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1nand 美光将基于EUV光刻的1γnm制程DRAM技术推迟到2025年

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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美光将基于EUV光刻的1γnm制程DRAM技术推迟到2025年

IT之家 12 月 23 日消息，美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布，公司将在 2023 年裁员大约 10%，并停发奖金。这再次表明，科技行业的增长放缓正在影响就业。

作为减少资本支出的一部分，消息称美光将使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推迟到 2025 年，232 层之后的 NAND 节点也被推迟。

美光 1γ 制造技术中原定于 2024 年的某个时候推出，但因为美光必须在 2023 和 2024 财年减少新设备的支出，并减少 DRAM bit 出货量，它将不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技术上的增长速度。

IT之家了解到，该公司最新的 1β 制造节点 —— bit 密度提高了 35%，电源效率提高了 15%，不过这一技术依然依赖于深紫外线（DUV ）光刻技术。

相比之下，三星和 SK 海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 光刻技术，并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。

“鉴于我们决定放慢 1β（1-Beta）DRAM 的生产速度，我们预计我们的 1γ（1-gamma）技术将在 2025 年推出，”美光称 “同样，我们将推迟 232 层 3D NAND 存储器以外的下一个 NAND 节点，以适应新的需求前景和所需的供应增长。”

IT之家 10 月 10 日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星 等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。

图源：SK 海力士

目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。

美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。

而三星计划 2023 年迈入 1b DRAM 工艺阶段，芯片容量从 24Gb（3GB）到 32Gb（4GB），原生速度从 6.4 提高到 7.2Gbps。

在 NAND 闪存业务中，该技术现已突破 200 层堆叠的显著里程碑，存储制造商不断追求更高的层数。

SK 海力士于 8 月 9 日在 2023 闪存峰会上展示了全球首款 321 层 NAND 闪存样品。与之前的 238 层 512Gb NAND 相比，这一创新将效率提高了 59%。SK 海力士计划进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半年开始生产。

此外，美光还制定了超越 232 层的雄心勃勃的计划，即将推出 2YY、3XX 和 4XX 等产品。Kioxia 和西部数据也在积极探索 300 层、400 层和 500 层以上的 3D NAND 技术。

IT之家此前报道，三星计划在 2024 年推出第九代 3D NAND，可能具有 280 层，随后在 2025-2026 年推出第十代，可能达到 430 层，他们的最终目标是到 2030 年实现 1000 层 NAND 闪存。