SPI接口Flash存储器:2.3V~3.6V工作电压范围的FM25F/FM25Q系列及1.65V~3.6V款工作电压范围的FM25W系列。产品具有高可靠性及高安全性,应用范围涵盖了手机,网通、安防,PC,物联网,显示面板,办公设备及工控产品等。
产品特性:
● 容量: 0.5Mbit到256Mbiit
● 多种接口模式:SPI,Dual SPI,Quad SPI,QPI
● 工作电压:1.65V-3.6V(FM25WXX),2.3V-3.6V(FM25FXX/FM25QXX)
● 可靠性:数据保持时间20年,擦写寿命10万次
● 小型化封装:SOP8(208mil),SOP8(150mil),DFN8,WLCSP
● 安全特性:硬件写保护,32Byte安全扇区,128bit UID
中天弘宇
中天弘宇集成电路有限责任公司拥有丰富的NOR Flash设计经验,现可提供通用SPI接口Flash存储器,工作电压在1.08V~3.6V的范围。产品具有高可靠性及高安全性。
产品特性:1)很小的单个bit颗粒,面积可达4F² 2)规划产品容量256Mbit到4Gbit 3)接口模式:SPI,Dual SPI,Quad SPI , DDR 4)工作电压:1.08V-3.6V 5)可靠性:数据保持时间20年,擦写寿命10万次 6)小型化封装:SOIC,VSOP , WSON, USON, PDIP
东芯
东芯串行NOR FLASH系列产品可提供具有通用SPI接口不同规格的NOR Flash,容量从2Mb到256Mb,3.3V/1.8V两种电压,支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式以及多种封装方式,可适应多种应用场景。专注在中小容量,性价比高,广泛应用于对存储空间需求不高的设备中。
芯天下
芯天下技术提供业界标准的25 系列串口NOR Flash产品,小型化封装、多容量选择,兼容的指令集,宽电压和高可靠性全面覆盖消费,通讯、工业和个人电脑等应用领域。
1.超低功耗,深度睡眠电流典型值低至 60nA;2.BP位保护、OTP保护、独立block区域保护确保代码安全;3.高可靠性,确保10万次擦写,数据保存时间长达20年;4.支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 宽电压,容量1Mb~1Gbit;5.DFN 1.2x1.2x0.40mm,2x3x0.40mm,4x3x0.55mm 等小尺寸封装;6.提供 KGD 产品与服务支持SiP合封需求。
时代芯存
产品概况和性能参数介绍:采用先进的40纳米CMOS工艺制程,芯片尺寸13.74 mm2,存储数据前无需进行擦除动作工作电压+1.8V—+3.6V,SPI接口,最大工作频率133MHz。
产品可靠性参数介绍:产品耐擦写次数大于10^5次,强大的抗辐射性能,25℃数据保存时间20年,工作温度-40℃—+85℃,2kV ESD防静电保护能力。
扬贺扬微电子科技
NOR Flash系列的2M(HY25D02IEIAAG)和4M的HY25D04IEIAAG采用的都是USON 2x3mm工艺,8M、16M、32M、64M、128M系列都采用的是SO-8 208mil。
工作电压范围是2.7至3.6V,工作温度-40℃—+85℃。
芯泽电子科技
芯泽电子科技可提供具有通用SPI接口的Flash存储器,主要产品为ZD25Q和ZD25LQ系列,工作电压为1.8V和3.3V,可供选择的容量大小分别为2Mbit到128Mbit,最高支持105MHz的工作频率,可在双口和四口模式下工作,芯泽电子SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA,数据保持时间20年,擦写次数可达10万次,工作温度范围-40℃~+85℃。产品具有可靠性高,功耗低,和先进的安全特性,应用范围涵盖了DVD/CD drives,STB,DPF,Desktop和Notebook PC,DVD Recorders,WLAN ,DSL,LCD Monitors,Flat Panel TV,Printers,GPS,MP3 等等。
豆萁科技
豆萁科技SPI NOR FLASH系列产品遵循国际JEDEC标准中关于接口及控制模式的规定,按照JEDEC相关标准进行严格测试。公司采用先进设计技术,优化存储单元的读写操作,实现低功耗和高性能:运行速度快,支持多种擦写模式,擦写次数高达10万次,数据可保存20年以上。通过与上下游密切合作,提供SOP,VSOP,TSSOP,DIP, WSON, BGA,USON等多种封装形式以满足在消费类、工业级和医疗电子等多种应用领域需求。
博雅科技
目前,正在研发的3.0V及1.8V,512 Kbit~256 Mbit高端通用芯片系列产品属国家重点鼓励发展的核心芯片,代表性产品SPI串行闪存已经完成研发设计,性能参数指标已全面通过客户的验证,进入大规模量产阶段。博雅BY25Q128AL工作温度范围为-40至+85℃,采用VSOP8 208mil封装,容量为128M。
轻薄本老了不要紧,入手aigo P3000固态硬盘,容量更大速度更快
随着轻薄笔记本电脑的普及,越来越多的用户都会选择更加便携的轻薄笔记本,但是目前轻薄笔记本的存储方式主要是固态硬盘,而且传统的2.5英寸SSD固态硬盘无法在轻薄本中使用,因此目前的轻薄本都选择了M.2接口的NVMe固态硬盘。小汪的小米笔记本购买于2016年,目前的存储空间也是捉襟见肘,早期市面上的M.2接口的固态硬盘平均每GB的价格接近2元,但是现在每GB不到1元的价格真心实惠,小汪这次购买的是aigo推出的M.2接口的P3000固态硬盘,平均每GB八毛多,用来做存储盘真香!
▲这款 aigo固态硬盘采用了3D NAND优选颗粒,读取速度最高可达3200MB/S,写入速度最高可达2900MB/S,可以大幅缩短系统、软件以及游戏的加载时间,提高工作效率。
▲打开包装,这就是 aigo P3000固态硬盘了,非常的小巧。除了NVMe高速标准之外,这款固态硬盘采用了LDPC校错机制,提升数据存储的准确性,存储重要文件更放心。
▲相较于传统的机械硬盘,固态硬盘因为没有机械部件和高速电机,可以大大降低发生故障的风险,而且具有低功耗、发热小、耗电低的特点,非常适合用作轻薄笔记本电脑的存储设备。
▲揭开固态硬盘标签贴纸,我们可以看到这款 aigo固态硬盘采用了INNOGRIT主控方案,采用的IG5216主控芯片采用了28nm工艺制程,NVMe1.4技术标准。 aigo P3000 固态硬盘采用96层3D TLC NAND颗粒,结合了3D NAND技术堆叠后,TLC颗粒的寿命和读写速度都有了大幅度的提升。
▲安装到小米笔记本电脑里也非常简单,只要稍微有点动手能力都可以操作。首先是打开笔记本电脑的底部盖板,在笔记本电脑的主板上,会有一个M.2固态硬盘的插槽,把固态硬盘斜着插入即可,然后用螺丝固定住即可,安装难度一颗星。
▲安装好固态硬盘以后,打开电脑,就能发现系统提示新增加的盘符了,小汪购买的是512GB的固态硬盘,我的小米笔记本测试读写速度如上图,我只能说速度真的是非常快。
▲如果用户不想安装到笔记本电脑里的话,也可以使用这种M.2接口的固态硬盘盒,安装上固态硬盘后,就成了一个大容量的移动硬盘,而且体积非常的小巧。
▲拷贝大容量文件速度也是非常快,可以达到1.31GB/秒,传输或者存储视频文件都非常的方便快捷。
▲装入固态硬盘盒以后,它就成了一个高速便携大容量移动硬盘,体积比U盘稍大一些,但是拷贝大体积文件的速度也是要起飞了!这种固态硬盘的好处就是快,不仅读写速度快,而且玩游戏的时候,那进度条跑的也快,有一种畅快淋漓的感觉!
▲玩游戏就更不用说了,连上我的显示器,进度条都是瞬间读取的,那速度真的是杠杠的。
▲不仅玩游戏的加载时间大大缩短,我们日常使用的一些大型软件或者进行视频编辑渲染时,这款 aigo P3000都能提供非常好的使用体验,提高我们的工作效率。
▲当然作为消费者来说,性价比是需要考虑的非常重要的因素之一,这款512G的P3000拥有五年质保和256TB写入量的TBW,1T版本的质保写入答512TB,让我们用户在使用上更放心。
▲整体来说,这款 aigo P3000固态硬盘给我的感觉非常不错,很适合这种轻薄笔记本电脑升级使用,早期的很多轻薄本使用的都是256GB的固态硬盘,升级以后可以获得更大的容量以及更快的速度,不论是存储大容量数据还是玩游戏运行大型程序等等,都可以获得更好的速度体验。而且现在的3D NAND技术也让TLC颗粒能够在寿命和读写速度上表现更好。好了,今天的开箱测评体验就到这里了,如果大家还有什么疑问欢迎在评论区留言,感谢大家的阅读。
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