三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4050存储设备，未来将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始，逐渐积累了丰富的经验，近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示，未来V-NAND的层数可能会超过1000层。

据TomsHardware报道，三星计划开始生产采用第七代V-NAND技术的消费类固态硬盘，具有176层。三星表示，这是业界最小的NAND存储单元。这款新闪存将拥有2000 MT/s的数据传输速率，让三星可以构建PCI-E 4.0和PCI-E 5.0接口的超高速固态硬盘。这些存储设备将使用全新的主控芯片，会针对多任务、大工作量的负载进行优化。下一步三星会推出基于176层V-NAND闪存的数据中心级别固态硬盘，会有更强的性能和容量。

虽然176层V-NAND闪存接近量产，但三星开始开始制造采用第八代V-NAND技术的芯片样品，新一代产品会有200层。三星表示会根据市场需求决定什么时候开始批量生产，一般12至18个月会进行更新，参照这样的时间表，搭载200层V-NAND闪存的存储设备什么时候出来还是可以大概判断的。

三星和其他NAND闪存制造商在追求层数的过程中会面临几个挑战，包括NAND存储单元更小需要使用新材料或蚀刻层数越多越困难等。由于蚀刻层数增加，可能变得不可行或经济效益降低，因此制造商会使用堆叠等技术手段。

今年早些时候SK海力士表示，将按计划推进600层以上3D NAND闪存的研发，因此三星并不是唯一一个制定这方面计划的企业。

影驰HOF EX 50S固态硬盘评测 PCIe50再提速

进入秋季，Intel和AMD新平台发布的脚步也越来越近，市面上的PCIe5.0固态硬盘也开始逐渐多了起来。和中端的PCIe4.0产品相比，PCIe5.0带来的性能提升可以说是翻倍的，例如之前我们给大家评测过的名人堂HOF EXTREME 50。现在影驰将这款产品升级成为HOF EXTREME 50S并取而代之，价格不变，但性能进一步升级。

从产品名称看，因此HOF EXTREME 50S后面多了“S”后缀，即为增强之意，因此这款自然要在读写万兆的基础上进一步提速。评测前我们先简单浏览这款产品亮点。

1、支持PCIe5.0和NVMe2.0

2、采用美光232层3DTLC颗粒，目前容量只有2TB

3、标称最高顺序读写速度提升至12400MB/s和11800MB/s

4、标称随机读写性能均为1500K IOPS

5、总写入量达1400TBW

6、配备4GB LPDDR4独立缓存

7、搭配高性能散热马甲，内嵌散热风扇

1 双面芯片设计，带风扇散热马甲惹眼

作为一款升级产品，影驰名人堂HOF EXTREME 50S固态硬盘采用了与上一款产品HOF EXTREME 50相同的包装盒，经典的纯白主色调的外层正面有烫银的“Hall Of Fame”的Logo，上方的红色块标识了PCIe5.0产品。

内盒依然是磁吸固定，开箱的仪式感十足，打开后即可看到固态硬盘本体和散热马甲。

包装盒内的所有配件，包括固态硬盘本体，散热马甲和一条散热风扇的电源延长线，与HOF EXTREME 50相同。

影驰名人堂HOF EXTREME 50S 2TB外观也与HOF EXTREME 50相同，依然是黑色的PCB和标准2280长度规格，主控芯片和独立缓存芯片也都采用了点胶处理，提升高温环境下稳固性。NAND颗粒上的贴纸标识了产品的型号、容量和S/N码等信息。

背面有两颗NAND芯片，单颗512GB，还有一个缓存芯片空白焊盘。

揭开正面的贴纸，可看到名人堂HOF EXTREME 50S 2TB的正面也有两颗NAND存储芯片，正反面四颗构成2TB标称容量。

主控芯片依然是我们熟悉的PHISON群联PS5026-E26，也是群联推出的全球首款消费级PCIe5.0x4 NVMe主控芯片，因此名人堂HOF EXTREME 50S其实是在固件方面进行了优化。

NAND存储芯片依然为美光232层堆叠的3DTLC，接口带宽2400MT/s，缓存芯片也是4GB的SK海力士LPDDR4。

名人堂HOF EXTREME 50S的散热马甲也与HOF EXTREME 50相同，采用全金属镜面电镀银外壳，内嵌大面积纯铜散热鳍片和一只微型的PWM散热风扇，整体非常有分量。

安装的时候记得将影驰名人堂HOF EXTREME 50S装在主板的PCIe5.0M.2插槽上，这样才能发挥它的全部性能，电源插头插到主板的SYS FAN接口。

2 基准测试，“S”名副其实

如果说“Plus”后缀是加大，那么“S”后缀就是增强，接下来我们就来测试下名人堂HOF EXTREME 50S 2TB固态硬盘的性能有怎样的提升。测试前依然先放上我们本次的测试平台。

通过Crystal Disk Info的信息，可知影驰名人堂HOF EXTREME 50S的产品名称与HOF EXTREME 50 2TB一致，实际容量也为2000.3GB，但是固件版本不同，采用PCIe5.0x4传输模式，支持NVMe2.0标准，在26℃室温下待机温度42℃，对于一款PCIe5.0产品来说，散热马甲功不可没。

在Crystal Disk Mark基准测试中，影驰名人堂HOF EXTREME 50S 2TB最高连续读写速度提升至12399.31MB/s和11839.39MB/s，基本符合12400MB/s和11800MB/s的标称性能，比HOFEXTREME 50高出了10%左右，“S”升级版名副其实。

4K随机性能，在QD512的队列深度下，影驰名人堂HOF EXTREME 50S 2TB最大4K随机读写速度达到了6381.06MB/s和6807.01MB/s，换算成数据吞吐量分别是1749K IOPS和1743K IOPS，均超出1500K IOPS的标称值，可见4GB的独立缓存带来的性能提升巨大。

在用于对比的TxBENCH中，影驰名人堂HOF EXTREME 50S 2TB最高顺序读写速度为11452.17MB/s和11106.28MB/s。

3 高阶测试，性能提升显著

在HD Tune Pro中出现了有趣的现象，由于这款软件比较老牌了，似乎没有预料到日后的硬盘速度能达到如此速度，因此文件基准曲线左侧的Y轴数据均被“吃掉”了最左侧的一位。我们向名人堂影驰名人堂HOF EXTREME 50S 2TB中写入200GB的数据，可以看到写入速度在10000MB/s小幅波动，读取速度则在9800MB/s小幅波动，至测试完成也没有出现明显掉速，可见SLC缓存容量较大。

接下来我们用PCMARK10完整系统盘测试来测试名人堂影驰名人堂HOF EXTREME 50S 2TB固态硬盘的表现，最终测试成绩为4435分，带宽为694.06MB/s，平均存取时间进一步降低至37μs。

最后是3DMARK的存储DLC测试，最终影驰名人堂HOF EXTREME 502TB固态硬盘的存储基准测试得分高达4670分，平均带宽为790.64MB/s，平均存取时间低至38us。这两项测试均表明，影驰名人堂HOF EXTREME 50 2TB相对于HOF EXTREME 50 2TB进步明显，成为市面上速度最快的PCIe5.0产品之一。

4 总结

众所周知，“S”后缀就是增强版的意思，影驰名人堂HOF EXTREME 50 2TB，相对于HOF EXTREME 50 2TB有了非常明显的提升，不负“增强版”之名，也成为市面速度最快的PCIe5.0固态硬盘之一，而且提速不加价，进一步提升了产品的性价比，1400TBW和五年硬核质保也让消费者用的更放心。

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