46亿元！长江存储“喜提”光刻机

IT之家5月20日消息 5月16日，IT之家报道中芯国际（SMIC）已订购一套极紫外光刻（EUV）设备，这是目前最昂贵和最先进的芯片生产工具。据悉，这套EUV光刻设备向荷兰芯片设备制造商ASML购买，价值1.2亿美元。

根据最新的消息显示，日前长江存储也迎来了自己的首台光刻机，5月19日，光刻机已运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。

据悉，长江存储的首台光刻机同样来自ASML，为193nm浸润式光刻机，售价7200万美元，约人民币4.6亿元，用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。

来自长江存储的官方消息，4月11日，国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片。

关于长江存储：

受到紫光集团，国家集成电路产业投资基金，湖北地方集成电路基金，湖北科投共计240亿美元战略投资，长江存储科技有限责任公司于2016年7月正式成立。长江存储科技有限责任公司（长江存储）是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业。

关于ASML：

ASML是总部设在荷兰Veldhoven的全球最大的半导体设备制造商之一，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。

ASML为半导体生产商提供光刻机及相关服务，TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生产效率最高，应用最为广泛的高端光刻机型。目前全球绝大多数半导体生产厂商，都向ASML采购TWINSCAN机型，例如英特尔(Intel)，三星(Samsung)，海力士(Hynix)，台积电(TSMC)，中芯国际(SMIC)等。

长江存储宣布研发成功我国首款128层3D NAND闪存芯片

中证网讯（记者吴科任）4月13日上午，紫光集团旗下长江存储宣布其128层QLC3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。它是全球首款128层QLC规格的3DNAND闪存芯片，也是我国首款128层3DNAND闪存芯片。

据了解，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。同时发布的还有128层512GbTLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking？2.0时代的到来，长江存储有决心、有实力、有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”

得益于Xtacking？架构对3DNAND控制电路和存储单元的优化，长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现。

长江存储介绍，在128层系列产品中，Xtacking？架构（2018年8月发布）已全面升级至2.0，进一步释放3DNAND闪存潜能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2VVccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率，为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking？2.0还为3DNAND带来更佳的扩展性。

龚翊强调：“我们相信，长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值，具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”

本文源自中国证券报·中证网

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