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nand电路结构 我们熟知的NAND闪存,还有个“双胞胎兄弟”
发布时间 : 2024-10-06
作者 : 小编
访问数量 : 23
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我们熟知的NAND闪存,还有个“双胞胎兄弟”

【IT168 评论】无论消费者还是企业机构,大多数人在谈到闪存时,首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲,NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度,使其成为磁盘的完美替代品。

  NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型,它具有不同的设计拓扑结构,某些特定的应用场景下更为适合。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前,检查其结构差异是很重要的。

  NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片,是当前市面上嵌入式以及独立式SSD的主要原材料。多层单元(MLC)技术和3D制造工艺的结合,将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上,使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。

  

NAND与NOR电路基础

  尽管NAND闪存是这两种非易失性内存技术中相对流行的一种,但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的区别和命名,需要简要回顾一下逻辑门的基础知识。

  NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”(and)以及“或”(or)。如下所示,NAND和NOR都生成响应两个二进制输入的输出。

响应两个二进制输入的NAND和NOR输出

  NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。

  NAND门在概念上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面跟着一个NOT门,这是一个逻辑反转。相应的,NOR门在概念上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1,然后是NOT门,这是一个逻辑倒装。

  布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存至关重要,因为闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中,一组中的所有单元(通常是一个字节的倍数,取决于芯片的大小)共享一条位线,并以串行方式连接每个单元,每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节,通常为4 KB到16 KB。因此,只有当所有的字线都是高或单状态时,位线才会降低或变为零状态,这实际上将内存组转换为一个多输入NAND门。

  与此相反,NOR闪存并行组织位线的方式是,当位线和字线都处于低或零状态时,内存单元只保持高或单状态。

  NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上,而不需要外部接触,从而显著减少了其横截面积。

  NAND闪存单元的串联连接意味着它们不需要单元之间通过金属层进行外部接触——而这正是NOR拓扑结构所需的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级,或100倍。此外,组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中,位线类似于垂直管道。

  相反,由于NOR闪存单元不能单独寻址,因此它们对于随机访问应用程序更快。

  

NAND与NOR产品类型

  这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异,它们有各自最适合的应用程序类型。除了容量外,NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和成本特性,如下图所示。

  这两种闪存中也有几种不同的产品类型,它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式控制功能方面有所不同。

  NAND闪存产品类型

  NAND闪存以单层(SLC)、多层(MLC)、三层(TLC)或四层(QLC)的形式在每个单元(cell)中存储bit,分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适合于工作负载,简单来说,每个单元的位数越高,其容量就越大——当然,是以数据持久性和稳定性为代价的。

  NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片,这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中使用。相比之下,托管型NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能,比如磨损调平、坏块管理(从使用中消除非功能性内存块)和数据冗余。

  NOR闪存产品类型

  串行设备通过只暴露少量(通常是1到8个)I/O信号来减少包的pin数。对于需要快速连续读取的应用程序来说,这是理想的选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

  并行NOR产品暴露多个字节,而且通常使用内存页而不是单独的字节进行操作,更适用于启动代码和高容量应用程序,包括数码单反相机、存储卡和电话。

  两种闪存都是不可或缺的

  NAND是闪存的主力,广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过,NOR 闪存在存储可执行的启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序方面起着关键作用。显然,这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。

  原文作者:Kurt Marko

SSD故事会(2):SSD内部结构是怎样的

【PConline 杂谈】 SSD固态硬盘是这些年在存储技术上重大进步,它带来了电脑主存储颠覆性地改变。升级SSD不仅是性能上的小幅度提升,SSD将利用具有革命性的随机访问速度、卓越的多任务处理能力、杰出的耐久度及可靠性来改变您的电脑使用体验。毫无疑问,SSD将是未来存储的主角。这一期的SSD故事会,就带大家了解最基本的SSD组成主要部件,主控芯片、NAND闪存芯片及固件算法!

SSD速度上远抛开机械硬盘:

传统的机械硬盘(HDD)运行主要是靠机械驱动头,包括马达、盘片、磁头摇臂等必需的机械部件,它必须在快速旋转的磁盘上移动至访问位置,至少95%的时间都消耗在机械部件的动作上。

SSD却不同机械构造,无需移动的部件,主要由主控与闪存芯片组成的SSD可以以更快速度和准确性访问驱动器到任何位置。传统机械硬盘必须得依靠主轴主机、磁头和磁头臂来找到位置,而SSD用集成的电路代替了物理旋转磁盘,访问数据的时间及延迟远远超过了机械硬盘。SSD有如此的“神速”,完全得益于内部的组成部件:主控--闪存--固件算法。

主控、闪存及固件算法三者的关系:

SSD最重要的三个组件就是NAND闪存,控制器及固件。NAND闪存负责重要的存储任务,控制器和固件需要协作来完成复杂且同样重要的任务,即管理数据存储、维护SSD性能和使用寿命等。

主控:

控制器是一种嵌入式微芯片(如电脑中CPU),其功能就像命令中心,发出SSD的所有操作请求----从实际读取和写入数据到执行垃圾回收和耗损均衡算法等,以保证SSD的速度及整洁度,可以说主控是SSD的大脑中枢。目前主流的控制器有Marvell、SandForce、Samsung、Indilinx等。像Marvell各方面都很强劲,代表型号为Marvell 88SS9187/89/90主控,运用在浦科特、闪迪、英睿达等品牌的SSD上。

SandForce的性能也不错,它的特点是支持压缩数据,比如一个10M的可压缩数据可能被他压成5M的写入硬盘,但还是占用10M的空间,可以提高点速度,最大的特点是会延长SSD的寿命,但是CPU占用会高点而且速度会随着硬盘的使用逐渐小幅度降低。代表型号为SF-2281,运用在包括Intel、金士顿、威刚等品牌的SSD上。

Samsung主控一般只有自家的SSD上使用,性能上也是很强悍的,不会比Marvell差多少。目前三星主控已经发展到第五代MEX,主要运用在三星850EVO、850PRO上。

固件算法:

SSD的固件是确保SSD性能的最重要组件,用于驱动控制器。主控将使用SSD中固件算法中的控制程序,去执行自动信号处理,耗损平衡,错误校正码(ECC),坏块管理、垃圾回收算法、与主机设备(如电脑)通信,以及执行数据加密等任务。由于固件冗余存储至NAND闪存中,因此当SSD制造商发布一个更新时,需要手动更新固件来改进和扩大SSD的功能。

开发高品质的固件不仅需要精密的工程技术,而且需要在NAND闪存、控制器和其他SSD组件间实现完美整合。此外,还必须掌握NADN特征、半导体工艺和控制器特征等领域的最先进的技术。固件的品质越好,整个SSD就越精确,越高效,目前具备独立固件研发的SSD厂商并不多,仅有Intel/英睿达/浦科特/OCZ/三星等厂商。

NAND闪存:

SSD用户的数据全部存储于NAND闪存里,它是SSD的存储媒介。SSD最主要的成本就集中在NAND闪存上。NAND闪存不仅决定了SSD的使用寿命,而且对SSD的性能影响也非常大。NAND闪存颗粒结构及工作原理都很复杂,接下来我们会继续推出系列文章来重点介绍闪存,这里主要来了解一下大家平常选购SSD经常接触到的SLC、MLC及TLC闪存。

SLC/MLC/TLC闪存:

三种闪存状态(图片来自网络)

这几年NAND闪存的技术发展迅猛同,从企业级标准的SLC闪存到被广泛运用在消费级SSD上的MLC闪存再到目前正在兴起的TLC闪存,短短时间里,我们看到NAND技术显著进步。对SLC、MLC及TLC闪存怎么理解呢?简单来说,NAND闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个NAND存储单元内的,SLC、MLC及TLC就是存储的位数不同。

单层存储与多层存储的区别在于每个NAND存储单元一次所能存储的“位元数”。SLC(Single-Level Cell)单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据,同样,MLC(Multi-Level Cell)可储存2bit数据,TLC(Trinary-Level)可储存3bit数据。一个存储单元上,一次存储的位数越多,该单元拥有的容量就越大,这样能节约闪存的成本,提高NAND的生产量。但随之而来的是,向每个单元存储单元中加入更多的数据会使得状态难以辨别,并且可靠性、耐用性和性能都 会降低。

闪存的类型各自有优缺点,如何在保证SSD的性能,耐久度,寿命的前提下,提高存储密度,增大SSD的容量,降低SSD的制造成本,这才有可能迎来下一个个人存储革命的开端。

总结 :SSD带来极速体验的前提是拥有着非常复杂的技术在支撑,并不同机械硬盘通电即使用,SSD需要正确地使用方法及后期更多的维护,而这些的基础是您对SSD有足够的了解,这也是我们推荐小白系列讲堂的目的,下一期我们将继续探讨神秘的SSD技术。

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